KR850005161A - 반도체 부재 및 이 부재를 사용한 반도체 장치 - Google Patents

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KR850005161A
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가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 부재 및 이 부재를 사용한 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 에너지 밴드 구조도.
제4도는 양축에 제어 전극을 붙었을 때의 본 발명의 에너지 밴드 구조도.
제5도A, 제5도B는 본 발명에 의한 IC작성의 공정을 도시한 단면도.
제6도는 본 발명의 실시예를 도시한 단면도.

Claims (14)

  1. 소정 기판위에 바라는 반도체 층을 다층으로 형성하여서 되는 반도체 부재에 있어서, 불순물이 도우프되어 있지 않은 제1의 반도체 층과, 해당 제1의 반도체층 보다도 넓은 금재대폭을 갖으며, 또한 불순물을 도우프한 반도체 층으로서, 상기 제1의 반도체 층의 기판측에 형성된 제2의 반도체 층과, 상기 제1의 반도체 층 보다도 넓은 금제대폭을 갖으며, 또한 불순물이 도우프되어 있지 않은 반도체 층으로서 상기 제1의 반도체 층의 기판과 반대측에 형성된 제3의 반도체 층과를 적어도 가진 것을 특징으로 하는 반도체 부재.
  2. 불순물이 도우프되어 있지 않은 반도체층을 상기 제2의 반도체 층과 기판과의 사이에 적어도 1층 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체부재.
  3. 상기 제2의 반도체 층과 기판과의 사이의 불순물이 도우프되어 있지 않은, 반도체 층의 재료는 상기기판 혹은 제2의 반도체 층을 차례로 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제2항 기재의 반도체 부재.
  4. 상기 기판과 제2의 반도체 층과의 사이에, 기판측에서 기판과 같은 재료의 반도체 층과, 제2의 바도체 층과 같은 재료의 반도체 층을 차례로 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제2항 기재의 반도체 부재.
  5. 내산화성의 반도체 층을, 상기 제3의 반도체 층 위에 갖는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 내지 제4항의 어느 하나의 기재의 반도체 부재.
  6. 제2의 반도체 층과 같은 재료의 반도체 층으로서 불순물이 도우프되어 있지 않은 반도체 층을 상기 제1의 반도체 층과, 제2의 반도체 층과의 사이에 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 내지 제5항의 어느 하나의 기재의 반도체 부재.
  7. 불순물이 도우프되어 있지 않은 제1의 반도체 층과, 해당 제1의 반도체 층 보다도 넓은 금재대폭을 갖으며, 또한 불순물을 도우프한 반도체층으로서, 상기 제1의 반도체 층의 기판측에 형성된 제2의 반도체 층과, 상기 제1의 반도체 층 보다도 넓은 금제대폭을 갖으며, 또한 불순물이 도우프 되어 있지 않은 반도체 층으로서 상기 제1의 반도체 층의 기판과 반대측에 형성된 제3의 반도체 층과, 상기 제1의 반도체 층과, 제2, 제3의 반도체 층과의 계면이 제1의 반도체 층 측을 흐르는 전류를 제어하는 전극으로서, 상기 제2혹은 제3의 반도체 층의 제1의 반도체 층과, 반대측에 형성된 적어도 1개의 제어용 전극과, 상기 제3의 반도체 층에서 제1의 반도체 층과, 제2 혹은 제3의 반도체 층과의 계면까지 달하는 전극영역으로서 상기 제어용 전극의 양측에 형성된 적어도 1대의 오오믹 전극을 가진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  8. 불순물이 도우프되어 있지 않은 반도체 층을, 상기 제2의 반도체 층과 기판과의 사이에 적어도 1층 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제7항 기재의 반도체장치.
  9. 상기 제2의 반도체층과 기판과의 사이에 불순물이 도오프되어 있지 않은 반도체층의 재료는 상기 기판 혹은 제2의 반도체 층과 같은 재료인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제8항 기재의 반도체장치.
  10. 상기 기판과 제2의 반도체 층과의 사이에, 기판측에서, 기판과 같은 재료의 반도체 층과, 제2의 반도체층과 같은 재료의 반도체 층과를 차례로 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제8항 기재의 반도체장치.
  11. 내산화성의 반도체 층을, 상기 제3의 반도체 위에 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제7항 내지 제10항 중 어느 하나의 기재의 반도체장치.
  12. 제2의 반도체 층과 같은 재료의 반도체 층으로서, 불순물이 도우프 되어 있지 않은 반도체층을, 상기 제1의 반도체 층과 제2의 반도체 층과의 사잉에 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제7항 내지 제11항중 어느 하나의 기재의 반도체장치.
  13. 상기 제3의 반도체 층에서 제1의 반도체 층과, 제2의 반도체 층과의 계면까지 달하는 전극 영역을 가진 1대의 상기 오오믹 전극과, 상기 제3의 반도체층에서 제1의 반도체 층과, 제3의 반도체 층과의 계면까지 달하는 전극 영역을 가진 1대의 상기 오오믹전극을 가진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제7항 내지 제12항중 어느 하나의 기재의 반도체장치.
  14. 상기 제어용 전극은, 상기 제1의 반도체층과, 제2의 반도체 층과의 계면의 제1의 반도체층 측을 흐르는 전류를 주로 제어하는 전극으로서, 상기 제2의 반도체 층의 제1의 반도체 층과 반대측에 마련한 제어용 전극과, 상기 제1의 반도체 층과 제3의 반도체 층과의 계면의 제1의 반도체 층측을 흐르는 전류를 주로 제어하는 전극으로서, 상기 제3의 반도체 층의 제1의 반도체 층과, 반대측에 마련한 제어용 전극으로 되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제7항 내지 제13항중 어느 하나의 기재의 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840008077A 1983-12-23 1984-12-18 반도체 부재 및 이 부재를 사용한 반도체 장치 KR850005161A (ko)

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