KR890001210A - 초전도 디바이스 - Google Patents

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요시노부 다루다니
신야 고미나미
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무쯔꼬 하다노
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미다 가쓰시게
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Abstract

내용 없음

Description

초전도 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 초전도 디바이스의 일부분을 도시한 단면도.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 초전도 디바이스의 일부분을 도시한 단면도.
제4도는 본 발명의 제3실시예에 의한 초전도 디바이스의 일부분을 도시한 단면도.

Claims (25)

  1. 반도체 또는 통상 전도체, 상기 반도체 또는 통상 전도체에 접속되어 형성되며, 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체를 거쳐서 초전도 약결합으로 형성되도록 그 사이에 공간을 가지고 퍼로브스카이트형 또는 K2NiF4형 결정 구조무의 산화물로 구성되는 적어도 2개의 초전도체 Ba,Sr,Ca,Mg 및 Ra로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소 La,Y,Ce,Sc,Sm,Eu,Er,Gd,Go,Yb,Nd,Pr,Lu 및 Tb로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Cu 및 O를 포함하며, 상기 초전도체 결정의 c축은 그것을 흐르는 전류의 방향과 수직으로 되어 있는 것을 포함하는 초전도 디바이스.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체는 평탄한 기판 위에 형성되어 있는 두께가 일정한 층이고, 상기 초전도체는 일정한 두께를 갖는 상기 반도체 또는 상기 초전도체 위에 형성되어 그 사이의 공간에 유지하는 초전도 디바이스
  3. 특허텅구의 범위 제2항에 있어서, 또 상기 반도체 또는 통상 전도체 및 초전도체 위에 상기 초전도체의 초전도 특성의 변화를 방지하기 위한 보호막을 갖는 초전도 디바이스
  4. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 초전도체 사이에 흐르는 전류를 제어하기 위한 제어수단은 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체 위에 형성되고 전기 절연막에 의해 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체로부터 분리되는 초전도 디바이스.
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 초전도체는 평탄한 기판위에 형성되어 있는 두께가 일정한 층이고 그 사이에 공간을 유지하며,상기 반도체 또는 상기 통상 전도체는 상기 초전도체 및 상기 기판 위에 형성되며, 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체는 상기 공간내에도 마련되어 있는 초전도 디바이스.
  6. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 초전도체는 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체인 코히어런스 길이의 3 내지 10배 거리 사이에서 공간을 갖는 초전도 디바이스.
  7. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 초전도체는 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체를 사이에 끼운 샌드위치형의 구조인 초전도 디바이스.
  8. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 또는 통상 전도체는 상기 통상 전도체로서 공통 원소와 동일 결정 구조를 포함하는 산화물로 이루어지는 초전도 디바이스.
  9. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 초전도체 결정의 c축은 상기 초전도 약결합에 있어서의 상기 반도체 또는 통상 전도체 및 상기 초전도체의 접촉면에 대해서 평행인 초전도 디바이스.
  10. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 초전도체 결정의 c면은 상기 초전도 약결합에 있어서의 상기 반도체 또는 통상 전도체 및 상기 초전도체의 접촉면에 대해서 수직인 초전도 디바이스.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 초전도체 사이에 흐르는 전류를 제어하기 위한 수단은 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체 위에 형성되고 전기 절연막에 의해 상기 반도체 또는 통상 전도체에서 분리되는 초전도 디바이스.
  12. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 또는 통상 전도체는 돌기부를 가지며, 상기 초전도체는 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체 위로 전기 절연막을 거쳐서 상기 돌기부의 측면에 접촉하여 상기 돌기부를 끼우듯이 마련되어 있는 초전도 디바이스.
  13. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 초전도체 사이에 흐르는 전류를 제어하는 제어수단은 상기 돌기부의 돌출된 윗부분을 덮도록 형성되며 전기 절연막에 의해 상기 반도체 또는 통상 전도체에서 분리되어 있는 초전도 디바이스.
  14. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 기판의 주표면은 결정의 c축과 수직인 초전도 디바이스
  15. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체 및 상기 초전도체는 상기 기판의 결정축과 같은 c축 방향으로 배향하고 있는 초전도 디바이스.
  16. 기판, 상기 기판위에 형성되며, 퍼로브스카이드형 또는 K2NiF4형 결정 구조의 산화물로 구성되는 Ba,Sr,Ca,Mg 및 Ra로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소 La,Y,Ce,Sc,Sm,Eu,Er,Gd,Ho,Yb,Nd,Pr,Lu 및 Tb로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Cu 및 O를 포함하며, 상기 초전도체 결정의 c축은 그것을 흐르는 전류의 방향과 수직으로 되어 있는 것을 포함하는 초전도 디바이스.
  17. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 초전도체는 그 일부분에 결정의 c축이 그것을 흐르는 방향과 수직이 아닌 약결합부를 갖는 초전도 디바이스.
  18. 특허청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 약결합부 이외의 상기 초전도체는 그것을 흐르는 전류의 방향에 대해서 단일의 결정이고, 또한 약결합부에 있어서는 그 전류의 방향에 대해서 수직 방향으로 5㎛이하의 간격에서 초전도체를 구성하는 결정이 결정 입계 또는 쌍정에 의해서 분할되어 있는 초전도 디바이스.
  19. 특허청구의 범위 제17항에 있어서 또, 상기 약결합부 상에 광도전성 반도체를 갖는 초전도 디바이스.
  20. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 기판의 주표면은 결정의 c축과 수직인 초전도 디바이스.
  21. 특허청구의 범위 제20항에 있어서, 상기 초전도체는 상기 기판의 결정축과 같은 c축 방향에 배향하고 있는 초전도 디바이스.
  22. 기판, 상기 기판위에 형성되며, 퍼로브스카이트형 또는 K2NiF4형 결정 구조의 산화물로 구성되는 Ba,Sr,Ca,Mg 및 Ra로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소 La,Y,Ce,Sc,Sm,Eu,Er,Gd,Ho,Yb,Nd,Pr,Lu 및 Tb로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Cu 및 O를 포함하며, 상기 초전도체를 흐르는 전류의 방향이 상기 초전도체를 구성하는 초전도 재료의 초전도성이 높은 방향에 일치하고 있는 것을 포함하는 초전도 디바이스.
  23. 반도체 또는 통상 전도체, 상기 반도체 또는 통상 전도체에 접속되어 형성되며, 상기 반도체 또는 통상 전도체를 거쳐서 초전도 약결합으로 형성되도록 그 사이에 공간을 가지며, 퍼로브스카이트형 또는 K2NiF4형 결정 구조의 산화물로 구성되는 Ba,Sr,Ca,Mg 및 Ra로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소 La,Y,Ce,Sc,Sm,Eu,Er,Gd,Ho,Yb,Nd,Pr,Lu 및 Tb로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Cu 및 O를 포함하며, 상기 초전도체를 흐르는 전류의 방향이 상기 초전도체를 구성하는 초전도 재료의 초전도성이 높은 방향에 위치하고 있는 것을 포함하는 초전도 디바이스.
  24. 기판, 상기 기판위에 형성되며, 퍼로브스카이트형 또는 K2NiF4형 결정 구조의 산화물로 구성되는 적어도 하나의 초전도체, 상기 초전도체 결정의 c축은 그것을 흐르는 전류의 방향과 수직으로 되어 있는 것을 포함하는 초전도 디바이스.
  25. 반도체 또는 통상 전도체, 상기 반도체 또는 통상 전도체에 접속하여 형성되며, 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체를 거쳐서 초전도 약결합으로 형성하도록 그 사이에 공간을 가르고 퍼로브스카이트형 또는 K2NiF4형 결정 구조의 산화물로 구성되는 적어도 2개의 초전도체, 상기 초전도체 결정의 c축은 그것을 흐르는 전류의 방향과 수직으로 되어 있는 것을 포함하는 초전도 디바이스.
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