KR950024265A - 반도체 장치의 금속 콘택부 구조 및 형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 금속 콘택부 구조 및 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 금속 콘택부 구조 및 형성방법에 관한 것으로특히 콘택부에 장벽 금속을 사용하여 미세 콘택부를 갖는 고집적 반도체장치의 제조에 적합하도록 한 반도체 장치의 금속 콘택부 구조 및 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법으로는 가), 반도체기판 위에 절연막을 뚫은 콘택홀과 이 콘택홀 아래에 금속과 연결할 불순물 영역을 형성하는 단계와, 나), 전면에 그 산화물도 전도성을 갖는 금속으로 스퍼터링하여 장벽금속을 증착하는 단계와, 다), 어닐링하여 상기 장벽금속의 실리사이드를 형성함과 동시에 상기 장벽 금속을 산화하여 도전성 산화막을 형성하는 단계와, 라), 배선이 될 금속을 데포지션하여 배선 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 본 발명의 구조는 금속배선과 연결된 불순물 확산영역을 가진 반도체기판과, 상기 반도체기판 상에 형성되고 상기 불순물 확산영역 상부에 콘택홀이 열린 절연막과, 불순물확산영역 위에 형성된 장벽금속 실리사이드와 , 상기 실리사이드와 반도체기판 표면에 형성한 장벽금속의 도전성 산화물과, 상기 장벽금속의 도전성 산화물위에 형성된 금속배선을 포함하여 이루어져 있다.

Description

반도체 장치의 금속 콘택부 구조 및 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 금속배선 공정도.

Claims (6)

  1. 반도체 장치의 금속배선 형성방법에 있어서, 가), 반도체기판 위에 절연막을 뚫은 콘택홀과 이 콘택홀 아래에 금속과 연결할 불순물 영역을 형성하는 단계와, 나), 전면에 그 산화물도 전도성을 갖는 금속으로 스퍼터링하여 장벽금속을 증착하는 단계와, 다), 어닐링하여 상기 장벽금속의 실리사이드를 형성함과 동시에 상기 장벽 금속을 산화하여 도전성 산화막을 형성하는 단계와, 라), 배선이 된 금속을 데포지션하여 배선 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 금속 콘택부 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 장벽금속은 루드늄(Ru)이고 , 그 실리사이드는 RuSi2이고, 도전성 산화물은 RuO2인 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속 콘택부 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다)단계의 어닐링은 산소 개스 분위기에서 열처리하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속 콘택부 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 다)단계의 어닐링의 열처리 온도는 400℃ 내지 800℃인 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속 콘택부 형성방법.
  5. 반도체 장치의 금속배선 구조에 있어서, 금속배선과 연결될 불순물 확산영역을 가진 반도체기판과, 상기 반도체기판 상에 형성되고 상기 불순물 확산영역 상부에 콘택홀이 열린 절연막과, 불순물확산영역 위에 형성된 장벽금속 실리사이드와, 상기실리사이드와 반도체기판 표면에 형성한 장벽금속의 도전성 산화물과, 상기 장벽금속의 도전성 산화물위에 형성된 금속배선을 포함하는 반도체 장치의 금속 콘택부 구조.
  6. 제5항에 있어서, 상기 장벽 금속은 Ru이고, 상기의 장벽금속 실리사이드는 RuSi2이고, 상기 도전성 산화물은 RuO2인 것을 특징으로하는 반도체 장치의 금속콘택부 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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