KR880009452A - 초전도 장치 - Google Patents

초전도 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR880009452A
KR880009452A KR1019880000602A KR880000602A KR880009452A KR 880009452 A KR880009452 A KR 880009452A KR 1019880000602 A KR1019880000602 A KR 1019880000602A KR 880000602 A KR880000602 A KR 880000602A KR 880009452 A KR880009452 A KR 880009452A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
superconductor
conductor
superconducting
superconducting device
Prior art date
Application number
KR1019880000602A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910007901B1 (ko
Inventor
도시가즈 니시노
하루히로 하세가와
우시오 가와베
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미다 가쓰시게, 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 미다 가쓰시게
Publication of KR880009452A publication Critical patent/KR880009452A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910007901B1 publication Critical patent/KR910007901B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/10—Junction-based devices
    • H10N60/128—Junction-based devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

초전도 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 초전도 장치의 일부분을 도시한 단면도.
제2도는 본 발명의 제2도의 실시예에 의한 초전도 장치의 일부분을 도시한 단면도.
제3도는 본 발명의 제3의 실시예에 의한 초전도 장치의 일부분을 도시한 단면도.

Claims (22)

  1. 기판상에 형성된 반도체 또는 통상전도체, 상기반도체 또는 상기 통상전도체 Ba, Sr, Ca, Mg, 및 Ra로 구성하는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소, La, Y, Ce, Sc, Sm, Eu, Er, Gd, Ho, Yb, Nd, Pr, Lu, 및 Tb로 구성하는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Cu 및 O를 각각 포함하는 퍼로브스카이트형 또는 K2NiF4형의 결정구조로 되는 산화물로 구성되고, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체에 접속하여 형성된 적어도 2개의 초전도체, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체를 거쳐서 초전도 약결합으로 형성하도록 공간을 갖는 상기 초전도체, 상기 초전도체는 상기 반도체 또는 상기 통상전도체와 같은 원소 및 결정구조로 되는 산화물로 구성되는 것을 포함하는 초전도 장치.
  2. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체는 평탄한 상기 기판상에 형성된 막두께가 일정한 층이며, 상기 초전도체는 상기 막두께가 일정한 상기 반도체 또는 상기 통상전도체상에 형성되어 그 일부분을 제거한 공간을 갖는 초전도 장치.
  3. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 초전도체는 평탄한 상기 기판상에 형성된 막두께가 일정한 상기 반도체 또는 상기 통상전도체에 상기 반도체 또는 통상전도체를 구성하는 원소를 확산 또는 주입하여 그 조성을 변경시키는 것에 의해서 형성되어 있는 초전도장치.
  4. 특허 청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체는 평탄한 상기기판상에 형성된 막두께가 일정한 층이며, 상기 초전도체는 상기 막두께가 일정한 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체상에 형성되어 그 일부분에 초전도체를 구성하는 원소를 확산 또는 주입하여 그 조성을 변경시키는 것에 의해서 형성된 상기 초전도 약결합을 구성하는 반도체 또는 통상전도체 있는 초전도 장치.
  5. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전초체 및 상기 초전도체를 구성하는 재료는Ba2XLa2(1-X)CuO4(1-y)의 조성인 초전도 장치.
  6. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전초체 및 상기 초전도체를 구성하는 재료는Sr2XLa2(1-X)CuO4(1-y)의 조성인 초전도 장치.
  7. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전초체 및 상기 전도체를 구성하는 재료는 YBa2Cu3O7-x의 조성인 초전도 장치.
  8. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체의 초전도 전이온도를 Tc′, 장치의 사용온도를 T로한 경우에 다음의 식
    을 만족하는 초전도 장치.
  9. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 초전도체는 상기 반도체 또는 상기 통상전초체에 초전도쌍의 3∼10배의 코히어런스 길이의 거리에서 공간을 갖는 초전도 장치.
  10. 기판상에 형성된 반도체 또는 통상전도체, 상기반도체 또는 상기 통상전도체는 Ba, Sr, Ca, Mg, 및 Ra로 구성된 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소, La, Y, Ce, Sc, Sm, Eu, Er, Gd, Ho, Yb, Nd, Pr, Lu, 및 Tb로 구성된 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Cu 및 O를 각각 포함하는 퍼로브스카이트형 또는 K2NiF4형의 결정구로는 되는 산화물로 구성되고, 상기 반도체 또는 상기 통상반도체에 접속되어 형성된 적어도 2개의 초전도체, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체를 거쳐서 약결합 초전도를 형성하도록 공간을 갖는 상기 초전도체, 상기 초전도체는 상기 반도체, 또는 상기 통상전도체와 같은 원소 및 결정구조로 되는 산화물로 구성되고, 상기 초전도체 사이에 흐르는 전류를 제어하기 위한 제어수단과, 제어수단은 상기 반도체 또는 상기 통상전도체상에 형성되고 절연막에 의해 상기 반도체 또는 상기 통상전도체에서 분리되는 것을 포함하는 초전도 장치.
  11. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체는 평탄한 상기 기판상에 형성된 막두께가 일정한 층이며, 상기 초전도체는 상기 막두께가 일정한 상기 반도체 또는 상기 통상전도체상에 형성되어 그 일부분을 제거한 공간을 갖는 초전도 장치.
  12. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 초전도체는 평탄한 상기 기판상에 형성된 막두께가 일정한 상기 반도체 또는 상기 통상전도체를 구성하는 원소를 확산 또는 주입하여 그 조성을 변경시키는 것에 의해서 형성되어 있는 초전도 장치.
  13. 특허 청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체는 평탄한 상기 기판상에 형성된 막두께가 일정한 층이며, 상기 초전도체는 상기 막두께가 일정한 반도체 또는 상기 통상전도체 상에 형성되고 그 일부분에 초전도체를 구성하는 원소를 확산 또는 주입하여 그 조성을 변경시키는 것에 의해서 형성된상기 초전도 약결합을 구성하는 반도체 또는 통상전도체를 갖는 초전도 장치.
  14. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체 및 상기 초전도체를 구성하는 재료는 Ba2XLa2(1-X)CuO4(1-y)의 조성인 초전도 장치.
  15. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체 및 상기 초전도체를 구성하는 재료는 Sr2XLa2(1-X)CuO4(1- )의 조성인 초전도 장치.
  16. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체 및 상기 초전도체를 구성하는 재료는 YBa2Cu3O7-x의 조성인 초전도 장치.
  17. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체의 초전도 전이온도를 Tc′, 장치의 사용온도를 T로한 경우에 다음의 식
    을 만족하는 초전도 장치.
  18. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 초전도체는 상기 반도체 또는 상기 통상전도체에 초전도 전자쌍의 3∼10배의 코히어런스 길이의 거리에서 공간을 갖는 초전도 장치.
  19. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 전기 절연막은 20-80㎚의 두께를 갖는 초전도 장치.
  20. 기판상에 형성된 반도체 또는 통상전도체, 상기반도체 또는 상기 통상전도체는 Ba, Sr, Ca, Mg, 및 Ra로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소, La, Y, Ce, Sc, Sm, Eu, Er, Gd, Ho, Yb, Nd, Pr, Lu, 및 Tb로 구성된 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소와, Cu 및 O를 각각 포함하는 퍼로브스카이트형 또는 K2NiF4형의 결정구조로 되는 산화물로 구성되고, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체에 접속어여 형성된 적어도 2개의 초전도체, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체를 거쳐서 초전도 약결합으로 형성하도록 공간을 갖는 상기 초전도체, 상기 초전도체는 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체와 같은 원소 및 결정구조로 되는 산화물로 구성되는 2개의 초전도 장치의 접속으로 되는 폐쇄루우프와 상기 초전도 장치에 있어서, 상기 폐쇄루우프에 전력을 공급하는 전원단자, 상기 폐쇄루우프에서의 검출신호를 출력하는 출력단자, 피측정 자속을 검출하기 위한 검출코일, 상기 검출코일에 접속되어 상기 폐쇄루우프에 상기 피측정 자속에 따른 자속을 상기 폐쇄루우프내에 공급하는 결합코일, 상기 검출코일 및 결합코일과 상기 각 구성요소 사이를 접속하는 배선은 상기 초전도체와 같은 조성의 산화물 박막으로 구성되는 자속계.
  21. 반도체 또는 통상전도체, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체에 접속되어 형성된 적어도 2개의 초전도체, 상기 반도체 또는 상기 통상전도체를 거쳐서 초전도 약결합으로 형성하도록 공간을 갖는 초전도체, 상기 초전도체는 Ba, Sr, Ca, Mg, 및 Ra로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소, La, Y, Ce, Sc, Sm, Eu, Er, Gd, Ho, Yb, Nd, Pr, Lu, 및 Tb로 구성되는 군중에서 선택된 적어도 하나의 원소와, Cu 및 O를 각각 포함하는 포로브스카이트형 또는 K2NiF4형의 결정구조로 되는 산화물로 구성되는 것을 포함하는 초전도 장치.
  22. 특허청구의 범위 제21항에 있어서, 또 상기 초전도체 사이에 흐르는 전류를 제어하는 제어수단, 상기 제어수단은 상기 반도체 또는 상기 통상전도체 상에 형성되고 전기 절연막에 의해 상기 반도체 또는 상기 통상 전도체에서 분리되는 것을 포함하는 초전도 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880000602A 1987-01-30 1988-01-26 초전도 장치 KR910007901B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62-18393 1987-01-30
JP1839387 1987-01-30
JP62-88804 1987-04-13
JP8880487 1987-04-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880009452A true KR880009452A (ko) 1988-09-15
KR910007901B1 KR910007901B1 (ko) 1991-10-04

Family

ID=26355068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880000602A KR910007901B1 (ko) 1987-01-30 1988-01-26 초전도 장치

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0276746B1 (ko)
JP (1) JP2907830B2 (ko)
KR (1) KR910007901B1 (ko)
CN (1) CN1018114B (ko)
DE (1) DE3850580T2 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910002311B1 (ko) * 1987-02-27 1991-04-11 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 초전도 디바이스
US5026682A (en) * 1987-04-13 1991-06-25 International Business Machines Corporation Devices using high Tc superconductors
CN1035087C (zh) * 1987-05-18 1997-06-04 住友电气工业株式会社 制作超导电路图形的方法
GB8809548D0 (en) * 1988-04-22 1988-05-25 Somekh R E Epitaxial barrier layers in thin film technology
US5256897A (en) * 1988-11-28 1993-10-26 Hitachi, Ltd. Oxide superconducting device
EP0371426A3 (en) * 1988-11-28 1990-09-05 Hitachi, Ltd. Superconducting device
JP3020524B2 (ja) * 1988-11-28 2000-03-15 株式会社日立製作所 酸化物超電導素子
US5550389A (en) * 1988-11-28 1996-08-27 Hitachi, Ltd. Superconducting device
JPH0354875A (ja) * 1989-07-24 1991-03-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 超電導体回路の形成方法
JPH0368180A (ja) * 1989-08-07 1991-03-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超伝導接合素子
KR930004024B1 (ko) * 1990-04-27 1993-05-19 삼성전기 주식회사 초전도 집적회로소자의 제조방법
CA2052380C (en) * 1990-09-27 1998-04-14 Takao Nakamura Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same
DE69119344T2 (de) * 1990-09-27 1996-10-31 Sumitomo Electric Industries Supraleitendes Bauelement mit extrem dünnem supraleitenden Kanal aus supraleitendem Oxidmaterial
CA2052378C (en) * 1990-09-27 1998-03-31 Takao Nakamura Superconducting device and a method for manufacturing the same
EP0480814B1 (en) * 1990-10-08 1996-04-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same
CA2054795C (en) * 1990-11-01 1996-08-06 Hiroshi Inada Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same
CA2077047C (en) * 1991-08-28 1998-02-10 So Tanaka Method for manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, method for manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film and superconducting thin film manufactured thereby
JP2809553B2 (ja) * 1992-04-24 1998-10-08 古河電気工業株式会社 酸化物超電導体薄膜の製造方法
US5468806A (en) * 1992-04-24 1995-11-21 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of manufacturing an oxide superconductor thin film
CA2099640A1 (en) * 1992-06-24 1993-12-25 Michitomo Iiyama Superconducting device having a superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same
GB9401357D0 (en) * 1994-01-25 1994-03-23 Hitachi Europ Ltd Semiconductor junctions
KR100388497B1 (ko) * 2001-06-01 2003-06-25 한국전자통신연구원 초전도 에피택셜 박막 및 그 제조 방법
EP3164889B1 (en) * 2014-07-02 2023-06-07 University of Copenhagen A semiconductor josephson junction comprising a semiconductor nanowire and superconductor layers thereon
CN116102951A (zh) * 2022-12-26 2023-05-12 苏州微介面材料科技有限公司 一种抗静电不发火水性环氧涂料

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5846198B2 (ja) * 1980-07-25 1983-10-14 日本電信電話株式会社 酸化物超伝導体ジョセフソン素子の製造方法
JPS61206279A (ja) * 1985-03-11 1986-09-12 Hitachi Ltd 超電導素子
JPS6212212A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Hitachi Ltd 超電導回路
US6638894B1 (en) * 1987-01-09 2003-10-28 Lucent Technologies Inc. Devices and systems based on novel superconducting material

Also Published As

Publication number Publication date
EP0276746A2 (en) 1988-08-03
JPS6427282A (en) 1989-01-30
DE3850580D1 (de) 1994-08-18
EP0276746B1 (en) 1994-07-13
KR910007901B1 (ko) 1991-10-04
EP0276746A3 (en) 1989-08-09
CN88100514A (zh) 1988-08-17
JP2907830B2 (ja) 1999-06-21
DE3850580T2 (de) 1994-10-27
CN1018114B (zh) 1992-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880009452A (ko) 초전도 장치
KR890001210A (ko) 초전도 디바이스
CN1029888C (zh) 超导设备
Takano et al. A cross-whiskers junction as a novel fabrication process for intrinsic Josephson junctions
KR100275091B1 (ko) 초전도 전류리드
US5422336A (en) Superconducting FET with Pr-Ba-Cu-O channel
KR900012377A (ko) 초전도 디바이스
JPS6427244A (en) Wiring construction of integrated circuit
JP2585269B2 (ja) 超伝導トランジスタ
US5334580A (en) Superconducting device having superconducting weak coupling
JP3150683B2 (ja) 超電導導体の送電方法
US5140300A (en) Superconductive magneto-resistive device comprising laminated superconductive ceramic films
JP2644284B2 (ja) 超電導素子
JP2583922B2 (ja) 超電導スイッチング素子
JP2583923B2 (ja) 超電導スイッチング素子
US5345115A (en) Superconducting input interface circuit for superconducting circuit
JPS6489479A (en) Superconducting circuit device
JPH02194667A (ja) 超伝導トランジスタおよびその製造方法
EP0818831A3 (en) Superconducting tunnel junction element and superconducting device
JP4519964B2 (ja) 超伝導素子の製造方法
AU612207B2 (en) Nonvolatile memory element
JP2825391B2 (ja) 超電導素子
JP2583924B2 (ja) 超電導スイッチング素子
JPH06216419A (ja) 電界効果型超電導トランジスタ
JP2888650B2 (ja) 超電導部材の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19971223

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee