KR100474072B1 - 귀금속 박막의 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 원자층증착시 반응가스와 귀금속전구체가 반응로안에서 섞이는 것을 방지하기 위해 퍼지시간을 길게함에 따른 쓰루풋 저하를 억제하는데 적합한 귀금속 박막의 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 귀금속 박막이 증착될 기판이 로딩된 반응로내에 반응가스와 기저가스를 항상 섞이도록 증착동안 계속 주입하면서 귀금속 전구체를 펄스 형태로 공급하고 이어서 귀금속 전구체의 펄스와 교번하도록 펄스 형태로 플라즈마를 여기시켜 반응가스를 활성화시키므로써 활성화된 반응가스와 귀금속 전구체를 반응시켜 원자층 단위의 귀금속 박막을 증착한다.

Description

귀금속 박막의 형성 방법{Method for forming noble metal films}
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 귀금속 전극의 형성 방법에 관한 것이다.
최근에, 캐패시터의 정전용량을 증가시키기 위해 상/하부전극(Top electrode/Bottom electrode)으로 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 이리듐산화막(IrO), 루테늄산화막(RuO), 백금합금(Pt-alloy) 등의 귀금속(Noble metal) 및 귀금속을 포함한 산화막을 이용한다.
고집적 메모리 소자의 캐패시터의 전극으로 귀금속을 사용하기 위해서는 필연적으로 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition; PVD)에 비해 단차피복성(Step coverage)이 우수한 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD) 또는 원자층증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 사용하여야 한다.
도 1은 종래기술에 따른 귀금속의 화학기상증착법(CVD)을 설명하기 위한 가스공급도로서, 화학기상증착법을 사용할 때 반응로로 유입되는 귀금속전구체, 반응가스, 기저가스를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 귀금속 박막을 증착하는 증착과정동안 지속적으로 귀금속전구체와 반응가스를 주입하게 된다.
그러나, 화학기상증착법(CVD)에서는 귀금속전구체와 반응가스를 충분히 반응시키기 위해서 귀금속 박막이 증착될 기판의 온도를 높일 수 밖에 없는데, 이는 화학기상증착법(CVD)이 고온에서 이루어질 수 밖에 없음을 의미한다.
이에 따라 귀금속 박막의 표면의 거칠기가 증가하고, 특히 박막 밀도의 저하로 인해 열공정에서 뭉침(Agglomeration) 현상이 발생하는 문제가 있다. 또한, 충분한 단차피복성을 확보하기 위해서는 증착속도를 낮게해야 하기 때문에 불순물이 많이 포함되며 쓰루풋(throughput)이 낮아진다.
이러한 화학기상증착법(CVD)의 단점을 극복할 수 있는 방법이 원자층증착법(ALD)이다.
도 2는 종래기술에 따른 귀금속의 원자층증착법(ALD)을 설명하기 위한 가스공급도로서, 원자층증착법(ALD)을 사용할 때 반응로로 유입되는 귀금속전구체, 반응가스, 기저가스를 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 반응로로 유입되는 귀금속전구체와 반응가스는 원자층증착법(ALD)의 특징인 펄스 형태의 공급 방식을 따른다.
그러나, 원자층증착법(ALD)에서는 반응성이 충분하도록 귀금속전구체와 반응가스의 조합 또는 조건을 사용해야 하고, 더욱이 이들이 기상에서 섞이게 되면 화학기상반응이 되어 원자층증착법(ALD)의 장점을 구현할 수 없게 되기 때문에 필연적으로 귀금속전구체와 반응가스의 유입 펄스 사이에 퍼지 시간을 삽입해야하며, 이로 인해 쓰루풋에 제한이 따른다.
즉, 귀금속 전구체에 치환반응할만한 적당한 반응가스가 존재하지 않기 때문에 아직까지 구현가능성이 작고, 적절한 반응가스를 찾더라도 반응가스와 귀금속 전구체가 반응로안에서 섞이는 것을 방지하기 위해서는 이들 사이의 반응로 퍼지시간을 길게해야 하므로 쓰루풋이 낮아지는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 원자층증착시 반응가스와 귀금속전구체가 반응로안에서 섞이는 것을 방지하기 위해 퍼지시간을 길게함에 따른 쓰루풋 저하를 억제하는데 적합한 귀금속 박막의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 귀금속 박막의 형성 방법은 기판이 로딩된 반응로 내에 반응가스를 증착 동안 계속 주입하는 단계, 상기 반응로내에 펄스 형태로 귀금속 전구체를 주입하는 단계, 상기 반응로내에 상기 귀금속 전구체의 펄스와 교번하도록 펄스 형태로 플라즈마를 여기시켜 상기 반응가스를 활성화시키는 단계, 및 상기 활성화된 반응가스와 상기 귀금속 전구체를 반응시켜 상기 기판상에 원자층 단위의 귀금속 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 귀금속 박막의 형성 방법은 반응로내에 기판을 로딩하는 단계, 상기 반응로내에 반응가스와 기저가스를 항상 섞이도록 증착동안 계속 주입하는 단계, 상기 반응로내에 유기용매에 녹인 귀금속 전구체를 펄스 형태로 공급하는 단계, 상기 반응로내에 상기 귀금속 전구체의 펄스와 교번하도록 펄스 형태로 플라즈마를 여기시켜 상기 반응가스를 활성화시키는 단계, 및 상기 활성화된 반응가스와 상기 귀금속 전구체를 반응시켜 상기 기판상에 원자층 단위의 귀금속 박막을 증착하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 귀금속 전구체를 주입하는 펄스와 상기 플라즈마를 여기시키는 펄스를 반복하여 상기 귀금속 박막을 증착하는 것을 특징으로 하며, 상기 귀금속 전구체를 주입하는 펄스와 상기 플라즈마를 여기시키는 펄스를 반복하는 동안 상기 반응가스는 계속 주입되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 귀금속 박막의 형성 방법을 설명하기 위한 가스공급도로서, 귀금속전구체, 반응가스, 기저가스의 주입방식을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 기저가스와 반응가스가 증착과정동안 반응로로 계속 주입되고 있으며, 귀금속전구체를 공급하는 펄스만 존재한다. 즉, 반응가스를 공급하는 펄스가 없고, 귀금속전구체를 공급하는 펄스 사이에 플라즈마 펄스 여기 펄스를 삽입한다.
도 3에 따른 귀금속 박막의 증착은, 반응가스를 포함하는 퍼지가스를 기저가스로 사용하고 귀금속 전구체를 반응로에 주입한 후 반응로에 플라즈마를 여기시키므로써 반응가스를 활성화하여 귀금속 박막을 증착시키는 것이다.
따라서, 도 3에 따른 귀금속 박막의 증착법은 귀금속전구체와 반응가스를 번갈아 주입하는 원자층증착법에 비해 반응로의 교란이 현저히 감소한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 귀금속 박막의 형성 방법을 도시한 공정 흐름도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 먼저 귀금속박막이 증착될 기판을 반응로에 로딩시킨 후(S1), 반응로내에 반응가스를 포함하는 기저가스(base gas)를 주입한다(S2). 이때, 반응가스와 기저가스는 항상 섞이도록 주입하며, 기저가스는 반응가스 또는 반응원료와 섞여서 반응로로 들어가면서 반응로 내의 가스 흐름을 유지하는 가스이다. 기저가스로는 주로 퍼지가스로 사용하는 비활성 가스를 이용한다. 따라서, 기저가스는 반응가스를 포함하는 퍼지가스이다.
다음에, 기저가스 및 반응가스가 주입된 반응로내에 귀금속 전구체를 펄스 형태로 주입한 후(S3), 반응로에 플라즈마를 여기시킨다(S4). 즉, 플라즈마 여기를 위한 펄스를 귀금속전구체의 주입 펄스 사이에 삽입하여 기 주입된 반응가스의 플라즈마를 여기시킨다.
다음에, 귀금속전구체를 주입하는 과정(S3)과 플라즈마를 여기시키는 과정(S4)을 반복하여 반응로내에 미리 주입되어 플라즈마 여기를 통해 활성화된 반응가스와 귀금속전구체를 반응시켜 기판상에 원자층 수준의 귀금속 박막을 증착한다(S5).
결국, 반응가스와 귀금속전구체가 반응하지 않는 온도 범위에서 플라즈마를 이용하여 반응가스와 귀금속전구체를 반응시키므로써 귀금속 박막을 증착하며, 이로써 원자층증착법의 단점인 쓰루풋을 개선시킨다.
도 4에서, 증착온도는 상온∼700℃이고, 플라즈마를 여기시킬 때 파워는 10W∼1000W로 인가하며, 기저가스로는 He, Ne, Xe, Kr, Ar, N2와 같은 비활성가스를 한 가지 이상 사용하고, 반응가스로는 O2, H2, NH3 및 N2O로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나 또는 그룹중에서 적어도 두가지 가스를 혼합하여 사용하되 유량은 10sccm∼10000sccm이다.
그리고, 귀금속전구체로는 백금막(Pt)을 증착하는 경우에 (COD)Pt(CH3)3, (COD)Pt(CH3)(Cp), (COD)Pt(CH3)Cl, (Cp)Pt(CH3)(CO), (Cp)Pt(allyl), (Cp)Pt(CH 3)3, (MeCp)Pt(CH3)3, (acac)Pt(CH3)3, Pt(acac)2, Pt(CH 3)2(CH3)NC, Pt(HFA)2, Pt(hfac)2, Pt(tmhd)2를 사용한다. 그리고, 루테늄막을 증착하는 경우에는 Ru(Cp)2, Ru(MeCp)2 , Ru(EtCp)2, Ru(tmhd)3, Ru(od)3를 사용하고, 이리듐막을 증착하는 경우에는 (MeCp)Ir(COD), (EtCp)Ir(COD), (Cp)Ir(COD), (hfac)Ir(COD), Ir(acac)3, (acac)Ir(COD), (COD)Ir(μ-OAc), (COD)Ir(μ-OCH3)2, Ir(allyl)3, 이리듐할라이드, Ir(hfa)2, Ir(hfac)2, Ir(tmhd)2를 사용한다.
전술한 전구체들을 사용함에 있어, 이들 전구체들은 유기용매에 녹여 사용할 수 있다. 바람직하게, 유기용매로는 THF(Tetra Hydro Furan), 엔부틸아세테이트(n-buthyl acetate), 헥산(hexane), 사이클로헥산(cyclo-hexane), 톨루엔(tolune), 자일렌(xylene) 및 벤젠(benzene)으로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나를 이용한다.
그리고, 플라즈마 여기를 위한 펄스를 귀금속전구체의 주입 펄스 사이에 삽입할 때 시간 간격을 0초∼60초 사이로 하고, 각각 플라즈마 여기 펄스와 귀금속전구체 펄스의 시간을 0.001초∼60초 사이로 한다. 여기서, 플라즈마 여기 펄스 시간이 길어지면 그만큼 증착시간이 길어져 쓰루풋이 저하되므로 가능한 짧은 시간으로 진행한다.
도 4와 같은 귀금속 박막의 증착법과 통상적인 원자층증착법과의 차이점을 살펴보면, 통상적인 원자층증착법에서는 귀금속전구체와 반응가스가 번갈아 펄스 형태로 공급되고 귀금속전구체와 반응가스가 섞이는 것을 방지하기 위해 퍼지 과정을 삽입하였으나, 본 발명은 귀금속전구체를 공급하는 펄스만 존재하고, 또한 퍼지과정이 생략된다.
따라서, 귀금속전구체와 반응가스를 번갈아 주입할 필요가 없으며 이들 사이의 퍼지 또는 필요치 않다. 또한, 플라즈마 에너지에 의한 방법이기 때문에 저온에서 증착 가능하고, 이로 인해 표면거칠기가 획기적으로 감소하며, 플라즈마의 반응가스를 적절히 선택하므로써 박막내의 불순물 생성을 완전히 억제한다. 또한 펄스형태로 귀금속전구체를 공급하는 원자층증착법(ALD)의 메카니즘을 이용하기 때문에 단차피복성이 우수하다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 백금막(Pt)내 원자 분포를 도시한 그래프로서, 전구체로는 MeCpPt(Me)3를 이용하고 반응가스로는 산소(O2)을 이용하여 200℃에서 증착한 결과이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 루테늄막(Ru)내 원자 분포를 도시한 그래프로서, 전구체로는 Ru(EtCp)2를 이용하고 반응가스로는 산소(O2)을 이용하여 350℃에서 증착한 결과이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 백금막 및 루테늄막내에 탄소나 산소가 거의 잔류하지 않음을 알 수 있다.
도 4에 따른 귀금속 박막을 고집적 메모리 소자의 캐패시터에 적용하는 경우, 표면거칠기 개선, 박막내 불순물 생성 억제 및 단차피복성의 우수한 효과를 얻을 수 있으므로 캐패시터의 전기적 특성을 향상시킨다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 실시예에 따른 캐패시터의 제조 방법을 도시한 공정 단면도로서, 플러그 구조를 갖는 캐패시터의 제조 방법을 나타내고 있다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 트랜지스터와 비트라인(도시 생략)의 제조 공정이 완료된 반도체기판(11)상에 층간절연막(12)을 형성한 다음, 감광막을 이용한 콘택마스크로 층간절연막(12)을 식각하여 반도체기판(11)의 소정 표면이 노출되는 스토리지노드콘택홀을 형성한다. 계속해서, 스토리지노드콘택홀을 포함한 전면에 폴리실리콘을 증착한 후, 에치백 또는 화학적기계적연마(CMP) 공정으로 스토리지노드콘택홀에 폴리실리콘 플러그(13)를 부분 매립시킨다.
다음으로, 폴리실리콘플러그(13)상에 폴리실리콘플러그(13)와 하부전극간의 접촉저항을 개선시키는 티타늄실리사이드(14)를 형성한 후, 티타늄실리사이드(14)상에 하부전극으로부터 폴리실리콘플러그(13)로의 산소 확산을 방지하는 확산방지막으로서 티타늄나이트라이드(15)를 형성한다.
이 때, 티타늄실리사이드(14)는 티타늄을 증착한 후 열처리하여 형성되며, 티타늄나이트라이드(15)는 에치백이나 화학적기계적연마(CMP) 공정을 통해 스토리지노드콘택홀에 완전히 매립되고, 스토리지노드콘택홀에 매립되는 폴리실리콘플러그(13), 티타늄실리사이드(14), 티타늄나이트라이드(15)의 적층구조물은 통상적으로 스토리지노드콘택(Storage Node Contact; SNC)이라 일컫는다.
계속해서, 티타늄나이트라이드(15)를 포함한 층간절연막(12)상에 하부전극의 높이를 결정짓는 캐패시터산화막(16)을 형성한 후, 스토리지노드 마스크(도시 생략)로 캐패시터산화막(16)을 식각하여 하부전극이 형성될 영역[통상적으로 콘케이브(concave) 패턴이라 일컬음, 이하 '콘케이브패턴'이라 약칭](17)을 오픈시킨다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 오픈된 콘케이브패턴(17)을 포함한 캐패시터산화막(16)상에 도 4에 도시된 과정에 따라 하부전극인 백금막(18)을 증착한다.
이때, 백금막(18) 증착시 전구체로는 (COD)Pt(CH3)3, (COD)Pt(CH3)(Cp), (COD)Pt(CH3)Cl, (Cp)Pt(CH3)(CO), (Cp)Pt(allyl), (Cp)Pt(CH3)3, (MeCp)Pt(CH3)3, (acac)Pt(CH3)3, Pt(acac)2, Pt(CH3)2(CH3 )NC, Pt(HFA)2, Pt(hfac)2, Pt(tmhd)2를 사용한다.
한편, 하부전극으로 루테늄막을 증착하는 경우에는 Ru(Cp)2, Ru(MeCp)2, Ru(EtCp)2, Ru(tmhd)3, Ru(od)3를 사용하고, 하부전극으로 이리듐막을 증착하는 경우에는 (MeCp)Ir(COD), (EtCp)Ir(COD), (Cp)Ir(COD), (hfac)Ir(COD), Ir(acac)3, (acac)Ir(COD), (COD)Ir(μ-OAc), (COD)Ir(μ-OCH3)2, Ir(allyl)3, 이리듐할라이드, Ir(hfa)2, Ir(hfac)2, Ir(tmhd)2를 사용한다.
전술한 전구체들은 유기용매에 녹여 사용할 수도 있다. 바람직하게, 유기용매로는 THF, 엔부틸아세테이트, 헥산, 사이클로헥산, 톨루엔, 자일렌 및 벤젠으로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나를 이용한다.
도 4에서 살펴본 바와 같이, 백금막 증착이 저온과정이므로 스토리지노드콘택을 이루는 티타늄나이트라이드가 산화되는 것을 방지하고, 단차피복성이 우수하여 후속 유전막이나 상부전극 증착이 용이하다.
도 7c에 도시된 바와 같이, 백금막(18)을 콘케이브패턴(17)내에만 잔류시켜 이웃한 셀간 격리된 백금 하부전극(18a)을 형성하고, 백금 하부전극(18a)상에 BLT, Ta2O5, SBT, SBTN 등의 유전막(19)과 백금막, 이리듐막 등의 상부전극(20)을 순차적으로 형성한다. 예컨대, 상부전극(20)으로 백금막을 증착하는 경우, 하부구조가 더욱 미세해지기 때문에 도 4에 따른 증착법을 이용하면 더욱 유리하다.
본 발명의 실시예에 따른 백금막은 실린더형(Cylinder), 오목형(Concave), 적층형(Stack) 캐패시터의 하부전극 또는 하부전극의 일부로 적용가능하며, 또한, 이들 다양한 구조를 갖는 캐패시터의 상부전극 또는 상부전극의 일부로 적용가능하다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 표면거칠기와 단차피복성이 우수한 귀금속 박막의 증착 방법을 확보할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 순도와 밀도가 높은 귀금속 박막의 증착 방법을 확보함과 동시에 생산성이 높은 귀금속 박막의 증착 방법을 확보할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 귀금속의 화학기상증착법(CVD)을 설명하기 위한 가스공급도,
도 2는 종래기술에 따른 귀금속의 원자층증착법(ALD)을 설명하기 위한 가스공급도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 귀금속 박막의 형성 방법을 설명하기 위한 가스공급도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 귀금속 박막의 형성 방법을 도시한 공정 흐름도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 백금막(Pt)내 원자 분포를 도시한 그래프,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 루테늄막(Ru)내 원자 분포를 도시한 그래프,
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 실시예에 따른 캐패시터의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
A3 : 기저가스 B3 : 반응가스
C3 : 귀금속전구체 D : 플라즈마 펄스 여기 구간

Claims (10)

  1. 기판이 로딩된 반응로 내에 반응가스를 증착 동안 계속 주입하는 단계;
    상기 반응로내에 펄스 형태로 귀금속 전구체를 주입하는 단계;
    상기 반응로내에 상기 귀금속 전구체의 펄스와 교번하도록 펄스 형태로 플라즈마를 여기시켜 상기 반응가스를 활성화시키는 단계; 및
    상기 활성화된 반응가스와 상기 귀금속 전구체를 반응시켜 상기 기판상에 원자층 단위의 귀금속 박막을 증착하는 단계
    를 포함하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  2. 반응로내에 기판을 로딩하는 단계;
    상기 반응로내에 반응가스와 기저가스를 항상 섞이도록 증착동안 계속 주입하는 단계;
    상기 반응로내에 유기용매에 녹인 귀금속 전구체를 펄스 형태로 공급하는 단계;
    상기 반응로내에 상기 귀금속 전구체의 펄스와 교번하도록 펄스 형태로 플라즈마를 여기시켜 상기 반응가스를 활성화시키는 단계; 및
    상기 활성화된 반응가스와 상기 귀금속 전구체를 반응시켜 상기 기판상에 원자층 단위의 귀금속 박막을 증착하는 단계
    를 포함하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 귀금속 전구체를 주입하는 펄스와 상기 플라즈마를 여기시키는 펄스를 반복하여 상기 귀금속 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 귀금속 전구체의 펄스와 상기 플라즈마를 여기시키는 펄스 사이의 시간 간격을 0초∼60초 사이로 하는 것을 특징으로 하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 귀금속 전구체의 펄스와 상기 플라즈마를 여기시키는 펄스의 시간을 각각 0.001초∼60초 사이로 하는 것을 특징으로 하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 귀금속 전구체를 주입하는 펄스와 상기 플라즈마를 여기시키는 펄스를 반복하는 동안 상기 반응가스는 계속 주입되는 것을 특징으로 하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  7. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 귀금속 전구체는, (COD)Pt(CH3)3, (COD)Pt(CH3)(Cp), (COD)Pt(CH3 )Cl, (Cp)Pt(CH3)(CO), (Cp)Pt(allyl), (Cp)Pt(CH3)3, (MeCp)Pt(CH3) 3, (acac)Pt(CH3)3, Pt(acac)2, Pt(CH3)2(CH3)NC, Pt(HFA)2, Pt(hfac) 2, Pt(tmhd)2, Ru(Cp)2, Ru(MeCp)2, Ru(EtCp)2, Ru(tmhd)3, Ru(od)3, (MeCp)Ir(COD), (EtCp)Ir(COD), (Cp)Ir(COD), (hfac)Ir(COD), Ir(acac)3, (acac)Ir(COD), (COD)Ir(μ-OAc), (COD)Ir(μ-OCH3)2 , Ir(allyl)3, 이리듐할라이드, Ir(hfa)2, Ir(hfac)2 및 Ir(tmhd)2로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  8. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 반응가스는 O2, H2, NH3 및 N2O로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나 또는 상기 그룹중에서 적어도 두가지 가스를 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 기저가스는 비활성 가스인 것을 특징으로 하는 귀금속 박막의 형성 방법.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 유기용매는 THF, 엔부틸아세테이트, 헥산, 사이클로헥산, 톨루엔, 자일렌 및 벤젠으로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 귀금속 박막의 형성 방법.
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