KR960009189A - 강유전체 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
강유전체막을 구비하는 커패시터 제조방법이 개시되어 있다. 반도체기판 상에 저유전체 패턴을 형성한 다음, 하부전극 및 물질층을 차례로 형성한다. 화학기계폴리싱(CMP) 방법으로 상기 물질층 및 하부전극을 차례로 연마하여 하부전극을 패턴닝한 후, 강유전체막 및 상부전극을 차례로 형성한다. 커패시터 하부전극을 용이하게 패터닝할 수 있으며, 커패시터와 커패시터간의 커플링 커패시턴스에 의한 소자의 오동작을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제7도는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 가유전체 커패시터를 갖느 반도체 메모리장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들.
Claims (5)
- 반도체기판 상에 저유전체 패턴을 형성하는 단계; 상기 저유전체 패턴이 형성된 결과물 상에 하부전극 및 물질층을 차례로 형성하는 단계; 화학기계폴리싱(CMP) 방법으로 상기 물질층 및 하부전극을 차례로 연마함으로써, 상기 저유전체 패턴 사이에 상기 하부전극이 남도록 상기 하부전극을 패터닝하는 단계; 상기 하부전극이 패터닝된 결과물 상에 강유전체막을 형성하는 단계; 및 상기 강유전체막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저유전체 패턴을 구성하는 물질로, HTO, USG 및 BPSG 군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 강유전체막을 구성하는 물질로 LPZT(PbZrTiO3), BST(BaSrTiO3), SrTiO3, BaTiO3, PbTiO3및 Bi4Ti3O12군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부전극을 구성하는 물질로 백금(Pt)이나 탄탈륨(Ta)등의 내열성 금속 또는 산화 루타니움(RuO2)이나 산화이리디움(IrO2) 등의 도전성 산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 물질층을 구성하는 물질로 스핀-온 글라스(SOG)를 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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