KR100506513B1 - 강유전체 캐패시터 형성 방법 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 208000023414 familial retinal arterial macroaneurysm Diseases 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02189—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing zirconium, e.g. ZrO2
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31641—Deposition of Zirconium oxides, e.g. ZrO2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
본 발명은 강유전체 캐패시터의 유전막과 층간절연막이 접함으로 인하여 OH와의 반응이 일어나는 것을 방지하여 강유전 특성 저하를 방지할 수 있는 강유전체 캐패시터 형성 방법으로, 강유전체 캐패시터의 유전막으로 Pb(Zr,Ti)O3(이하 PZT) 등의 강유전체막을 형성한 후, 층간절연막으로 산화막을 형성할 때 수산화기에 의해 발생하는 손상을 방지하기 위하여 절연체이면서 확산방지 특성이 있는 ZrO2막을 강유전체막을 감싸도록 형성하여 강유전체 캐패시터의 신뢰도를 향상시킨다.
Description
본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 특히 강유전체 캐패시터 형성 방법에 관한 것이다.
강유전체 캐패시터를 이용한 메모리 소자(FRAM)는 디램(DRAM) 소자와는 달리 캐패시터의 스위칭에 의해 정보의 저장이 이루어지므로, 상유전체를 사용하는 DRAM과는 달리 스위칭 특성이 있는 PZT 또는 SrBi2Ta2O9(이하 SBT라 함) 등과 같은 강유전체를 캐패시터의 유전막으로 사용하고 있다. 그러나, 캐패시터 형성 공정 이후 평탄화 과정에서 수산화기(OH기)가 많이 함유되어 있는 실리콘산화물과 강유전체막이 접하게 되는데, 이러한 OH기가 강유전체인 PZT 또는 SBT와 반응하여 강유전체의 환원에 의해 강유전 특성이 저하되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 강유전체 캐패시터의 유전막과 층간절연막이 접함으로 인하여 OH기와의 반응이 일어나는 것을 방지하여 강유전 특성 저하를 방지할 수 있는 강유전체 캐패시터 형성 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 소정의 하부층이 형성된 기판 상에 하부전극용 전도막을 형성하는 단계; 상기 하부전극용 전도막 상에 강유전체 박막을 형성하는 단계; 상기 강유전체 박막 및 상기 하부전극용 전도막을 패터닝하여 하부전극을 정의하는 단계; 상기 하부전극이 정의된 전체 구조 표면을 따라 확산방지막 - Y2O3, CrO2, CeO2, ZrN 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어짐 - 을 형성하는 단계; 상기 확산방지막을 선택적으로 식각하여 상기 강유전체 박막을 노출시키는 단계; 및 상기 상유전체 박막에 접촉되는 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 강유전체 캐패시터 형성 방법이 제공된다.
본 발명은 강유전체 캐패시터의 유전막으로 Pb(Zr, Ti)O3(이하 PZT) 등의 강유전체막을 형성한 후, 층간절연막으로 산화막을 형성할 때 수산화기에 의해 발생하는 손상을 방지하기 위하여 절연체이면서 확산방지 특성이 있는 Y2O3, CrO2, CeO2, ZrN 등이 강유전체막을 감싸도록 형성하여 강유전체 캐패시터의 신뢰도를 향상시키는 방법이다.
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 캐패시터 형성 공정 단면도인 도1 내지 도5를 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.
먼저, 도1에 도시한 바와 같이 실리콘 기판(10) 상에 형성된 절연막(11)을 선택적으로 식각하여 실리콘 기판(10) 표면을 노출하는 콘택홀을 형성하고, 실리콘 기판(10) 상부에 화학기상증착법으로 500 Å 내지 3000 Å 두께의 폴리실리콘막을 증착하여 콘택홀을 채우고 화학기계적연막방법(chemical mechanical polishing, CMP)으로 평탄화시켜, 콘택홀 내에 폴리실리콘 플러그(12)를 형성한다.
다음으로, 도2에 도시한 바와 같이 폴리실리콘 플러그(12) 위에 형성되어 있는 자연산화막(도시하지 않음)을 제거한 후 200 Å 내지 500 Å 두께의 Ti막(13)을 증착한 후, 700 ℃ 내지 800 ℃의 온도 및 질소분위기에서 급속열처리(rapid thermal process, RTP)하여 접촉저항 감소를 위한 티타늄실리사이드막(Ti-silicide)(14)을 형성한다.
다음으로, 도3에 도시한 바와 같이 폴리실리콘막과 하부전극과의 확산방지를 위하여 실리콘 기판(10) 전면에 300 Å 내지 1000 Å 두께의 TiN막(15)을 증착하고, 확산방지 특성을 향상시키기 위하여 600 ℃ 내지 700 ℃의 온도 및 산소 분위기에서 급속열처리로 산소 스터핑(oxygen stuffing)을 실시하여 TiNO막(16)을 형성한 후, 강유전체의 Pt 하부전극막(17)을 실리콘 기판(10) 전면에 증착한다. 이어서, Pt 하부전극막(17) 상에 PZT 등의 강유전체막(18)을 증착한다. 이때, PZT로 강유전체막(18)을 형성할 경우 물리기상증착법(physical vapor deposition, PVD) 또는 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)으로 Zr과 Ti의 비를 1:1의 조성으로하여 1000 Å 내지 3000 Å 두께로 증착한다. 또한, 강유전체막(18)으로서 스핀(spin) 도포 방법 또는 LSMCD (liquid source mixed chemical deposition)으로 SrBi2Ta2O9을 1000 Å 내지 3000 Å 두께로 증착할 수도 있다.
다음으로, 도4에 도시한 바와 같이 강유전체막(18), Pt 하부전극막(17), TiON막(16) 및 TiN막(15)을 패터닝하고, 실리콘 기판(10) 전면에 확산방지막으로 500 Å 내지 2000 Å 두께의 ZrO2막(19)을 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD) 또는 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성한다.
다음으로, 도5에 도시한 바와 같이 ZrO2막(19)을 선택적으로 식각하여 상부 전극와 접하게 될 강유전체막(18) 부분을 노출하고, 강유전체막(18)과 접하는 Pt 상부전극(20)을 화학기상증착법으로 1000 Å 내지 200 0Å의 두께로 형성한다.
전술한 본 발명의 일실시예에서는 강유전체막을 특성저하를 방지하기 위한 확산방지막으로 ZrO2막을 형성하는 것을 설명하였지만, 확산방지막으로 절연 특성과 고온 열적 안정성이 우수한 Y2O3, CrO2, CeO2, ZrN 박막을 사용할 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 강유전체 캐패시터 형성 후, 평탄화막을 형성하는 공정에서 강유전체막으로 OH가 확산되어 강유전체 특성이 저하되는 것을 방지하기 위하여, 열적 안정성이 우수하고 확산방지 특성이 우수한 절연체로 강유전체막을 보호함으로써 강유전체의 신뢰성의 척도인 피로도(fatigue) 특성을 향상시킬 수 있다.
도1 내지 도5는 본 발명의 일실시예에 따른 캐패시터 형성 공정 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 실리콘 기판 11: 절연막
12: 폴리실리콘 플러그 13: Ti막
14: TiSix막 15: TiN막
16: TiNO막 17: 하부전극
18: 강유전체막 19: ZrO2막
20: 상부전극
Claims (1)
- 소정의 하부층이 형성된 기판 상에 하부전극용 전도막을 형성하는 단계;상기 하부전극용 전도막 상에 강유전체 박막을 형성하는 단계;상기 강유전체 박막 및 상기 하부전극용 전도막을 패터닝하여 하부전극을 정의하는 단계;상기 하부전극이 정의된 전체 구조 표면을 따라 확산방지막 - Y2O3, CrO2, CeO2, ZrN 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어짐 - 을 형성하는 단계;상기 확산방지막을 선택적으로 식각하여 상기 강유전체 박막을 노출시키는 단계; 및상기 상유전체 박막에 접촉되는 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 강유전체 캐패시터 형성 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970075102A KR100506513B1 (ko) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 강유전체 캐패시터 형성 방법 |
US09/221,621 US6605538B2 (en) | 1997-12-27 | 1998-12-28 | Methods for forming ferroelectric capacitors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970075102A KR100506513B1 (ko) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 강유전체 캐패시터 형성 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990055190A KR19990055190A (ko) | 1999-07-15 |
KR100506513B1 true KR100506513B1 (ko) | 2007-11-02 |
Family
ID=19528937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970075102A KR100506513B1 (ko) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 강유전체 캐패시터 형성 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6605538B2 (ko) |
KR (1) | KR100506513B1 (ko) |
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-
1997
- 1997-12-27 KR KR1019970075102A patent/KR100506513B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-12-28 US US09/221,621 patent/US6605538B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20010029101A1 (en) | 2001-10-11 |
KR19990055190A (ko) | 1999-07-15 |
US6605538B2 (en) | 2003-08-12 |
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