JPH0368180A - 超伝導接合素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【産業上の利用分野１ 本発明は、金属酸化物でなる超伝導体層を用いている、
超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子、超伝導体−異種
超伝導体−超伝導体接合素子、超伝導体−半導体−超伝
導体接合素子、超伝導体−常伝導体一超伝導体接合素子
、超伝導体−半導体接合素子、超伝導体−常伝導体接合
素子などでなる超伝導接合素子に関する。 【従来の技術】 従来、第８図に示すような、金属酸化物でなる第１の超
伝導体層Ｓ１と、その第１の超伝導体層８１上に絶縁体
層Ｉを介して対内延長し且つ金属酸化物でなる第２の超
伝導体層Ｓ２とを有し、そして、絶縁体層Ｉが、第１及
び第２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２を構成している金属酸
化物とは異なる林料系の材料でなる超伝導体−絶縁体−
超伝導体接合素子（Ｓ−１−８接合素子）でなる超伝導
接合素子が提案されている。 また、従来、第９図で示すような、金属酸化物でなる第
１の超伝導体層Ｓ１と、その第１の超伝導体ＷＩＳＩ上
にそれとも異種な異種超伝導体層Ｓ′を介して対向延長
し且つ金属酸化物でなる第２の超伝導体層Ｓ２とを有し
、そして、異種超伝導体層Ｓ′が、第１及び第２の超伝
導体８３１及びＳ２を構成している金属酸化物とは字句
通り異なる材料系の材料でなる超伝導体−異種超伝導体
−超伝導体接合素子（Ｓ−８’−Ｓ接合素子〉でなる超
伝導接合素子も提案されている。 さらに、従来、第１０図に示すような、金属酸化物でな
る第１の超伝導体層Ｓ１と、その第１の超伝導体層Ｓ１
上に半導体層ＳＣを介して対向延長し且つ金属酸化物で
なる第２の超伝導体１ｉＮｓ２とを有し、そして、半導
体層Ｓｅが、第１及び第２の超伝導体１ｉ１Ｓ１及びＳ
２を構成している金［１化物とは異なる材料系の林料で
なる超伝導体−半導体−超伝導体接合索子（Ｓ−８ｅ−
８接合素子）でなる超伝導接合素子し提案されている。 また、従来、第１１図に示すような、金属酸化物でなる
第１の超伝導体層Ｓ１と、その第１の超伝導体層Ｓ１上
に常伝導体層Ｎを介しＣ対向延長し且つ金属酸化物でな
る第２の超伝導体層Ｓ２とを有し、そして、その常伝導
体ｊｌＮが、第１及び第２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２を
構成している金属酸化物とは異なる材料系の材ＦＡて・
なる超伝導体−常伝導体一超伝導体槌合索子（Ｓ−Ｎ−
８接合素子）でなる超伝導接合素子も提案されている。 さらに、従来、第１２図に示すような、金属酸化物でな
る超伝導体層Ｓと、その超伝導体層Ｓに接触している半
導体層Ｓｅとを右し、そして、半導体層Ｓｅが、超伝導
体層Ｓを構成している金属酸化物とは異なる材料系の材
料でなる超伝導体−半導体接合素子（Ｓ−３ｅ接合素子
）でなる超伝導接合素子も提案されている。 また、従来、第１３図に示すような、金属酸化物でなる
超伝導体層Ｓと、その超伝導体層Ｓに接触している常伝
導体層Ｎとを有する超伝導体−常伝導体接合素子（Ｓ−
Ｎ接合素子〉でなる超伝導接合素子も提案されている。 上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子で
なる超伝導接合素子（第８図）、超伝導体−異種超伝導
体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子（第９図）
、超伝導体−半導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接
合素子（第１０図）、超伝導体−常伝導体一超伝導体接
合素子でなる超伝導接合素子（第１１図〉、超伝導体−
半導体接合素子でなる超伝導接合素子（第１２図）、及
び超伝導体−常伝導体接合素子でなる超伝導接合素子（
第１３図）の場合、そのいずれも、超伝導体層（第８図
〜第１１図に示す超伝導接合素子の場合Ｓ１及びＳ２、
第１２図及び第１３図に示ず超伝導接合素子の場合Ｓ）
が金属酸化物でなり、そして、その金属酸化物として、
２０に以下というような比較的低い超伝導転移温度しか
有していない金属に比し高い超伝導転移温度を有する金
属酸化物を用い１ｑる。 従って、上述した従来の超伝導接合素子は、そのいずれ
も、超伝導体層が金属でなる場合に比し高い温度におい
て、各超伝導接合素子としての所期の機能を呈し、よっ
て、各超伝導接合素子を、超伝導体層が金属でなる場合
に比し高い温度で使用できる。

【発明が解決しようとするＲ題】

しかしながら、第８図で上述した従来の超伝導体−絶縁
体−超伝導体でなる超伝導接合素子の場合、その絶縁体
ＩＩＩが、第１及び第２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２を構
成している金属酸化物とＵ異なる材料系の材料でなるこ
とから、絶縁体層１が、エピタキシャル成長法によって
形成されているようにはピンホールをはとノνど有しな
いものとして形成されていない。従って、絶縁体層■が
、ピンホールを無祝し得ない多くの数有している。また
、絶縁体層１は、第１の超伝導体１１ｓ１を形成して後
、その第１の超伝導体層Ｓ１上に延長して形成され、ま
た第２の超伝導体層Ｓ２は、絶縁体ＩＩを形成して後、
その絶縁体ＩＩ上に形成されるが、この場合、絶縁体層
■が、第１及び第２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２を構成し
ている金属酸化物とは異なる０料系の材料でなるため、
絶縁体層ｌを形成するどき、第１の超伝導体層Ｓ１を構
成している金属酸化物の元素と、絶縁体層■を構成する
材料の元素とが相互拡散したり、第２の超伝導体層Ｓ２
を形成するとき、絶縁体ｌｉＩ■を構成している材料の
元素と、第２の超伝導体層Ｓ２を構成する金ａｍ化物の
元素とが相互に拡散したりする。 従って、第１及び第２の超伝導体ＢＳｌ及びＳ２、及び
絶縁体層１を、それぞれの所期の組成を有するものとし
て形成することに困難を伴い、よって、第１及び第２の
超伝導体Ｆ／Ａ８１及びＳ２が、所期の潰れた超伝導性
を有していす、また絶縁体ｌ１ＩＩが、所期の優れた絶
縁性を有していない。 従って、第８図に示す従来の超伝導体−絶縁体−超伝導
体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、所用のｅｒｇ
を、所期の優れた特性で発揮しない、という欠点を有し
ていた。 また、第９図で上述した従来の超伝導体−異種超伝導体
−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の揚台、第８
図で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素
子の場合に準じて、異種超伝導体ｍｓ’が、第１及び第
２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２を構成しくいる金属酸化物
とは異なる材料系の０料でなることから、異ｇ！超伝導
体層Ｓ′が、エピタキシ１１ル成長法によって形成され
ているように４ピンホールをほとんど有しないものとし
て形成されていない。従って、異種超伝導体層Ｓ′が、
ビンボールを無視し得ない多くの数有している。また、
異種超伝導体層Ｓ′は、第８図で上述した従来の超伝導
体−絶縁体−超伝導体接合素子の場合に準じで、第１の
超伝導体層Ｓ１を形成して後、その第１の超伝導体ｍＳ
１上に形成され、また、第２の超伝導体層８２は、第８
図で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素
子の場合に準じて、異種超伝導体層Ｓ′を形成して後、
その異種超伝導体層Ｓ′上に形成されるが、この場合、
第８図で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接
合素子の場合に準じて、異種超伝導体層Ｓ′が、第１及
び第２の超伝導体層を構成している金属酸化物とは異な
る材料系の４４料ｒ：なるため、異種超伝導体層Ｓ′を
形成するとき、第８図ぐ上述した従来の超伝導体−絶縁
体−超伝導体接合素子の場合に準じて、第１の超伝導体
層Ｓ１を構成している金属酸化物の元素と、異種超伝導
体層Ｓ′を構成する材料の元素とが相互に拡散したり、
第２の超伝導体層Ｓ２を形成つるとき、第８図で上述し
た従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子の場合に
準じて、異種超伝導体層Ｓ′を構成している材料の元素
と、第２の超伝導体層Ｓ２を構成する金属酸化物の元素
とが相互に拡散したりづる。 従って、第１及び第２の超伝導体ｌ１ＷＳ１及びＳ２、
及び異種超伝導体層Ｓ′を、それぞれの所期の組成を有
するものとして形成することに困難を伴い、よって、第
１及び第２の超伝導体層＄１及びＳ２が、所期の優れた
超伝導性を有していす、また異種超伝導体層Ｓ′が、所
期の優れた特性を有していない。 従って、第９図に示す従来の超伝導体−異種超伝導体一
超伝導体接合木了の場合、所期の機能を、所期の優れた
特性で発揮しない、という欠点をもしていた。 また、第１０図で上述した従来の超伝導体−半導体−超
伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、第８図で
上述した従来の超伝導体絶縁体−超伝導体接合素子の場
合に準じて、半導体！ｉｓｅが、第１及び第２の超伝導
体ｍＳ１上びＳ２を構成している金属酸化物と（よ異な
る材料系の材料でなることから、半導体ＩＪｓｅが、エ
ピタキシャル成長法によって形成され（いるようにはピ
ンホールをほとんど有しないものとしで形成されていな
い。従って、半導体ＧＳｅが、ピンホールを無視し得な
い多くの数有している。また、半導体ｕｓｅは、第８図
で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子
の場合に準じて、第１の超伝導体層Ｓ１を形成して後、
そのｖｇｌの超伝導体層Ｓ１上に形成され、また、第２
の超伝導体層Ｓ２は、第８図で上述した従来の超伝導体
−絶縁体一超伝導体接合木了の場合に準じて、半導体層
Ｓｅを形成しＣ後、その半導体層Ｓｅ上に形成されるが
、この場合、第８図で上述した従来の超伝導体−絶縁体
−超伝導体接合素子の場合に準じて、半導体層ｓｅが、
第１及び第２の超伝導体層を構成しでいる金属酸化物と
は異なる材料系の材料（゛なるため、半導体１ｉｆｆｉ
Ｓｅを形成するとき、９１８図ぐ上述した従来の超伝導
体−絶縁体一超伝導体接合索了の場合に準じて、第１の
超伝導体層Ｓ１を構成しでいる金１ｉ！酸化物の元素と
、半導体層Ｓｅを構成づる材料の元素とが相互に拡散し
たり、また、第２の超伝導体層Ｓ２を形成するとき、第
８図で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合
素子の場合に準じて、半導体層Ｓｅを構成している材料
の元素と第２の超伝導体層Ｓ２を構成する金属酸化物の
元素とが相互に拡散したりする。 従って、第１及び第２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２、及び
半導体層Ｓｅを、それぞれの所期の組成を有するものと
して形成することに困難を伴い、よって、第１及び第２
の超伝導体層Ｓ１及びＳ２が、所期の優れた超伝導性を
有していす、また半導体層Ｓｅが所期の優れた特性を有
していない。 従って、第１０図に示す従来の超伝導体−半導体−超伝
導体接合素子の場合、所期の機能を、所期の優れた特性
で発揮しない、という欠点を有していた。 さらに、第１１図で上述した従来の超伝導体−常伝導体
一超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、第８
図で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素
子のＪ！ｉ！合に準じて、常伝導体１ｉ１Ｎが、第１及
び第２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２を構成している金属酸
化物と

【よ異なる材料系の材料でなることから、常伝導
体層Ｎが、エピタキシャル成長法によって形成されてい
るようにはピンホールをほとんど有しないものとして形
成されていない。従って、常伝導体層Ｎが、ピンホール
を無祝し得ない多くの数有している。また、常伝導体層
Ｎ（よ、第８図で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超
伝導体接合素子の場合に準じて、第１の超伝導体層Ｓ１
を形成して後、その第１の超伝導体層Ｓ１上に形成され
、また、第２の超伝導体層Ｓ２は、第８図ぐ上述した従
来の超伝導体−絶縁体一超伝導体接合木子の場合に準じ
て、常伝導体層Ｎを形成しで後、その常伝導体層Ｎ上に
形成されるが、この場合、第８図で上述した従来の超伝
導体−絶縁体−超伝導体接合素子の場合に準じ（、常伝
導体層Ｎが、第１及び第２の超伝導体層を構成している
金属酸化物とは異なる材料系の材料′ｃ′なるため、常
伝導体層Ｎを形成するとき、第８図で上述した従来の超
伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子の場合に準じて、第
１の超伝導体ｍＳ１を構成している金ｍ醒化物の元素と
、常伝導体層Ｎを構成する材料の元素とが相互に拡散し
たり、また、第２の超伝導体層Ｓ２を形成するとき、第
８図で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合
素子の場合に準じて、常伝導体層Ｎを構成している材料
の元素と、第２の超伝導体層Ｓ２を構成する金ｒｊＡ酸
化物の元素とが相互に拡散したりする。 従って、第１及び第２の超伝導体層３１及びＳ２、及び
常伝導体層Ｎを、それぞれの所期の組成を有するものと
して形成することに困難を伴い、よって、第１及び第２
の超伝導体層Ｓ１及びＳ２が、所期の優れた超伝導性を
有していす、また常伝導体層Ｎが所期の優れた特性を右
していない。 従って、第１１図に示す従来の超伝導体−常伝導体一超
伝導体接合素子の場合、所期の機能を、所期の優れた特
性で発揮しない、という欠点を有していた。 また、第１２図で上述した従来の超伝導体−半導体接合
素子でなる超伝導接合素子の場合、半導体層Ｓｅが、超
伝導体層Ｓを構成している金属酸化物とは異なる材料系
の材料でなることから、半導体層３ｅが、エピタキシャ
ル成長法によって形成されているようにはピンホールを
ほとんど右しないものとして形成されていない。 従って、半導体層３ｅが、ビンボールを無視し得ない多
くの数有している。また、半導体層Ｓｅ　ｆＪ、超伝導
体層Ｓを形成して後、または超伝導体層Ｓを形成する前
に形成されるが、この場合、半導体層Ｓｅが、超伝導体
層Ｓを構成している金属酸化物とは異なる材料系の材料
でなるため、半導体層Ｓｅを形成するとき、または超伝
導体層Ｓを形成するとき、超伝導体層Ｓを構成づる金属
酸化物の元素と、半導体層Ｓｅを構成する材料の元素と
が相互に拡散したりする。 従って、超伝導体層Ｓ、及び半導体層３ｅを、それぞれ
の所期の組成を有するものとして形成するここに困難を
伴い、よって、超伝導体ｍｓが、所期の優れた超伝導性
を有していす、また半導体層ｓｅが所期の優れた特性を
ねしていない。 従って、第１２図に示す従来の超伝導体−半導体接合素
子の場合、所期の機能を、所期の優れた特性で発揮しな
い、という欠点を６していた。 また、第１３図で上述した従来の超伝導体常伝導体接合
素子′Ｃ″なる超伝導接合素子の場合、第１２図で上述
した従来の超伝導体−半導体接合素子の場合に準じ（、
常伝導体層Ｎが、超伝導体ｉｉＳを構成している金属酸
化物とは異なる材料系の材料でなることから、常伝導体
ＦｆｉＮが、エピタキシャル成長法によって形成されＣ
いるようにはピンホールをほとんどイｊしないしのとし
て形成されていない。従って、常伝導体ＩＮが、ビンボ
ールをＳ祝し得ない多くの数右しでいる。また、常伝導
体層Ｎは、第１２図で上述した従来の超伝導体−半導体
接合素子の場合に準じて、超伝導体層Ｓを形成して後、
または超伝導体層Ｓを形成する前に形成されるが、この
場合、第１２図で上述した従来の超伝導体−半導体接合
素子の場合に準じて、常伝導体層Ｎが、超伝導体層Ｓを
構成している金属酸化物とは異なる材料系の材料でなる
ため、常伝導体層Ｎを形成するとき、または超伝導体層
Ｓを構成するとき、第１２図で上述した従来の超伝導体
−半導体接合素子の場合に準じて、超伝導体層Ｓを構成
づる金属酸化物の元素と、常伝導体層Ｎを構成する材料
の元素とが相互に拡散したリノる。 従って、超伝導体層Ｓ１及び常伝導体ＩＷＮを、それぞ
れの所期の組成を有するものとして形成することに困難
を伴い、よって、超伝導体Ｉ＃Ｓが、所期の優れた超伝
導性を有していす、また常伝導体層Ｎが所期の優れた特
性を有していない。 従つ【、第１３図に示す従来の超伝導体−常伝導体接合
素子の場合、所期の機能を、所期の醗れた特性で発揮し
ない、という欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点の伴わない新規な超伝
導接合素子を提案せんとするものである。 【課題を解決するための手段】 本願第１番目の発明による超伝導体−絶縁体−超伝導体
接合素子でなる超伝導接合系子は、第８図で上述した従
来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子でなる超伝導
接合素子の場合と同様に、金属酸化物でなる第１の超伝
導体層と、その第１の超伝導体層上に絶縁体層を介して
対間延長し且つ金属酸化物でなる第２の超伝導体層とを
有する。 しかしながら、本願第１品目の発明による超伝導体−絶
縁体−超伝導体接合索子でなる超伝導接合素子は、この
ような構成を（ｊする超伝導体−絶縁体−超伝導体接合
素子でなるＩ３伝導接合素子において、絶縁体層が、第
１及び第２の超伝導体層を構成している金属酸化物とは
組成を異゛にするが同じ金属酸化物系の金属酸化物でな
る。 また、本願第２番目の発明による超伝導体−異種超伝導
体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子は、第９図
で上述した従来の超伝導体−常伝導体一超伝導体接合素
子でなる超伝導接合素子の場合と同様に、金属酸化物で
なる第１の超伝導体層と、その第１の超伝導体層上にそ
れとも異種な異種超伝導体層を介して対向延長し且つ金
属酸化物でなる第２の超伝導体層とを有する。 しかしながら、本願第２６目の発明による超伝導体−異
種超伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子は
、このような構成を有する超伝導体−異種超伝導体−超
伝導体接合素子でなる超伝導接合素子において、異種超
伝導体層が、第１及び第２の超伝導体層を構成している
金属酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化物系の金
ｋｆ４１１）化物でなる。 本願第３７Ｂ目の発明による超伝導体−半導体−超伝導
体接合素子でなる超伝導接合素子は、第１０図で上述し
た従来の超伝導体−半導体−超伝導体接合素子でなる超
伝導接合素子の場合と同様に、金属酸化物でなる第１の
超伝導体層と、その第１の超伝導体層上に半導体層を介
して対向延長し且つ金属酸化物でなる第２の超伝導体層
とを有する。 しかしながら、本願第３番目の発明による超伝導体−半
導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子は、この
ような構成を有する超伝導体−半導体−超伝導体接合素
子でなる超伝導接合素子において、半導体層が、第１及
び第２の超伝導体層を構成している金属酸化物とは組成
を異にするが同じ金属酸化物系の金属酸化物でなる。 本願第４番目の発明による超伝導体−常伝導体一超伝導
体接合素子でなる超伝導接合系子は、第１１図で、上述
した従来の超伝導体−常伝導体−超伝導体接合素子でな
る超伝導接合素子の場合と同様に、金属酸化物でなる第
１の超伝導体層と、その第１の超伝導体層上に常伝導体
層を介して対向延長し且つ金属酸化物でなる第２の超伝
導体層とを有する。 しかしながら１１本願第４番目の発明による超伝導体−
常伝導体一超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子は、
このような構成を有する超伝導体−常伝導体一超伝導体
接合素子でなる超伝導接合素子において、常伝導体層が
、第１及び第２の超伝導体層を構成している金属酸化物
とは組成を異にするが同じ金属酸化物系の金属酸化物で
なる。 本願第５１ｉ目の発明による超伝導体−半導体接合素子
でなる超伝導接合素子は、第１２図で上述した従来の超
伝導体−半導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合と
同様に、金属酸化物でなる超伝導体層と、その超伝導体
層と接触しでいる半導体層とを有する。 しかしながら、本願第５番目の発明による超伝導体−半
導体接合素子でなる超伝導接合素子は、このような構成
を有する超伝導体−半導体接合素子でなる超伝導接合素
子において、半導体層が、超伝導体層を構成している金
ｇ＊化物とは組成を異にするが同じ金属酸化物系の金属
酸化物でなる。 本願第６番目の発明による超伝導体−常伝導体接合素子
でなる超伝導接合素子は、第１３図で上述した従来の超
伝導体−常伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合
と同様に、金属酸化物でなる超伝導体層と、その超伝導
体層と接触している常伝導体とを有する。 しかしながら、本願第６番目の発明による超伝導体−常
伝導体接合素子でなる超伝導接合素子は、このような構
成を有する超伝導体−常伝導体接合素子でなる超伝導接
合素子において、常伝導体層が、超伝導体層を構成して
いる金属酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化物系
の金ｊＩｌｌ！化物でなる。

【作用・効果】

本願第１番目の発明による超伝導体−絶縁体−超伝導体
接合素子でなる超伝導接合素子によれば、絶縁体層の材
料が異なることを除いて、第８図で前述した従来の超伝
導体−絶縁体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子
の場合と同様の構成を有するので、第８図で前述した従
来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子でなる超伝導
接合素子の場合と同様の、超伝導体−絶縁体−超伝導体
接合素子でなる超伝導接合素子どしての所期の機能を、
第１及び第２の超伝導体層が金属でなる場合に比し高い
温ｉ’ｒ呈し、よって、第１及び第２の超伝導体層が金
属でなる場合に比し高い温度で使用することができる。 また、本願第１番目の発明による超伝導体−絶縁体−超
伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、絶縁体層
が、第１及び第２の超伝導体層を構成している金属酸化
物とは組成を異にするが同じ金属酸化物系でなる金属酸
化物でなることから、第１の超伝導体層を構成する金属
酸化物と絶縁体層を構成する金属酸化物とは、格子定数
にほとんど差を有していない。このため、第１の超伝導
体層、絶縁体層及び第２の超伝導体層をともにエピタキ
シャル成長法によって、それらの順に形成することがで
き、そして、この場合、絶縁体層を、十分薄い厚さに形
成しても、その絶縁体層を、ピンホールのほとんどない
ものとして容易に形成することができるとともに、絶縁
体層を形成するときに、第１の超伝導体層を構成してい
る金属酸化物の元素と絶縁体層を構成する金属酸化物の
元素とがほとんど相互に拡散したすせず、また、第２の
超伝導体層を形成するときに、絶縁体層を構成している
金属酸化物の元素と第２の超伝導体層を構成する金属酸
化物とがほとんど相互に拡散したりしないので、第１及
び第２の超伝導体層、及び絶縁体層を所期の優れた超伝
導性、及び絶縁性を有するものとして容易に形成するこ
とができる。 また、絶縁体層が、第１及び第２の超伝導体層を構成し
ている金属酸化物とは組成を異にツるが同じ金属酸化物
系でなる金属酸化物でなることから、絶縁体層を構成し
ている金属酸化物でなる単結晶体に対し、その相対向す
る両側からａＮを導入させることによって、その単結晶
体から、その酸素の導入させた領域による第１及び第２
の超伝導体層と、酸素の導入させなかった領域による絶
縁体層を形成することができ、そして、この場合も、絶
縁体層を、十分薄い厚さに形成してｂｌその絶縁体層を
、ピンホールのほどんどないものとして容易に形成Ｊ′
ることがぐさ″るとともに、第１及び第２の超伝導体層
を形成するどきに、第１及び第２の超伝導体層を構成り
る金属酸化物の元素と絶縁体層を構成する金属酸化物の
元素とが相互に拡散したりしないので、第１及び第２の
超伝導体層、及び絶縁体層を所期の優れた超伝導性、及
び絶縁性を有するしのとして容易に形成することかぐき
る。 従って、本願第１番目の発明による超伝導体−絶縁体−
超伝導体接合素子でなる超広２ｇ接合素子の場合、超伝
導体−絶縁体一超伝導体接合累子でなる超伝導接合素子
としての所期の機能を、第８図で上述した従来の超伝導
体−絶縁体−超伝導体接合素子の場合に比し優れた所期
の特性で発揮させることができる。 本願第２番目の発明による超伝導体−異種超伝導体−超
伝導体接合素子でなる超伝導接合素子によれば、異種超
伝導体の材料が異なることを除いて、第９図ぐ前述した
従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子でなる超伝
導接合素子の場合と同様の構成を有するので、第９図で
前述した従来の超伝導体−異種超伝導体−超伝導体接合
素子でなる超伝導接合素子の場合と同様の、超伝導体−
異種超伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子
としての所期の機能を、第１及び第２の超伝導体層が金
属でなる場合に比し高い温度で呈し、よって、第１及び
第２の超伝導体層が金属でなる場合に比し高い温度で使
用することができる。 また、本願第２ａ目の発明による超伝導体−異種超伝導
体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、異
種超伝導体層が、第１及び第２の超伝導体層を構成して
いる金属酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化物系
でなる金属酸化物でなることから、第１の超伝導体層を
構成する金属酸化物と異種超伝導体層を構成する金属酸
化物とは、格子定数にほとんど差を有していない。この
ため、第１の超伝導体層、異種超伝導体層及び第２の超
伝導体層をともにエビタキシレル成長法によって、それ
らの順に形成づることがでさ、そして、この場合、異種
超伝導体層を、ピンホールのほとんどないものとしＣ容
易に形成づることができるとともに、異種超伝導体層を
形成するときに、第１の超伝導体層を構成して−いる金
属酸化物の元素と異種超伝導体層を構成する金属酸化物
の元素とがほとんど相互に拡散したりぜず、また、第２
の超伝導体層を形成するときに、異種超伝導体層を構成
している金属酸化物の元素と第２の超伝導体層を構成す
る金属酸化物とがほとんど相互に拡散したりしないので
、第１及び第２の超伝導体層、及び異種超伝導体層を所
期の優れた超伝導性、及び特性を有するものとして容易
に形成することが（“きる。 また、異種超伝導体層が、第１及び第２の超伝導体層を
構成している金属酸化物とは組成を異にするが同じ金ｊ
Ｉ！酸化物系でなる金属酸化物でなることから、異種超
伝導体層を構成している金属酸化物でなる単結晶体に対
し、その相対向する両側からＨＡを導入させることによ
って、その単結晶体から、その酸素の導入させた領域に
よる第１及び第２の超伝導体層と、酸素の導入させなか
った領域による異種超伝導体層を形成することができ、
そして、この場合も、異種超伝導体層を、ピンホールの
ほとんどないものとして容易に形成することができると
ともに、第１及び第２の超伝導体層を形成するときに、
第１及び第２の超伝導体層を構成づる金属酸化物の元素
と絶縁体層を構成する金属酸化物の元素とがＩｇ互に拡
散したりしないので、第１及び第２の超伝導体層、及異
種超伝導体層を所期の浸れた超伝導性、及び絶縁性を有
するものとして容易に形成することができる。 従って、本願第２番目の発明による超伝導体−異種超伝
導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、
超伝導体−異種超伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝
導接合素子としての所期の機能を、第９図で上述した従
来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子の場合に比し
優れた所期の特性で発揮させることができる。 本願第３Ｓ目の発明による超伝導体−半導体−超伝導体
接合素子でなる超伝導接合素子によれば、半導体層の材
料が異なることを除いて、第１０図て・前述した従来の
超伝導体−半導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合
素子の場合と同様の構成を有するので、第１０図で前述
した従来の超伝導体−半導体−超伝導体接合素子でなる
超伝導接合素子の場合と同様の、超伝導体−半導体−超
伝導体接合素子でなる超伝導接合素子としての所期の１
能を、第１及び第２の超伝導体層が金属でなる場合に比
し高い温度で呈し、よって、第１及び第２の超伝導体層
が金属でなる場合に比し高い温度で使用することができ
る。 また、本ｒＩＡ第３番目の発明による超伝導体−半導体
−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、半導
体層が、第１及び第２の超伝導体層を構成している金属
酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化物系でなる金
属酸化物でなることから、第１の超伝導体層を構成する
金属酸化物と半導体層を構成する金属酸化物とは、格子
定数にほとんど差を有していない。このため、第１の超
伝導体層、半導体層及び第２の超伝導体層をともにエピ
タキシャル成長法によって、それらの順に形成すること
ができ、そしく、この場合、半導体層を、ビンボールの
ほとんどないものとして容易に形成することができると
ともに、半導体層を形成づるときに、第１の超伝導体層
を構成している金属酸化物の元素と半導体層を構成する
金属酸化物の元素とがほとんど相互に拡散したすせず、
また、第２の超伝導体層を形成するときに、半導体層を
構成している金ｍ酸化物の元素と第２の超伝導体層を構
成する金属酸化物とがほとんど相互に拡散したりしない
ので、第１及び第２の超伝導体層、及び半導体層を所期
の優れた超伝導性、及び特性を有するものとして容易に
形成することができる。 また、半導体層が、第１及び第２の超伝導体層を構成し
ている金属酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化物
系でなる金属酸化物でなることから、半導体層を構成す
る金属酸化物でなる単結晶体に対し、その相対向する両
側から酸素を導入させることによって、その単結晶体か
ら、その酸素の導入させた領域による第１及び第２の超
伝導体層と、酸素の導入させなかった領域による半導体
層を形成することができ、そして、この場合も、半導体
層を、ピンホールのほとんどないものとじで容易に形成
することができるとともに、第１及び第２の超伝導体層
を形成するときに、第１及び第２の超伝導体層を構成す
る金属酸化物の元素と半導体層を構成する金属酸化物の
元素とが相互に拡散したりしないので、第１及び第２の
超伝導体層、及び半導体層を所期の優れた超伝導性、及
び特性を右Ｉるものとして容易に形成することができる
。 従って、本願第３番目の発明による超伝導体−半導体−
超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、超伝導
体−半導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子ど
しての所期の機能を、第１０図で上述した従来の超伝導
体−半導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の
場合に比し優れた所期の特性′Ｃ発揮させることができ
る。 本願第４番目の発明による超伝導体−常伝導体一超伝導
体接合索了でなる超伝導接合素子によれば、常伝導体層
の材料が異なることを除いて、第１１図で前述した従来
の超伝導体−常伝導体一超伝導体接合素子でなる超伝導
接合素子の場合と同様の構成を有するので、第１１図で
前述した従来の超伝導体−常伝導体一超伝導体接合索了
でなる超伝導接合素子の場合と同様の、超伝導体−常伝
導体一超伝導体接合累了でなる超伝導接合素子としＣの
所期の機能を、第１及び第２の超伝導体層が金属でなる
場合に比し高い温度で呈し、よって、第１及び第２の超
伝導体層が金属でなる場合に比し高い温度で使用するこ
とができる。 また、本願第４番目の発明による超伝導体−常伝ｉｇ体
−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、常伝
導体層が、第１及び第２の超伝導体層を構成している金
属酸化物とは組成を異にづ°るが同じ金属酸化物系でな
る金属酸化物でなることから、第１の超伝導体層を構成
する金属酸化物と常伝導体層を構成する金属酸化物どは
、格子定数にほとんど差を有していない。 このため、第１の超伝導体層、常伝導体層及び第２の超
伝導体層をとしにエピタキシャル成長法によって、それ
らの順に形成することができ、そして、この場合、常伝
導体層を、ピンホールのほとんどないものとして容易に
形成することができるとともに、常伝導体層を形成する
ときに、第１の超伝導体層を構成している金属酸化物の
元素と常伝導体層を構成する金属酸化物の元素とがほと
んど相互に拡散したすせず、また、第２の超伝導体層を
形成するときに、常伝導゛体層を構成している金属酸化
物の元素と第２の超伝導体層を構成する金属酸化物とが
ほとんど相互に拡散したりしないので、第１及び第２の
超伝導体層、及び常伝導体層を所期の優れた超伝導性、
及び特性を有するものとして容易に形成することができ
る。 また、常伝導体層が、第１及び第２の超伝導体層を構成
している金属酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化
物系′Ｃなる金属酸化物でなることから、常伝導体層を
構成する金属酸化物でなる単結晶体に対し、その相対向
する両側からＨ素を導入させることによって、その単結
晶体から、そのｊｌｌ索の導入さじた領域による第１及
び第２の超伝導体層と、ａ素の導入させながった領域に
よる常伝導体層とを形成することができ、そして、この
場合も、常伝導体層を、ピンホールのほとんどないもの
として容易に形成することができるとともに、第１及び
第２の超伝導体層を形成するときに、第１及び第２の超
伝導体層を構成する金属酸化物の元素と常伝導体層を構
成する金属酸化物の元素とが相互に拡散したりしないの
で、第１及び第２の超伝導体層、及び常伝導体層を所期
の優れた超伝導性、及び特性を有するものとして容易に
形成することかぐきる。 従って、本願第４番目の発明による超伝導体−常伝導体
一超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合、超伝
導体−常伝導体一超伝導体接合素子でなる超伝導接合素
子としての所期の機能を、第１１図で上述した従来の超
伝導体−帛゛伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接
合素子の場合に比し優れた所期の特性で発揮させること
ができる。 本願第５番目の発明による超伝導体−半導体接合素子で
なる超伝導接合素子によれば、半導体層の材料が異なる
ことを除いて、第１２図でｌｙｌ述した従来の超伝導体
−半導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合と同様の
構成を有するので１第１２図で前述した従来の超伝導体
−半導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合と同様の
、超伝導体−半導体接合素子でなる超伝導接合素子とし
ての所期の機能を、超伝導体層が金属でなる場合に比し
高い温度で呈し、よって、超伝導体層が金属でなる場合
に比し高いｍ度で使用することができる。 また、本願第５番目の発明による超伝導体−半導体接合
素子でなる超伝導接合素子の場合、半導体層が、超伝導
体層を構成している金属酸化物とは組成を異にするが同
じ金属酸化物系でなる金Ｉｉ！酸化物でなることから、
超伝導体層を構成する金属酸化物と半導体層を構成する
金属酸化物とは、格子定数にほとんど差を有していない
。このため、超伝導体層、及び半導体層をともにエピタ
キシャル成長法によって形成することができ、そして、
この場合、半導体層を、ピンホールのほとんどないもの
として容易に形成することができるとともに、半導体層
を形成するとき、または超伝導体層を形成するときに、
超伝導体層を構成する金属酸化物の元素と半導体層を構
成する金属酸化物の元素とがほとんど相互に拡散したり
しないので、超伝導体層、及び半導体層を所期の優れた
超伝導性、及び特性を有するものとして容易に形成する
ことができる。 従って、本願第５１目の発明による超伝導体−半導体接
合素子でなる超・伝導接合素子の場合、超伝導体−半導
体接合素子でなる超伝導接合素子としての所期の機能を
、第１２図で上述した従来の超伝導体−半導体接合素子
でなる超伝導接合系子の場合に比し潰れた所期の特性で
発揮させることができる。 本願第６番目の発明による超伝導体−常伝導体接合素子
でなる超伝導接合素子によれば、常伝導体層の材料が異
なることを除いて、第１３図で前述した従来の超伝導体
−常伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合と同様
の構成を有するので、第１３図で前述した従来の超伝導
体−半導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合と同様
の、超伝導体−常伝導体接合素子でなる超伝導接合素子
としての所期の機能を、超伝導体層が金属でなる場合に
比し高い湿度で呈し、よって、超伝導体層が金属でなる
場合に比し高い温度で使用することができる。 また、本願第６番目の発明による超伝導体−常伝導体接
合索Ｉでなる超伝導接合素子の場合、常伝導体層が、超
伝導体層を構成している金属酸化物とは組成を異にする
が同じ金属酸化物系でなる金属酸化物でなることから、
超伝導体層を構成する金属酸化物と常伝導体層を構成す
る金属酸化物とは、格子定数にほとんど差を有していな
い。このため、超伝導体層、及び常伝導体層をともにエ
ピタキシャル成長法によって形成することができ、そし
て、この場合、常伝導体層を、ピンホールのほとんどな
いものとして容易に形成することができるとともに、常
伝導体層を形成するどき、または超伝導体層を形成する
ときに、超伝導体層を構成する金属酸化物の元素と常伝
導体層を構成づる金属酸化物の元素とがほとんど相互に
拡散したりしないので、超伝導体層、及び常伝導体層を
所期の優れた超伝導性、及び特性を有するものとして容
易に形成することができる。 従って、本願第６番目の発明による超伝導体−常伝導体
接合素子でなる超伝導接合素子の場合、超伝導体−常伝
導体接合素子・でなる超伝導接合素子としての所期の機
能を、第１３図で上述した従来の超伝導体−常伝導体接
合素子でなる超伝２ｇ接合素子の場合に比し優れた所期
の特性で発揮させることができる。

【実施例１】 次に、１１図を伴って本願第１番目の発明による超伝導
体−絶縁体−超伝導体接合素子（Ｓ−１−８接合素子）
でなる超伝導接合素子の実ＩｉＡ例を述べよう。 第１図において、第８図との対応部分には同一符号を付
し詳ＩＩＩ説明を省略する。 第１図に示す本願第１番目の発明による超伝導体−絶縁
体−超伝導体接合素子′Ｃなる超伝導接合素子は、第８
図で上述した従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素
子でなる超伝導接合素子の場合と同様に、金１１１ｉ！
化物でなる第１の超伝導体層Ｓ１と、その第１の超伝導
体層Ｓ１上に絶縁体ＨＩを介して対向延長し且つ金属酸
化物でなる第２の超伝導体１１ｓ２とを有する。 しかしながら、第１図に示す本願第１番目の発明による
超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合
素子は、このような構成を有する超伝導体−絶縁体−超
伝導体接合素子でなる超伝導接合素子において、その絶
縁体層Ｉが、第１及び第２の超伝導体層を構成している
金Ｊｉ！酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化物系
の金属酸化物でなり、そして、具体的には、第１及び第
２の超伝導体ＪｉｉＳｌ及びＳ２を構成している金ｍ１
！化物がともに同じ９０にの超伝導臨界転移温度を右ツ
るＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７でなり、また絶縁体層Ｉを構成し
ている金Ｉｉ！酸化物が、ＹＢａ２Ｃｕ３０６でなる。 以上が、本願第１番目の発明による超伝導体−絶縁体−
超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の実施例の構成
ぐある。 このような本願第１番目の発明による超伝導体−絶縁体
−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の構成によれ
ば、詳ｍ説明は省略するが、

【作用・効果）の項ぐ述べ
た擬れた特徴を有する。 【実施例２１ 次に、第２図を伴って本願第２Ｓ目の発明による超伝導
体−異種超伝導体−超伝導体接合素子ｃｓ−ｓ’　−ｓ
接合素子）でなる超伝導接合素子の実施例を述べよう。 第２図において、第９図との対応部分には同−符号を何
し詳細説明を省略する。 第２図に示す本願第２Ｍ１目の発明による超伝導体−異
種超伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子は
、第９図で上述した従来の超伍導体−異種超伝導体−超
伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の場合と同様に、
金属酸化物でなる第１の超伝導体１３１と、その第１の
超伝導体層Ｓ１上に異種超伝導体層Ｓ′を介して対向延
長し且つ金属酸化物でなる第２の超伝導体層Ｓ２とを有
４−る。 しかしながら、第２＠に示す本願第１番目の発明による
超伝導体−異種超伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝
導接合素子は、このような構成を有する超伝導体−異種
超伝導体一超伝導体接白木了でなる超伝導接合素子にお
いて、その異種超伝導体層Ｓ′が、第１及び第２の超伝
導体層をｍ成している金属酸化物とは組成を異にするが
同じ金ａ酸化物系の金属酸化物ぐなり、そして、具体的
には、第１及び第２の超伝導体ＶＡＳｌ及びＳ２を構成
している金属酸化物がともに同じ９０にの超伝導ム界転
移編匪を４４するＹＢａ２　Ｃｕ３０、でなり、よた異
極超伝導体層Ｓ′を構成しでいる金属酸化物が、６０に
の超伝導臨界転移′６Ａ度を右づ゛るＹＢａ２Ｃｕ３０
Ｇ、５でなる・ 以上が、本願第２Ｗ目の発明による超伝導体−異種超伝
導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の実１に
例の構成である。 このような本願第２番目の発明による超伝導体−異種超
伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の構成
によれば、詳Ｉｌｌ説明は省略りるが、【作用・効果１
の項で述べた優れた特徴を′４ｉケる。 【実施例３】 次に、第３図を伴って本願第２番目の発明に上る超伝導
体−異種超伝導体−超伝導体接合素子ｃｓ−ｓ’　−ｓ
接合索子）でなる超伝導挟合ふ了の他の実施例を述べよ
う。 第３図において、第２図との対応部分に；よ同−符号を
（１し詳細説明を省略する。 第３図に示づ一本願第２番目の発明による超伝導体−異
種超伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子は
、第１及び第２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２を構成してい
る金属酸化物がともに同じ８０にの超伝導臨界転移温度
を有するＢ！　２　Ｓ　ｒ　２　Ｃａ　ＣＬＪ　ＯＢで
なり、また異種超伝導体層Ｓ′を構成している金属酸化
物が、１０にの超伝導臨界湯度をイｊりる［３　ｉ２３
ｒ２　ＣｕＯ６でなる。 以上が、本願第２Ｓ目の発明による超伝導体−異種超伝
導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の他の実
１ｉＡＶ／４の構成である。 このような本願第２Ｓ目の発明による超伝導体−５！ｉ
ｉ硬超伝硬体伝導伝導体接合素子でなる超伝導接合素子
の構成によれば、詳細説明は省略するが、

【作用・効果
］の項で述べた優れた特徴を右ｊる。 【実施＠４】 次に、第４図を伴って本ｌｒＩ第３番目の発明による超
低１ｉＬｃ４−半導体−超伝導体！立合索−Ｆ＜Ｓ−３
ｅ−８接合索子）でなる超伝導接合素子の実施例を述べ
よう。 第４図において、第１０図との対応部分には同一符号を
付し詳ｌＩｌ訳明を省略する。 第４図に示す本ｉｔ第３１目の発明による超伝導体−半
導体−超伝導体接合索子でなる超伝導接合素子は、ａｉ
ｉｏ図で上述した従来の超伝導体−半導体−超伝導体接
合素子′ｃ−へる超伝導迄合索子の場合と同様に、金Ｊ
ｉ４Ｂ化物でなる第１の超伝導体層Ｓ１と、その第１の
超伝導体ｌｌ５１上に半導体層ＳＣを介して対向延長し
且つ金属酸化物でなるｉｉ２の超伝導体ｆｆ５２とを有
りる。　しかしながら、第４図に示す本願第３番目の発
明に上る超伝導体−半導体−超伝導体接合索子でなる超
伝導接合素子（よ、このような構Ｊλをｉｉ　する超伝
導体−半導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子
において、その半導体層ＳＯが、第１及び第２の超伝導
体層を構成している金属酸化物と以組Ｊ戊を異にするが
周じ金１１１Ｍ化ｖＡ系の金属酸化物でなり、そして、
具体的に（よ、第１及び第２の超伝導体層Ｓ１及びＳ２
を構成している金Ｉｊｊ４Ｐａ化物がともに同じ超伝導
龜界転移編瓜を有する（Ｌａ　　５ｒｘ）２−Ｘ Ｃｕ０４　（ただし、ｘ−０，０５〜０．１０）でなり
、また半導体層Ｓｃを構成し′Ｃいる金属酸化物が、Ｌ
ａ　ＣｕＯ４でなる。 以上が、本顧第３Ｗ１目の発明による超伝導体−半導体
一超広導体接合本了でなる超伝導接合素子の′Ｘ施例の
構成である。 このような本願第３番目の発明による超伝導体−半導体
−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の構成によれ
ば、詳細説明（よ省略するが、１作用・効果１の項で述
べた振れた特徴をｉｉする。

【実施例５］ 次に、負１５図を伴って本願第４番目の発明による超伝
導体−常伝導体一超広導ＩＡ接合素子（Ｓ−Ｎ−８接合
素子〉でなる超伝導接合糸子の実ｍ例を述べよう。 第５図において、第１１図との対応部分に１よ同一符号
を付し詳Ｗｉ説明を省略する。 第５図に示す本願第３番目の発明による超伝導体−常伝
導体〜超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子は、第１
１図で上述した従来の超伝導体−常伝導体一超広導体接
合Ａｆでなる超伝導接合素子の場合と同極に、金属酸化
物でなる第１の超伝導体層Ｓ１と、その第１の超伝導体
ＢＳＪ上に常伝導体層Ｎを介して対］１１ｊ延長し■つ
金ｍＭ化物でなるｉｉ２の超伝導体ＩＳ２とをイＪする
。 しかしながら、第５図に示す本願第４′ｍ目の発明によ
る超伝導体−常伝導体一超伝導体接合素子でなる超伝導
接合素子は、このような構成を有する超伝導体−常伝導
体一超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子において、
その常伝導体層Ｎが、第１及び第２の超伝導体層をｍ成
し−Ｃいる金属酸化物とは組成を異にするが同じ金１ｉ
１ＦＩｉ化物系の金属酸化物でなり、そして、具体的に
は、第１及び第２の超伝導体［３１及びＳ２を構成して
いる金Ｊｉｌｔ化物がともに同じ超広４１ｉ！−界ｈ　
８　Ｑ　度＠　ｋ　ｔ　８　（Ｌ　ａ　、−Ｘ　Ｓ　’
　ｘ　）　２ＣｕＯ４（ただし、Ｘ−０，０５〜０．１
０）でなり、また常伝導体層を構成している金属酸化物
がＳ　（ＬａトｘＳｒｘ）２ＣｕＯ４（ただし、Ｘ≧０
．１５＞でなる。 以上が、本願第４番目の発明による超伝導体−常伝聯仏
一超伝導体接合索子でなる超伝導接合素子の実施例の構
成である。 このような本願第４番目の発明による超伝導体−常伝導
体一超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の構成によ
れば、詳ｔＩＡ説明は省略するが、【作用・効果］の項
で述べた優れた特徴をねづる。 【実施例６】 次に、第６図を伴って本願第５番目の発明による超伝導
体−半導体接合素子（Ｓ−Ｓｅ接合索子）でなる超伝導
接合素子の実施例を述べＪ、う。 第６図に３３いて、第１２図との対応部分には同−符ｌ
を付し詳細説明を省略づる。 第６図に示１本願第５番目の発明による超伝導体−半導
体接合素子でなる超伝導接合素子は、第１２１２１で上
述した従来の超伝導体−半導体接合素子でなる超伝導接
合素子の場合と刈株に、金属酸化物でなる超伝導体層Ｓ
と、その超伝導体ｇＪＳに接触している半導体層Ｓｅど
をイｉｇる。 しかしながら、第６図に示す本願第５番目の発明による
超伝導体−半導体接合素子（”ｌる超伝導体接合素子し
、このような構成を有する超伝導体−半導体１＆合素子
でなる超伝導接合素子にｊ３いて、その半導体層Ｓｅが
、超伝導体層を構成している金ａｍ化物とは組成を異に
するが同じ金属酸化物系の金１ｉＩｉｌｓｌ！化物でな
り、そして、具体的には、超伝導体ＶＡＳを構成してい
る金属酸化物が（ｉ−ａ、−ｘｓｒｘ）２　ＣｕＯ４（
ただし、ｘ＝０．０５〜０．１０）でなり、また、１ｉ
ｊ４（４＆ＩＳｅ＠構成している金属酸化物が、Ｌａ　
ＣｕＯ４でなる。 以上が、本願第５番目の発明によるｍ伝導体−半導体接
合素子でなる超伝導接合素子の実施例の構成である。 このような本願第５′ａ目の発明による超伝導体−半導
体接合素子でなる超伝導接合素子の構成によれば、詳細
説明（よ省略するが、【作用・９Ｊｓ宋］の項で述べた
ｉれた特徴を有する。 【尖！＠７］ 次に、第７図を伴って本願第６１１Ｏの発明による超伝
導体−１；を伝導体接合素子（Ｓ−Ｎ接合素子）でなる
超伝導接合素子の実施例を述べよう。 第７図において、第１３図との対応部分には同一符号を
０し詳ｍ説明を省略する。 第７図に示す本願第６？Ｂ目の発明による超伝導体−常
体導体接合素子でなる超伝導接合索子Ｕ、第１３図で上
述した従来の超伝導体−常体導体接合素子でなる超伝導
接合素子の場合と向愼に、ｆＬｍ酸化物でなる超伝導体
層Ｓと、その超伝導体層Ｓに接触している常伝導体層Ｎ
とを有する。 しかしながら、第７図に示す本願第５番目の発明による
超伝導体−常体導体接合素子でなる超伝導１ｍ合素子憾
、このような構成をもする超伝導体−常体導体接合素子
でなる超伝導接合素子において、その常伝導体層Ｎが、
超伝導体層を構成している金属酸化物とＵ組成を異にす
るが同じ金属酸化物系の金属酸化物でむり、そして、具
体的には、超伝導体層Ｓ＠構成している金ｍｌ！を化物
が（Ｌ　ａｔ−ｘ　Ｓ　ｒｘ　）　２　Ｃｕ０４（ただ
し、ｘ−０，０５〜０．１０）でなり、また、常伝導体
ＦｆｔＮ＆構成している金属酸化物が、（Ｌａ　　　５
ｒｘ）２　ＣｕＯ４（ただし、−Ｘ Ｘ≧０．１５＞でなる。 以上が、本願第６番目の発明による超伝導体−７＋；伝
導体接合素子でなる超広ｉ９接合素子の実施例の構成で
ある。 このような本願第６Ｓ目の発明による超伝導偽−常伝礎
体迄合索子でなる超伝導接合素子の構成に上れば、詳細
説明１よ省略づるが、【作用・効果］の項で述べた優れ
た特徴を有する。 なＪ３、上述にＪ３いては、本願第１掻目の発明による
超伝導体−絶縁体−超伝導体接合索子でなる超伝導接合
素子について、１つの具体例を述べ・また本願第２番目
の発明による超伝導体−ｋ％極超伝導体−超伝導体接合
索子でなる超伝導接合素子につい（，２つの具体例を述
べ、さらに、本願第３番目の発明による超伝導体−半導
体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子についＣ１
１つの具体例を述べ、また、本願第４番目の発明による
超伝導体−常伝導体一超広導体接合索子′Ｃなる超伝導
接合素子につい（，１つの具体例を述べ、さらに、本願
第５Ｓ目の発明に上る超伝導体−半導体接合素子でなる
超伝導接合素子について、１つの具体例を述べ、また、
本願第６番目の発明による超伝導体−當伝導体接合木ｒ
′ｃなる超広導接０索了についてＬ）１つの具体例を述
べたが、本願第１！目の発明、本願第２番目の発明、本
願第２番目の発明、本願第４番目の発明、本願第２番目
の発明及び本願第６番目の発明によるｆ１伝導接合素子
のそれぞれについて、本発明の精神を脱することなしに
、上述した具体例より槌々の変を、変更をなし得ること
は明らかＣあろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本願第１！目の発明による超伝導体−絶縁体
−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の実施例を示
す路線図ｅある。 第２図は、本願第２１！１目の発明による超伝導体−異
種超伝導体−ＭＪ伝導体接合索子Ｃなる超伝導挟合素子
の１つの実施例を示す路線図である。 第３図は、本願第２Ｓ目の発明による超伝導体−異種超
伝導体−超伝導体接合素子でなる超広ｉ４接合素子の他
の実ｍ＠を示す路線図である。 第ｄ図Ｕ、本願第３番目の発明による超伝導体−半導体
−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の実施例を示
す路線図である。 第５図１よ、本願第４番目の発明による超伝導体−常伝
導体一超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子の実施例
を示す路線図である。 第Ｇ図ｕ１本誼第５番目の発明による超伝導体−半導体
接合素子でなる超伝導接合素子の実施例を示す路線図で
ある。 第７図ｕ１本願ｍ６番目の発明による超伝導体−常伝導
体層第１図でなる超伝導接合素子の実施例を示１路線図
である。 第８図は、従来の超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子
でなる超伝導接合素子を示す路線図である。 第９図は、従来の超伝導体−異種超伝導体一超広導体接
合本子でなる超伝導接合素子を示づ路線図ぐある。 第１０図は、従来の超伝導体−半導体−超伝導（４接合
素子でなる超伝導接合素子を示す路線図である。 第１１図は、従来の超伝導体−常伝導体一超広導体接合
素子′Ｃなる超伝導接合素子を示す路線図である。 第１２図は、従来のＭｉＬ導体−半導体接合糸子でなる
超伝導接合素子を示ず路線図である。 第１３図は、従来の超伝導体−相伝導体接合系Ｔ−′ｃ
なる超伝導接合素子を示す路線図ぐある。 ５１Ｓ１、Ｓ２・・・・・・超伝導体層Ｉ・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・絶縁体層Ｓ′・
・・・・・・・）・・・・・・・・・・・・異極追伝導
体願Ｓ０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
半導体層Ｎ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・常伝導体層第１図 第３図 第２図 第４図 第５図 第６図 第８図 第９図 第７図 第 ０図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、金属酸化物でなる第１の超伝導体層と、その第１の
   超伝導体層上に絶縁体層を介して対向延長し且つ金属酸
   化物でなる第２の超伝導体層とを有する超伝導体−絶縁
   体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子において、 上記絶縁体層が、上記第１及び第２の超伝 導体層を構成している金属酸化物とは組成を異にするが
   同じ金属酸化物系の金属酸化物でなることを特徴とする
   超伝導体−絶縁体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合
   素子。 ２、金属酸化物でなる第１の超伝導体層と、その第１の
   超伝導体層上にそれとも異種な異種超伝導体層を介して
   対向延長し且つ金属酸化物でなる第２の超伝導体層とを
   有する超伝導体−異種超伝導体−超伝導体接合素子でな
   る超伝導接合素子において、 上記異種超伝導体層が、上記第１及び第２ の超伝導体層を構成している金属酸化物とは組成を異に
   するが同じ金属酸化物系の金属酸化物でなることを特徴
   とする超伝導体−異種超伝導体−超伝導体接合素子でな
   る超伝導接合素子。 ３、金属酸化物でなる第１の超伝導体層と、その第１の
   超伝導体層上に半導体層を介して対向延長し且つ金属酸
   化物でなる第２の超伝導体層とを有する超伝導体−半導
   体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子において、 上記半導体層が、上記第１及び第２の超伝 導体層を構成している金属酸化物とは組成を異にするが
   同じ金属酸化物系の金属酸化物でなることを特徴とする
   超伝導体−半導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合
   素子。 ４、金属酸化物でなる第１の超伝導体層と、その第１の
   超伝導体層上に常伝導体層を介して対向延長し且つ金属
   酸化物でなる第２の超伝導体層とを有する超伝導体−常
   伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝導接合素子におい
   て、上記常伝導体層が、上記第１及び第２の超 伝導体層を構成している金属酸化物とは組成を異にする
   が同じ金属酸化物系の金属酸化物でなることを特徴とす
   る超伝導体−常伝導体−超伝導体接合素子でなる超伝導
   接合素子。 ５、金属酸化物でなる超伝導体層と、その超伝導体層と
   接触している半導体層とを有する超伝導体−半導体接合
   素子でなる超伝導接合素子において、 上記半導体層が、上記超伝導体層を構成し ている金属酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化物
   系の金属酸化物でなることを特徴とする超伝導体−半導
   体接合素子でなる超伝導接合素子。 ６、金属酸化物でなる超伝導体層と、その超伝導体層と
   接触している常伝導体層とを有する超伝導体−常伝導体
   接合素子でなる超伝導接合素子において、 上記常伝導体層が、上記超伝導体層を構成 している金属酸化物とは組成を異にするが同じ金属酸化
   物系の金属酸化物でなることを特徴とする超伝導体−常
   伝導体接合素子でなる超伝導接合素子。