JP2825391B2 - 超電導素子 - Google Patents
超電導素子Info
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- JP2825391B2 JP2825391B2 JP4071471A JP7147192A JP2825391B2 JP 2825391 B2 JP2825391 B2 JP 2825391B2 JP 4071471 A JP4071471 A JP 4071471A JP 7147192 A JP7147192 A JP 7147192A JP 2825391 B2 JP2825391 B2 JP 2825391B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、希土類系の酸化物超電
導体薄膜を用いた超電導素子に関する。
導体薄膜を用いた超電導素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】超電導体／常伝導体／超電導体接合で
は、これを構成する常伝導体中に両側の超電導体より及
ぼされる超電導近接効果により超電導電流を流すことが
できる。このような接合を有する素子は、いわゆるＳＮ
Ｓ接合型のジョセフソン素子として動作する。近年、こ
のようなＳＮＳ接合素子において、超電導体として Y系
に代表される希土類系の酸化物超電導体を用いることが
試みられており、薄い常伝導体層を Y系酸化物超電導体
層で挟むサンドイッチ構造が多数試作されている。上述
したようなサンドイッチ構造の超電導素子を作製する場
合には、まず基板上に下部超電導電極となる Y系酸化物
超電導体薄膜を成膜し、その上に常伝導体薄膜と上部超
電導電極となる Y系酸化物超電導体薄膜とを順に成膜し
ている。ところで、上記した下部超電導電極層において
は、通常、高温に加熱(700℃程度）された基板上に成膜
しているため、膜表面の凹凸が激しくなるという問題が
生じている。しかも、超電導電極層はある程度の厚さを
必要とするため、上述した表面荒れがより顕著に現れ、
一層重要な問題となっている。
は、これを構成する常伝導体中に両側の超電導体より及
ぼされる超電導近接効果により超電導電流を流すことが
できる。このような接合を有する素子は、いわゆるＳＮ
Ｓ接合型のジョセフソン素子として動作する。近年、こ
のようなＳＮＳ接合素子において、超電導体として Y系
に代表される希土類系の酸化物超電導体を用いることが
試みられており、薄い常伝導体層を Y系酸化物超電導体
層で挟むサンドイッチ構造が多数試作されている。上述
したようなサンドイッチ構造の超電導素子を作製する場
合には、まず基板上に下部超電導電極となる Y系酸化物
超電導体薄膜を成膜し、その上に常伝導体薄膜と上部超
電導電極となる Y系酸化物超電導体薄膜とを順に成膜し
ている。ところで、上記した下部超電導電極層において
は、通常、高温に加熱(700℃程度）された基板上に成膜
しているため、膜表面の凹凸が激しくなるという問題が
生じている。しかも、超電導電極層はある程度の厚さを
必要とするため、上述した表面荒れがより顕著に現れ、
一層重要な問題となっている。
【０００３】ここで、 Y系酸化物超電導体薄膜の表面性
を改善する方策としては、その電極形成時の基板温度を
低く設定することがまず挙げられるが、この方法では超
電導電極の超電導転移温度Ｔc が基板温度の低下と共に
急激に低下し、ジョセフソン接合素子を液体窒素温度で
動作させることが不可能となってしまう。また、超電導
電極層の厚さを薄くして、ジョセフソン接合全体の厚さ
を薄くすることも、表面性改善の方策としては効果的で
あるが、成膜後の種々の加工、例えば下部電極を加工す
る等のプロセスが非常に困難となってしまい、この方法
も現実的なものとは言えない。
を改善する方策としては、その電極形成時の基板温度を
低く設定することがまず挙げられるが、この方法では超
電導電極の超電導転移温度Ｔc が基板温度の低下と共に
急激に低下し、ジョセフソン接合素子を液体窒素温度で
動作させることが不可能となってしまう。また、超電導
電極層の厚さを薄くして、ジョセフソン接合全体の厚さ
を薄くすることも、表面性改善の方策としては効果的で
あるが、成膜後の種々の加工、例えば下部電極を加工す
る等のプロセスが非常に困難となってしまい、この方法
も現実的なものとは言えない。
【０００４】ＳＮＳ接合型の超電導素子では、中間層と
なるＮ層をＳＩＳ接合のＩ層に比べて厚くすることが可
能であるため、両電極間のショートの問題は幾分軽減さ
れるものの、各層間の界面の不均一や超電導電極間のシ
ョートは依然として起こり易い状態にある。これらの問
題は、いずれも Y系酸化物超電導体薄膜の表面性に依存
しており、上述したように、 Y系酸化物超電導体薄膜の
表面荒れが起こりやすい現状においては、ショート等の
ない均一なサンドイッチ構造を作製することは困難であ
った。
なるＮ層をＳＩＳ接合のＩ層に比べて厚くすることが可
能であるため、両電極間のショートの問題は幾分軽減さ
れるものの、各層間の界面の不均一や超電導電極間のシ
ョートは依然として起こり易い状態にある。これらの問
題は、いずれも Y系酸化物超電導体薄膜の表面性に依存
しており、上述したように、 Y系酸化物超電導体薄膜の
表面荒れが起こりやすい現状においては、ショート等の
ない均一なサンドイッチ構造を作製することは困難であ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、 Y系
酸化物超電導体薄膜の表面には、高温での成膜工程中に
激しい凹凸が生じるため、これを超電導電極としてジョ
セフソン接合を作製した場合、両超電導電極間のマイク
ロショートの発生率が高く、実用に供し得るジョセフソ
ン接合素子を再現性よく作製することは非常に困難を伴
うものであった。このようなことから、超電導体として
Y系等の酸化物超電導体を用いてＳＮＳ型接合を構成す
る場合において、 Y系酸化物超電導体の表面性を改善す
ることによって、液体窒素温度以上のＴc が得られよう
な温度に加熱した基板上に、表面平滑性に優れた Y系酸
化物超電導体薄膜の形成を可能にすることが強く望まれ
ている。
酸化物超電導体薄膜の表面には、高温での成膜工程中に
激しい凹凸が生じるため、これを超電導電極としてジョ
セフソン接合を作製した場合、両超電導電極間のマイク
ロショートの発生率が高く、実用に供し得るジョセフソ
ン接合素子を再現性よく作製することは非常に困難を伴
うものであった。このようなことから、超電導体として
Y系等の酸化物超電導体を用いてＳＮＳ型接合を構成す
る場合において、 Y系酸化物超電導体の表面性を改善す
ることによって、液体窒素温度以上のＴc が得られよう
な温度に加熱した基板上に、表面平滑性に優れた Y系酸
化物超電導体薄膜の形成を可能にすることが強く望まれ
ている。
【０００６】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、希土類系酸化物超電導体を用いた超
電導電極層の表面性を改善することによって、超電導電
極間のマイクロショートの発生を確実に防止することを
可能にした、信頼性の高い超電導素子を提供することを
目的としている。
になされたもので、希土類系酸化物超電導体を用いた超
電導電極層の表面性を改善することによって、超電導電
極間のマイクロショートの発生を確実に防止することを
可能にした、信頼性の高い超電導素子を提供することを
目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の超電導素子は、
基板上に設けられたＲＥ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導
体（ただし、ＲＥはＰｒを除く希土類元素から選ばれた
少なくとも１種の元素を、ＭはＳｒおよびＢａから選ば
れた少なくとも１種の元素を示す）からなる下部超電導
層と、この下部超電導層上に非超電導層を介して設けら
れたＲＥ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体からなる上部
超電導層との積層構造を有する超電導素子において、前
記超電導層のうち、少なくとも下部超電導層は、 一般式：ＲＥａＭｂＣｕｃＯ７−ｘ ………（１） （式中、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ１．０５＜ａ＜１．
１５、１．９５＜ｂ＜２．０５、２．９５≦ｃ≦３．０
５、６．０５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦６．１５を満足する数を示
し、ｘは０より大きく１より小さい数で、酸素欠陥を表
す）で組成が実質的に表される酸化物超電導体により構
成されていることを特徴としている。
基板上に設けられたＲＥ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導
体（ただし、ＲＥはＰｒを除く希土類元素から選ばれた
少なくとも１種の元素を、ＭはＳｒおよびＢａから選ば
れた少なくとも１種の元素を示す）からなる下部超電導
層と、この下部超電導層上に非超電導層を介して設けら
れたＲＥ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体からなる上部
超電導層との積層構造を有する超電導素子において、前
記超電導層のうち、少なくとも下部超電導層は、 一般式：ＲＥａＭｂＣｕｃＯ７−ｘ ………（１） （式中、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ１．０５＜ａ＜１．
１５、１．９５＜ｂ＜２．０５、２．９５≦ｃ≦３．０
５、６．０５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦６．１５を満足する数を示
し、ｘは０より大きく１より小さい数で、酸素欠陥を表
す）で組成が実質的に表される酸化物超電導体により構
成されていることを特徴としている。
【０００８】
【作用】一般に、サンドイッチ構造のジョセフソン接合
の良否は、これを構成する超電導電極の形成状態如何に
かかっている。すなわち、超電導電極層の表面が平滑で
あることが、上下の超電導電極間のマイクロショートを
なくす条件となる。ここで、本発明の超電導素子におい
ては、少なくとも下部超電導層として、上記 (1)式で組
成が実質的に表される、RE元素（希土類元素）量を化学
量論組成よりも多くした酸化物超電導体を用いている。
このように、RE系酸化物超電導体薄膜のRE元素濃度を化
学量論組成よりも高く設定することにより、表面性を極
めて有効に改善することができ、良好な超電導特性が得
られうる温度以上に加熱した基板であっても、表面平滑
性に優れたRE系酸化物超電導体薄膜を得ることができ
る。そして、下部超電導層の表面平滑性を確保すること
により、その上に順に積層される非超電導層および上部
超電導層も平滑な状態で形成することができる。しか
も、非超電導層となる例えばペロブスカイト型常伝導酸
化物等との積層においても、上記した化学量論組成から
のずれは何等問題とならず、超電導層を厚く形成した場
合でも、極めて良好な表面性が維持される。これらによ
って、上述したマイクロショートの発生を安定して防止
することが可能となる。
の良否は、これを構成する超電導電極の形成状態如何に
かかっている。すなわち、超電導電極層の表面が平滑で
あることが、上下の超電導電極間のマイクロショートを
なくす条件となる。ここで、本発明の超電導素子におい
ては、少なくとも下部超電導層として、上記 (1)式で組
成が実質的に表される、RE元素（希土類元素）量を化学
量論組成よりも多くした酸化物超電導体を用いている。
このように、RE系酸化物超電導体薄膜のRE元素濃度を化
学量論組成よりも高く設定することにより、表面性を極
めて有効に改善することができ、良好な超電導特性が得
られうる温度以上に加熱した基板であっても、表面平滑
性に優れたRE系酸化物超電導体薄膜を得ることができ
る。そして、下部超電導層の表面平滑性を確保すること
により、その上に順に積層される非超電導層および上部
超電導層も平滑な状態で形成することができる。しか
も、非超電導層となる例えばペロブスカイト型常伝導酸
化物等との積層においても、上記した化学量論組成から
のずれは何等問題とならず、超電導層を厚く形成した場
合でも、極めて良好な表面性が維持される。これらによ
って、上述したマイクロショートの発生を安定して防止
することが可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の超電導素子の実施例を説明す
る。
る。
【００１０】図１は、本発明による Y系酸化物超電導体
層（Ｓ層）／Ｎ層／ Y系酸化物超電導体層（Ｓ層）のサ
ンドイッチ構造を適用した一実施例の超電導素子の断面
構造を示す図である。同図において、１は絶縁性基板で
あり、この絶縁性基板１としては MgO、 SrTiO3 、YSZ
(Y-stabilized Zirconia)、 LaAlO3 、 LaGaO3 、NdGaO
3 、LaSr GaO4 等の酸化物単結晶基板が例示される。
層（Ｓ層）／Ｎ層／ Y系酸化物超電導体層（Ｓ層）のサ
ンドイッチ構造を適用した一実施例の超電導素子の断面
構造を示す図である。同図において、１は絶縁性基板で
あり、この絶縁性基板１としては MgO、 SrTiO3 、YSZ
(Y-stabilized Zirconia)、 LaAlO3 、 LaGaO3 、NdGaO
3 、LaSr GaO4 等の酸化物単結晶基板が例示される。
【００１１】上記絶縁性基板１上には、下側の主電極部
となる下部超電導層２として、希土類元素量を化学量論
組成よりも多く設定した、下記の (1)式で実質的に組成
が表されるRE系酸化物超電導体膜が形成されている。
となる下部超電導層２として、希土類元素量を化学量論
組成よりも多く設定した、下記の (1)式で実質的に組成
が表されるRE系酸化物超電導体膜が形成されている。
【００１２】 一般式：ＲＥａＭｂＣｕｃＯ７−ｘ ………（１） （式中、ＲＥはＰｒを除く希土類元素、すなわちＹ、Ｌ
ａ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選ばれた少な
くとも１種の元素を、ＭはＳｒおよびＢａから選ばれた
少なくとも１種の元素を、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ
１．０５＜ａ＜１．１５、１．９５＜ｂ＜２．０５、
２．９５≦ｃ≦３．０５、６．０５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦６．
１５を満足する数を示し、ｘは０より大きく１より小さ
い数で、酸素欠陥を表す）上記した希土類リッチのＲＥ
系酸化物超電導体膜２は、例えば７００℃前後に加熱し
た絶縁性基板１上に、マグネトロンスパッタ法等によっ
て成膜することができ、このような製造条件下において
も、表面平滑性に優れた薄膜として得ることができる。
なお、上記ＲＥ系酸化物超電導体膜２の成膜時の基板温
度は６５０℃〜７５０℃程度に設定することが好まし
い。
ａ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素から選ばれた少な
くとも１種の元素を、ＭはＳｒおよびＢａから選ばれた
少なくとも１種の元素を、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ
１．０５＜ａ＜１．１５、１．９５＜ｂ＜２．０５、
２．９５≦ｃ≦３．０５、６．０５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦６．
１５を満足する数を示し、ｘは０より大きく１より小さ
い数で、酸素欠陥を表す）上記した希土類リッチのＲＥ
系酸化物超電導体膜２は、例えば７００℃前後に加熱し
た絶縁性基板１上に、マグネトロンスパッタ法等によっ
て成膜することができ、このような製造条件下において
も、表面平滑性に優れた薄膜として得ることができる。
なお、上記ＲＥ系酸化物超電導体膜２の成膜時の基板温
度は６５０℃〜７５０℃程度に設定することが好まし
い。
【００１３】ここで、上記（１）式におけるａの値が
１．０５以下であると、ＲＥ元素の増量による表面性改
善効果が十分に得られず、また１．１５以上であると超
電導特性に悪影響を及ぼすおそれがある。また、ｂおよ
びＣの値は、通常のＲＥ系酸化物超電導体と同様な値、
すなわちｂは１．９５〜２．０５の範囲、ｃは２．９５
〜３．０５の範囲とするが、陽イオンの量が少なすぎて
も、また多すぎても超電導特性に悪影響を及ぼすため、
ＲＥ元素とＭ元素とＣｕのモル比の総和が６．０５〜
６．１５の範囲となるように、ＲＥ元素量に応じてＭ元
素とＣｕの量を設定するものとする。
１．０５以下であると、ＲＥ元素の増量による表面性改
善効果が十分に得られず、また１．１５以上であると超
電導特性に悪影響を及ぼすおそれがある。また、ｂおよ
びＣの値は、通常のＲＥ系酸化物超電導体と同様な値、
すなわちｂは１．９５〜２．０５の範囲、ｃは２．９５
〜３．０５の範囲とするが、陽イオンの量が少なすぎて
も、また多すぎても超電導特性に悪影響を及ぼすため、
ＲＥ元素とＭ元素とＣｕのモル比の総和が６．０５〜
６．１５の範囲となるように、ＲＥ元素量に応じてＭ元
素とＣｕの量を設定するものとする。
【００１４】このようなRE系酸化物超電導体からなる下
部超電導層２上には、近接効果層として接続部を構成す
る非超電導層、例えば常伝導層３として、ペロブスカイ
ト酸化物膜が設けられている。この常伝導層３の構成材
料としては、超電導層２（４）と積層形成することか
ら、上記RE系酸化物超電導体と格子定数が近い酸化物を
用いることが好ましい。これにより、整合性に優れた積
層構造が得られる。
部超電導層２上には、近接効果層として接続部を構成す
る非超電導層、例えば常伝導層３として、ペロブスカイ
ト酸化物膜が設けられている。この常伝導層３の構成材
料としては、超電導層２（４）と積層形成することか
ら、上記RE系酸化物超電導体と格子定数が近い酸化物を
用いることが好ましい。これにより、整合性に優れた積
層構造が得られる。
【００１５】上記ペロブスカイト酸化物としては、一般
的な ABO3 で表される導電性酸化物やRE系酸化物超電導
体のREの少なくとも一部をPrで置換した酸化物等が例示
される。これらペロブスカイト酸化物のうち、特に、パ
ウリ常磁性を示し、かつ金属的電気伝導性を示す酸化物
を用いることが好ましい。このようなペロブスカイト酸
化物を用いることにより、強い超電導近接効果が実現で
き、かつ磁気モーメントによるクーパー対のブレーキン
グも起こらないため、液体窒素温度にて常伝導層３を通
して超電導電流を十分に流すことができる。これによ
り、明瞭なＳＮＳ型のジョセフソン特性を液体窒素温度
でより再現性よく得ることが可能となる。上記したパウ
リ常磁性を示し、かつ金属的電気伝導性を示すペロブス
カイト酸化物としては、例えば LaNiO3 、 LaTiO3 、 S
rCrO3 、 SrIrO3 等が挙げられる。このような常伝導層
３上には、上側の主電極部となる上部超電導層４とし
て、RE-M-Cu-O系酸化物超電導体膜が形成されている。
この上部超電導層４となるRE系酸化物超電導体として
は、下部超電導層２と同様な希土類リッチの酸化物超電
導体を用いてもよいし、また化学量論組成を基本とする
RE系酸化物超電導体（上記 (1)式における aの値を0.95
〜1.05程度としたもの）を用いてもよい。なお、例えば
SQUID素子に利用されるジョセフソン接合のように、Ｓ
ＮＳ型のサンドイッチ構造を複数繰り返して超電導素子
を構成する場合には、上部超電導層４としても希土類リ
ッチのRE系酸化物超電導体を用いることが好ましい。
的な ABO3 で表される導電性酸化物やRE系酸化物超電導
体のREの少なくとも一部をPrで置換した酸化物等が例示
される。これらペロブスカイト酸化物のうち、特に、パ
ウリ常磁性を示し、かつ金属的電気伝導性を示す酸化物
を用いることが好ましい。このようなペロブスカイト酸
化物を用いることにより、強い超電導近接効果が実現で
き、かつ磁気モーメントによるクーパー対のブレーキン
グも起こらないため、液体窒素温度にて常伝導層３を通
して超電導電流を十分に流すことができる。これによ
り、明瞭なＳＮＳ型のジョセフソン特性を液体窒素温度
でより再現性よく得ることが可能となる。上記したパウ
リ常磁性を示し、かつ金属的電気伝導性を示すペロブス
カイト酸化物としては、例えば LaNiO3 、 LaTiO3 、 S
rCrO3 、 SrIrO3 等が挙げられる。このような常伝導層
３上には、上側の主電極部となる上部超電導層４とし
て、RE-M-Cu-O系酸化物超電導体膜が形成されている。
この上部超電導層４となるRE系酸化物超電導体として
は、下部超電導層２と同様な希土類リッチの酸化物超電
導体を用いてもよいし、また化学量論組成を基本とする
RE系酸化物超電導体（上記 (1)式における aの値を0.95
〜1.05程度としたもの）を用いてもよい。なお、例えば
SQUID素子に利用されるジョセフソン接合のように、Ｓ
ＮＳ型のサンドイッチ構造を複数繰り返して超電導素子
を構成する場合には、上部超電導層４としても希土類リ
ッチのRE系酸化物超電導体を用いることが好ましい。
【００１６】上述した常伝導層３および上部超電導層４
は、下部超電導層２の形成に引き続き、同一装置内にお
いて大気に晒すことなく連続的に、例えばマグネトロン
スパッタ法等により形成することが重要である。これに
より、界面の均一性に優れた積層構造を安定して得るこ
とが可能となる。
は、下部超電導層２の形成に引き続き、同一装置内にお
いて大気に晒すことなく連続的に、例えばマグネトロン
スパッタ法等により形成することが重要である。これに
より、界面の均一性に優れた積層構造を安定して得るこ
とが可能となる。
【００１７】そして、この実施例の超電導素子において
は、希土類リッチのRE系酸化物超電導体膜２／常伝導層
３／RE系酸化物超電導体膜４によるサンドイッチ構造に
より、ジョセフソン接合が構成されている。なお、上部
超電導層４上には、絶縁膜５を介して、上部超電導層４
への配線６が設けられている。また、この素子の電流−
電圧特性を測定する際に、上部超電導層４の電流と電圧
端子の分離を図るため、接合部上の配線層６に楔状の切
れ込み６ａを設けている。このような構造は、通常の光
学露光工程を用いて形成することができる。
は、希土類リッチのRE系酸化物超電導体膜２／常伝導層
３／RE系酸化物超電導体膜４によるサンドイッチ構造に
より、ジョセフソン接合が構成されている。なお、上部
超電導層４上には、絶縁膜５を介して、上部超電導層４
への配線６が設けられている。また、この素子の電流−
電圧特性を測定する際に、上部超電導層４の電流と電圧
端子の分離を図るため、接合部上の配線層６に楔状の切
れ込み６ａを設けている。このような構造は、通常の光
学露光工程を用いて形成することができる。
【００１８】次に、上記構成の超電導素子の具体例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１９】実施例１ まず、 700℃に加熱した SrTiO3 (100) 基板１上に、マ
グネトロンスパッタ法により下部超電導層２、常伝導層
３および上部超電導層４を連続して順に積層形成した。
各層の膜厚は 300nm、 50nm 、 200nmとした。また、下
部超電導層２および上部超電導層４としては、 Y1.09Ba
2 Cu3 O7-x 組成の Y系酸化物超電導体膜を用い、また
常伝導層３としては LaNiO3 膜を用いた。この後、上記
積層構造体を用いると共に、通常の光学露光工程と絶縁
膜５および金配線層６の形成とを組み合せて、接合面積
10μm ×10μm の超電導素子を作製した。
グネトロンスパッタ法により下部超電導層２、常伝導層
３および上部超電導層４を連続して順に積層形成した。
各層の膜厚は 300nm、 50nm 、 200nmとした。また、下
部超電導層２および上部超電導層４としては、 Y1.09Ba
2 Cu3 O7-x 組成の Y系酸化物超電導体膜を用い、また
常伝導層３としては LaNiO3 膜を用いた。この後、上記
積層構造体を用いると共に、通常の光学露光工程と絶縁
膜５および金配線層６の形成とを組み合せて、接合面積
10μm ×10μm の超電導素子を作製した。
【００２０】このようにして得たいくつかの超電導素子
の液体窒素温度での電流−電圧特性を測定し、超電導電
流が流れるか否か、またこの際に接合に平行に磁場を印
加し、超電導電流の磁場強度による変化を測定した。そ
の結果、いずれも超電導電流が観測され、図２に示すよ
うな電流−電圧特性が観測された。これらの接合の典型
的な（臨界電流）×（ノーマル抵抗）の値、すなわち出
力電圧はおよそ 100μV であった。また、接合を流れる
臨界電流は、磁場に対して図３に示すようなジョセフソ
ン接合に特有な変化を示した。
の液体窒素温度での電流−電圧特性を測定し、超電導電
流が流れるか否か、またこの際に接合に平行に磁場を印
加し、超電導電流の磁場強度による変化を測定した。そ
の結果、いずれも超電導電流が観測され、図２に示すよ
うな電流−電圧特性が観測された。これらの接合の典型
的な（臨界電流）×（ノーマル抵抗）の値、すなわち出
力電圧はおよそ 100μV であった。また、接合を流れる
臨界電流は、磁場に対して図３に示すようなジョセフソ
ン接合に特有な変化を示した。
【００２１】図２において、臨界電流値付近の電圧発生
部で電流−電圧曲線が縦軸（電流軸）にほぼ垂直になっ
ており、これは同図の超電導電流がショートによるもの
ではなく、ジョセフソン電流であることを証明してい
る。また、図３における超電導電流の磁場による振動で
は、完全な零電流が磁場に対して周期的に現れており、
これも接合の上下の超電導電極間を流れる超電導電流が
全てジョセフソン電流であり、ショート電流ではないこ
との直接的な証拠を与えるものである。
部で電流−電圧曲線が縦軸（電流軸）にほぼ垂直になっ
ており、これは同図の超電導電流がショートによるもの
ではなく、ジョセフソン電流であることを証明してい
る。また、図３における超電導電流の磁場による振動で
は、完全な零電流が磁場に対して周期的に現れており、
これも接合の上下の超電導電極間を流れる超電導電流が
全てジョセフソン電流であり、ショート電流ではないこ
との直接的な証拠を与えるものである。
【００２２】これらのことから、ＳＮＳ接合の超電導層
として、化学量論組成よりも Y濃度が高い Y系酸化物超
電導体を用いることにより、接合の両電極間のショート
の発生を防止した、実用上十分な信頼性を有する超電導
素子が再現性よく得られることが分かる。また、常伝導
層３として、パウリ常磁性を示す導電性のペロブスカイ
ト酸化物を用いることにより、液体窒素温度で実用に耐
え得る臨界電流が安定して得られることが分かる。
として、化学量論組成よりも Y濃度が高い Y系酸化物超
電導体を用いることにより、接合の両電極間のショート
の発生を防止した、実用上十分な信頼性を有する超電導
素子が再現性よく得られることが分かる。また、常伝導
層３として、パウリ常磁性を示す導電性のペロブスカイ
ト酸化物を用いることにより、液体窒素温度で実用に耐
え得る臨界電流が安定して得られることが分かる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の超電導素
子によれば、表面平滑性に優れたRE系酸化物超電導体を
少なくとも下部超電導層として用いているため、超電導
電極間のマイクロショートの発生を確実に防止すること
が可能となる。これにより、液体窒素温度のような高温
で安定に動作し得る信頼性の高い超電導素子を再現性よ
く提供することが可能となる。本発明による超電導素子
は、超電導磁束量子干渉計やジョセフソン集積回路を実
現する基本構成要素として好適であり、産業上多大の寄
与をすることが期待される。
子によれば、表面平滑性に優れたRE系酸化物超電導体を
少なくとも下部超電導層として用いているため、超電導
電極間のマイクロショートの発生を確実に防止すること
が可能となる。これにより、液体窒素温度のような高温
で安定に動作し得る信頼性の高い超電導素子を再現性よ
く提供することが可能となる。本発明による超電導素子
は、超電導磁束量子干渉計やジョセフソン集積回路を実
現する基本構成要素として好適であり、産業上多大の寄
与をすることが期待される。
【図１】本発明の一実施例による超電導素子の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の一実施例によって得られた超電導素子
の電流−電圧特性を示す図である。
の電流−電圧特性を示す図である。
【図３】本発明の一実施例によって得られた超電導素子
の臨界電流の印加磁界依存性を示す図である。
の臨界電流の印加磁界依存性を示す図である。
１……絶縁性基板 ２……下部超電導層 ３……常伝導層 ４……上部超電導層 ５……絶縁層 ６……配線層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−78282（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−99269（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−166412（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 39/00 H01L 39/22 - 39/24
Claims (1)
- 【請求項１】 ＲＥ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体
（ただし、ＲＥはＰｒを除く希土類元素から選ばれた少
なくとも１種の元素を、ＭはＳｒおよびＢａから選ばれ
た少なくとも１種の元素を示す）からなる下部超電導層
と、この下部超電導層上に非超電導層を介して設けられ
たＲＥ−Ｍ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体からなる上部超
電導層との積層構造を有する超電導素子において、 前記超電導層のうち、少なくとも下部超電導層は、 一般式：ＲＥａＭｂＣｕｃＯ７−ｘ （式中、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ１．０５＜ａ＜１．
１５、１．９５＜ｂ＜２．０５、２．９５≦ｃ≦３．０
５、６．０５≦ａ＋ｂ＋ｃ≦６．１５を満足する数を示
し、ｘは０より大きく１より小さい数で、酸素欠陥を表
す）で組成が実質的に表される酸化物超電導体により構
成されていることを特徴とする超電導素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071471A JP2825391B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 超電導素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071471A JP2825391B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 超電導素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275758A JPH05275758A (ja) | 1993-10-22 |
| JP2825391B2 true JP2825391B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=13461563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4071471A Expired - Fee Related JP2825391B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 超電導素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2825391B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2545422B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1996-10-16 | 住友電気工業株式会社 | 複合酸化物超電導薄膜とその作製方法 |
| JPH0199269A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導体トンネル接合およびその形成方法 |
| JPH0278282A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン素子 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4071471A patent/JP2825391B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05275758A (ja) | 1993-10-22 |
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