JPH104223A - 酸化物超電導体ジョセフソン素子 - Google Patents
酸化物超電導体ジョセフソン素子Info
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- JPH104223A JPH104223A JP8156627A JP15662796A JPH104223A JP H104223 A JPH104223 A JP H104223A JP 8156627 A JP8156627 A JP 8156627A JP 15662796 A JP15662796 A JP 15662796A JP H104223 A JPH104223 A JP H104223A
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Classifications
-
- Y02E40/642—
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高速の超電導回路、高感度の磁場センサや電
磁波検出器に用いられるジョセフソン素子を提供する。 【解決手段】 ＳｒＴｉＯ3単結晶基板１０上にレーザ
磨滅法で酸化物超電導体のＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7（ＮＢＣ
Ｏ）薄膜２０を形成した後、真空中でトンネル障壁とな
る非超電導体のＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7（ＰＢＣＯ）薄膜を
同一真空室内にあるその多結晶体から作成する。薄膜作
成条件は両者ほぼ同じで、基板温度は７９０℃、Ｏ2分
圧１００ｍＴｒ、５分間で膜厚８０ｎｍとなる。これを
交互に５回繰返してＮＢＣＯ／ＰＢＣＯ多層膜３０を作
成した。次にリソグラフィとＡｒＲＩＥ法により１０μ
ｍ角の接合部１００及び下部電極を残して除去した後、
フォトレジスト８０で絶縁膜を形成し、これを部分的に
除去し金層５０電極を蒸着形成する。さらに金電極にワ
イヤボンデイングして４端子法で電流電圧特性を測定可
能にする。
磁波検出器に用いられるジョセフソン素子を提供する。 【解決手段】 ＳｒＴｉＯ3単結晶基板１０上にレーザ
磨滅法で酸化物超電導体のＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7（ＮＢＣ
Ｏ）薄膜２０を形成した後、真空中でトンネル障壁とな
る非超電導体のＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7（ＰＢＣＯ）薄膜を
同一真空室内にあるその多結晶体から作成する。薄膜作
成条件は両者ほぼ同じで、基板温度は７９０℃、Ｏ2分
圧１００ｍＴｒ、５分間で膜厚８０ｎｍとなる。これを
交互に５回繰返してＮＢＣＯ／ＰＢＣＯ多層膜３０を作
成した。次にリソグラフィとＡｒＲＩＥ法により１０μ
ｍ角の接合部１００及び下部電極を残して除去した後、
フォトレジスト８０で絶縁膜を形成し、これを部分的に
除去し金層５０電極を蒸着形成する。さらに金電極にワ
イヤボンデイングして４端子法で電流電圧特性を測定可
能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速な超電導回
路、高感度の磁場センサあるいは電磁波検出器に用いら
れるジョセフソン素子に関するものである。
路、高感度の磁場センサあるいは電磁波検出器に用いら
れるジョセフソン素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超電導トンネル接合は量子効果が現れる
もので、量子現象を電子デバイスに応用する上で有力な
候補になっている。従来、トンネル型ジョセフソン素子
は、Ｐｂ，Ｎｂ，ＮｂＮ等の超電導材料を用いて形成さ
れていた。トンネル障壁としては、超電導材料の酸化物
であるＰｂＯ，Ｎｂ2Ｏ3等、または、超電導材料とは異
なる物質、例えばＡｌ，Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＳｉＯ2等
が用いられてきた。このような材料構成のトンネル型ジ
ョセフソン素子においては、良好な特性が得られ、超電
導メモリ、論理回路、磁場センサ、ミリ波検出への応用
が進みつつある。しかし、このような材料系においては
超電導臨界温度が１５Ｋ以下と低く、極低温への冷却を
必要とし、冷却に要するコスト、設備は大きく、簡単に
使用することは難しい状態であった。
もので、量子現象を電子デバイスに応用する上で有力な
候補になっている。従来、トンネル型ジョセフソン素子
は、Ｐｂ，Ｎｂ，ＮｂＮ等の超電導材料を用いて形成さ
れていた。トンネル障壁としては、超電導材料の酸化物
であるＰｂＯ，Ｎｂ2Ｏ3等、または、超電導材料とは異
なる物質、例えばＡｌ，Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＳｉＯ2等
が用いられてきた。このような材料構成のトンネル型ジ
ョセフソン素子においては、良好な特性が得られ、超電
導メモリ、論理回路、磁場センサ、ミリ波検出への応用
が進みつつある。しかし、このような材料系においては
超電導臨界温度が１５Ｋ以下と低く、極低温への冷却を
必要とし、冷却に要するコスト、設備は大きく、簡単に
使用することは難しい状態であった。
【０００３】ところで、酸化物超電導体等で、超電導臨
界温度が液体窒素温度以上の超電導材料が開発され、安
価な冷却手段による利用が可能になってきた。そこでト
ンネル型ジョセフソン素子を目指した研究が進められ
た。特に、高Ｔｃの酸化物超電導体ではその結晶構造自
体が層状でありイントリンシック接合特性が観測された
り、超電導機構との関係からも積層薄膜は多くの研究が
なされている。
界温度が液体窒素温度以上の超電導材料が開発され、安
価な冷却手段による利用が可能になってきた。そこでト
ンネル型ジョセフソン素子を目指した研究が進められ
た。特に、高Ｔｃの酸化物超電導体ではその結晶構造自
体が層状でありイントリンシック接合特性が観測された
り、超電導機構との関係からも積層薄膜は多くの研究が
なされている。
【０００４】しかし人工的に作製する酸化物超電導材料
を用いたジョセフソン素子は特性制御の難しい弱結合型
での作製の報告はあるものの、制御性の良好なトンネル
型での作製の報告はない。これは酸化物超電導薄膜の作
製温度が６００℃と高く障壁層との相互拡散による劣
化、加えてコヒーレント長が短いことにより超電導電極
間の結合が弱くなることによると考えられている。
を用いたジョセフソン素子は特性制御の難しい弱結合型
での作製の報告はあるものの、制御性の良好なトンネル
型での作製の報告はない。これは酸化物超電導薄膜の作
製温度が６００℃と高く障壁層との相互拡散による劣
化、加えてコヒーレント長が短いことにより超電導電極
間の結合が弱くなることによると考えられている。
【０００５】積層構造を実現するには同種の材料を組み
合わせることが結晶成長上有利となる。このためＹＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-δを代表例とする１２３構造の超電導体に対
しては、ほぼ同じ結晶構造をもつにもかかわらず超電導
性を示さないＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7が選択され多数の作製
結果が報告されている。ただし、従来ほとんど大部分は
超電導体層として高品質薄膜堆積法の確立したＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-δが選択され作成されたものであった。
合わせることが結晶成長上有利となる。このためＹＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-δを代表例とする１２３構造の超電導体に対
しては、ほぼ同じ結晶構造をもつにもかかわらず超電導
性を示さないＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7が選択され多数の作製
結果が報告されている。ただし、従来ほとんど大部分は
超電導体層として高品質薄膜堆積法の確立したＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-δが選択され作成されたものであった。
【０００６】しかしＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δでは基板とのミ
スフィット歪による螺旋転位が多く観測され表面平坦性
に加えて安定性に問題があった。加えてＰｒＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7とは格子整合性はあまりよくない。酸化物超電導体
では、格子歪により酸素欠損量が増加し超電導特性を劣
化させるが知られている。実際ＳｒＴｉＯ3単結晶基板
上のａ軸配向膜のＴｃは歪の効果により低く抑えられて
いる。このようにしてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δとＰｒＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7の多層膜では内部に応力が蓄積され高品質の超
電導特性を得ることが困難である。
スフィット歪による螺旋転位が多く観測され表面平坦性
に加えて安定性に問題があった。加えてＰｒＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7とは格子整合性はあまりよくない。酸化物超電導体
では、格子歪により酸素欠損量が増加し超電導特性を劣
化させるが知られている。実際ＳｒＴｉＯ3単結晶基板
上のａ軸配向膜のＴｃは歪の効果により低く抑えられて
いる。このようにしてＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δとＰｒＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7の多層膜では内部に応力が蓄積され高品質の超
電導特性を得ることが困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は非超電導体の
ＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7層を中心にそれと近い格子定数をも
つ超電導体例えばＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7を選択し、内部応
力の小さい従って高Ｔｃとなる積層構造を実現し、酸化
物超電導体薄膜でトンネル型特性を得たものである。
ＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7層を中心にそれと近い格子定数をも
つ超電導体例えばＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7を選択し、内部応
力の小さい従って高Ｔｃとなる積層構造を実現し、酸化
物超電導体薄膜でトンネル型特性を得たものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のジョセフソン素
子の接合部は、酸化物超電導体薄膜層と非超電導体薄膜
層とを交互に堆層した積層構造を備え、酸化物超電導体
の材料と非超電導体の材料は、酸化物超電導体薄膜層と
非超電導体薄膜層の間の界面に生ずる歪が実質的に無歪
となる材料系の組み合わせから選択されるものである。
両者の格子定数の整合性が極めて良いため、格子の内部
歪の小さい超電導特性に優れ界面での特性変化が鋭い構
造となり電流電圧特性に履歴が見える接合が得られる。
子の接合部は、酸化物超電導体薄膜層と非超電導体薄膜
層とを交互に堆層した積層構造を備え、酸化物超電導体
の材料と非超電導体の材料は、酸化物超電導体薄膜層と
非超電導体薄膜層の間の界面に生ずる歪が実質的に無歪
となる材料系の組み合わせから選択されるものである。
両者の格子定数の整合性が極めて良いため、格子の内部
歪の小さい超電導特性に優れ界面での特性変化が鋭い構
造となり電流電圧特性に履歴が見える接合が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施例について説明す
る。ここでは代表例を述べるもので、これによって請求
範囲が限定されるものではない。酸化物超電導体は低キ
ャリア濃度であるため、その電気特性は正孔キャリアを
供給する酸素の含有量に強く依存する。ところでこの酸
素量は格子歪と強く関係ずけられている。したがって歪
が加わった状態では酸素欠損が生じ超電導特性が劣化す
る。ところで、異なる材料を組み合わせる場合、一般に
格子定数あるいは熱膨張率の差により、接合界面より内
部歪が生じる。これにより機械強度が弱くなるばかりで
なく、酸化物超電導材料では超電導特性が低下してしま
う。したがって、このような積層構造を作る場合には、
この歪をできるだけ小さくし本来の高性能の超電導性を
界面ぎりぎりまで実現することが重要になる。本発明は
この課題に注目し、最適な材料を見出したことにある。
以下実施例に基づいて述べる。
る。ここでは代表例を述べるもので、これによって請求
範囲が限定されるものではない。酸化物超電導体は低キ
ャリア濃度であるため、その電気特性は正孔キャリアを
供給する酸素の含有量に強く依存する。ところでこの酸
素量は格子歪と強く関係ずけられている。したがって歪
が加わった状態では酸素欠損が生じ超電導特性が劣化す
る。ところで、異なる材料を組み合わせる場合、一般に
格子定数あるいは熱膨張率の差により、接合界面より内
部歪が生じる。これにより機械強度が弱くなるばかりで
なく、酸化物超電導材料では超電導特性が低下してしま
う。したがって、このような積層構造を作る場合には、
この歪をできるだけ小さくし本来の高性能の超電導性を
界面ぎりぎりまで実現することが重要になる。本発明は
この課題に注目し、最適な材料を見出したことにある。
以下実施例に基づいて述べる。
【００１０】実施例１ 図１に作製した多層からなる接合構造と作製工程の概略
を示す。まず、図１ａに示すように、ＳｒＴｉＯ3単結
晶基板１０上全面にレーザアブレーション法により酸化
物超電導体であるＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7薄膜２０を作製す
る（以下、ＮＢＣＯと称する）。
を示す。まず、図１ａに示すように、ＳｒＴｉＯ3単結
晶基板１０上全面にレーザアブレーション法により酸化
物超電導体であるＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7薄膜２０を作製す
る（以下、ＮＢＣＯと称する）。
【００１１】薄膜作製条件は、ターゲットとしてＮｄＢ
ａ2Ｃｕ3Ｏ7多結晶体を用い、基板温度は７９０℃、酸
素分圧１００ｍＴｏｒｒ、成長時間５分で膜厚は８０ｎ
ｍである。用いたレーザーはＫｒＦのエキシマレーザー
で波長２４８ｎｍ、エネルギー密度５Ｊ／ｃｍ2であ
る。
ａ2Ｃｕ3Ｏ7多結晶体を用い、基板温度は７９０℃、酸
素分圧１００ｍＴｏｒｒ、成長時間５分で膜厚は８０ｎ
ｍである。用いたレーザーはＫｒＦのエキシマレーザー
で波長２４８ｎｍ、エネルギー密度５Ｊ／ｃｍ2であ
る。
【００１２】その後、真空中でトンネル障害となる非超
電導体であるＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7薄膜を作製する（以
下、ＰＢＣＤと称する）。ターゲットとして同一チャン
バー内にあるＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7多結晶体を用いる。薄
膜作製条件は、ＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7とほぼ同じ、基板温
度は７９０℃、酸素分圧１００ｍＴｏｒｒ、成長時間５
分で膜厚は８０ｎｍである。これを交互に繰り返すこと
により多層膜３０を作製した。実施例の場合には５回繰
り返した。
電導体であるＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7薄膜を作製する（以
下、ＰＢＣＤと称する）。ターゲットとして同一チャン
バー内にあるＰｒＢａ2Ｃｕ3Ｏ7多結晶体を用いる。薄
膜作製条件は、ＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7とほぼ同じ、基板温
度は７９０℃、酸素分圧１００ｍＴｏｒｒ、成長時間５
分で膜厚は８０ｎｍである。これを交互に繰り返すこと
により多層膜３０を作製した。実施例の場合には５回繰
り返した。
【００１３】例えば、基板１０に接するＮＢＣＯ層２０
の膜厚は８０ｎｍ、多層膜を構成する最下層のＰＢＣＯ
層の膜厚は８０ｎｍ、その上のＮＢＣＯ層は４５ｎｍ、
その上のＰＢＣＯ層は４５ｎｍ、最上層のＮＢＣＯ層は
８０ｎｍの膜厚を有する。最後に取り出し電極になる金
層５０を蒸着法により全面に堆積する。これらの工程は
界面抵抗の汚染による増加を防ぐためできるだけ真空を
破らずに行われた。
の膜厚は８０ｎｍ、多層膜を構成する最下層のＰＢＣＯ
層の膜厚は８０ｎｍ、その上のＮＢＣＯ層は４５ｎｍ、
その上のＰＢＣＯ層は４５ｎｍ、最上層のＮＢＣＯ層は
８０ｎｍの膜厚を有する。最後に取り出し電極になる金
層５０を蒸着法により全面に堆積する。これらの工程は
界面抵抗の汚染による増加を防ぐためできるだけ真空を
破らずに行われた。
【００１４】次に、通常のフォトリソグラフィおよびＡ
ｒイオンエッチングによって、１０μｍ角の部分１００
および下部電極７０を残し除去した。１０μｍ角の部分
１００が接合となる。この後フォトレジスト８０により
絶縁膜を形成し（図１ｂ）、部分的にこれを除いて（図
１ｃ）、金電極を形成する（図１ｄ）。さらに金電極に
ワイヤをボンディングする（図１ｅ）。これは４端子法
によって電流電圧特性を測定するためのものである。
ｒイオンエッチングによって、１０μｍ角の部分１００
および下部電極７０を残し除去した。１０μｍ角の部分
１００が接合となる。この後フォトレジスト８０により
絶縁膜を形成し（図１ｂ）、部分的にこれを除いて（図
１ｃ）、金電極を形成する（図１ｄ）。さらに金電極に
ワイヤをボンディングする（図１ｅ）。これは４端子法
によって電流電圧特性を測定するためのものである。
【００１５】図２は、第１に示して工程により得られた
試料を用いて４端子法によって電流電圧特性を示す装置
を示す。接合部１００の金電極上に第１の端子２０１を
接触させ、接合部以外の金電極上に第２の端子２０２を
接触させて、電圧計２００で電圧を測定する。接合部１
００の他の金電極上に第３の端子２１１を接触し、接合
部以外の金電極上に第４の端子２１２を接触させて、電
流計２１０で電流を測定する。
試料を用いて４端子法によって電流電圧特性を示す装置
を示す。接合部１００の金電極上に第１の端子２０１を
接触させ、接合部以外の金電極上に第２の端子２０２を
接触させて、電圧計２００で電圧を測定する。接合部１
００の他の金電極上に第３の端子２１１を接触し、接合
部以外の金電極上に第４の端子２１２を接触させて、電
流計２１０で電流を測定する。
【００１６】図３は得られた試料の電気抵抗の温度依存
性を示す。９０Ｋ以下で超電導となっており、良質の接
合１１０を有する薄膜が作製できていることがわかる。
４．２Ｋにおける電流電圧特性を４端子法で測定した結
果を図４及びその拡大図である図５に示す。超電導トン
ネル電流と超電導エネルギーギャップ電圧に対応する５
０ｍＶで電流の急激な増加が見られ、準粒子トンネル特
性が得られていることがわかる。
性を示す。９０Ｋ以下で超電導となっており、良質の接
合１１０を有する薄膜が作製できていることがわかる。
４．２Ｋにおける電流電圧特性を４端子法で測定した結
果を図４及びその拡大図である図５に示す。超電導トン
ネル電流と超電導エネルギーギャップ電圧に対応する５
０ｍＶで電流の急激な増加が見られ、準粒子トンネル特
性が得られていることがわかる。
【００１７】図６は本発明の実施例にかかわる素子に、
９．３ＧＨｚのマイクロ波を照射して電流電圧特性を測
定したものである。超電導電流が減少している。また１
００μＶ程度のところで段差が現れている。この値は
９．３ＧＨｚに対する交流ジョセフソン効果から導かれ
る値（１８μＶ）の約５倍と一致し、シャピロステップ
である。つまりこれはジョセフソン接合を形成している
ということである。
９．３ＧＨｚのマイクロ波を照射して電流電圧特性を測
定したものである。超電導電流が減少している。また１
００μＶ程度のところで段差が現れている。この値は
９．３ＧＨｚに対する交流ジョセフソン効果から導かれ
る値（１８μＶ）の約５倍と一致し、シャピロステップ
である。つまりこれはジョセフソン接合を形成している
ということである。
【００１８】実施例２ 基本的に実施例１と同様の工程により素子が形成され
る。ＳｒＴｉＯ3単結晶基板上全面にスパッタ法により
ＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7薄膜を作製する。薄膜作製条件は、
ターゲットとしてＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7多結晶体を用い、
基板温度は７４０℃、雰囲気圧８４ｍＴｏｒｒ、酸素ガ
ス流量０．５ｓｃｃｍで、アルゴンガス流量１０ｓｃｃ
ｍ、成長時間１０分で膜厚は８０ｎｍである。用いたＲ
Ｆパワーは８０Ｗである。
る。ＳｒＴｉＯ3単結晶基板上全面にスパッタ法により
ＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7薄膜を作製する。薄膜作製条件は、
ターゲットとしてＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7多結晶体を用い、
基板温度は７４０℃、雰囲気圧８４ｍＴｏｒｒ、酸素ガ
ス流量０．５ｓｃｃｍで、アルゴンガス流量１０ｓｃｃ
ｍ、成長時間１０分で膜厚は８０ｎｍである。用いたＲ
Ｆパワーは８０Ｗである。
【００１９】その後、基板上全面にスパッタ法によりＳ
ｃＢａ2Ｃｕ3Ｏ7薄膜を作製する。ターゲットとしてＳ
ｃＢａ2Ｃｕ3Ｏ7多結晶体を用い、基板温度は７４０
℃、雰囲気圧８４ｍＴｏｒｒ、酸素ガス流量０．５ｓｃ
ｃｍで、アルゴンガス流量１０ｓｃｃｍ、成長時間１０
分で膜厚は８０ｎｍである。その上にＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7を上と同じ条件で堆積した。
ｃＢａ2Ｃｕ3Ｏ7薄膜を作製する。ターゲットとしてＳ
ｃＢａ2Ｃｕ3Ｏ7多結晶体を用い、基板温度は７４０
℃、雰囲気圧８４ｍＴｏｒｒ、酸素ガス流量０．５ｓｃ
ｃｍで、アルゴンガス流量１０ｓｃｃｍ、成長時間１０
分で膜厚は８０ｎｍである。その上にＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7を上と同じ条件で堆積した。
【００２０】その後、通常のフォトリソグラフィおよび
Ａｒイオンエッチングによって、１０μｍ角の部分およ
び下部電極を残し除去した。１０μｍ角の部分が接合と
なる。次に絶縁膜を形成し、部分的にこれを除いて、金
電極を形成する。さらに金電極にワイヤをボンディング
する。これは４端子法によって電流電圧特性を測定する
ためのものである。この接合についても実施例１と同様
の電流電圧特性が観測されトンネル型接合が作製できて
いることがわかった。
Ａｒイオンエッチングによって、１０μｍ角の部分およ
び下部電極を残し除去した。１０μｍ角の部分が接合と
なる。次に絶縁膜を形成し、部分的にこれを除いて、金
電極を形成する。さらに金電極にワイヤをボンディング
する。これは４端子法によって電流電圧特性を測定する
ためのものである。この接合についても実施例１と同様
の電流電圧特性が観測されトンネル型接合が作製できて
いることがわかった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
格子不整合性の小さい層から構成されるため内部応力が
なく高品質の超電導トンネル接合が得られる。このた
め、超電導回路を実現する上での基礎技術を提供するも
のである。
格子不整合性の小さい層から構成されるため内部応力が
なく高品質の超電導トンネル接合が得られる。このた
め、超電導回路を実現する上での基礎技術を提供するも
のである。
【図１】作製した多層からなる接合構造と作製工程の概
略を示す図。
略を示す図。
【図２】４端子法によって試料の電流電圧特性を得る装
置の構造図。
置の構造図。
【図３】得られた試料の電気抵抗の温度依存性を示す
図。
図。
【図４】４．２Ｋにおける電流電圧特性を４端子法で測
定した結果を示す。
定した結果を示す。
【図５】図４の拡大図。
【図６】９．３ＧＨｚのマイクロ波を照射した電流電圧
特性を示す図。
特性を示す図。
１０ ＳｒＴｉＯ3基板 ２０ ＮＢＣＯ膜 ３０ ＮＢＣＯ／ＰＢＣＯ膜 ５０ 金層 ８０ フォトレジスト １００ 接合部 ２００ 電圧計 ２１０ 電流計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎本 陽一 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成される接合部は、酸化物超
電導体薄膜層と非超電導体薄膜層とを交互に堆層した積
層構造を備え、 酸化物超電導体の材料と非超電導体の材料は、酸化物超
電導体薄膜層と非超電導体薄膜層の間の界面に生ずる歪
が実質的に無歪となる材料系の組み合わせから選択され
る酸化物超電導体ジョセフソン素子。 - 【請求項２】 基板上に形成される接合部は、酸化物超
電導体薄膜層と非超電導体薄膜層とを交互に積層した積
層構造を備え、 酸化物超電導体は、組成化学式Ｍ′Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7（こ
こでＭ′はＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素あるいはそ
れらの合金）で表わされる酸化物超電導体薄膜であり、 非超電導体は、組成化学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7（ここ
で、Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃあるいはそれらの合金）で表わさ
れる酸化物薄膜であって、両者を交互に堆積した積層構
造を備える酸化物超電導体ジョセフソン素子。 - 【請求項３】 請求項２記載の積層構造は、レーザ堆積
法により形成される酸化物超電導体ジョセフソン素子。 - 【請求項４】 請求項２記載の積層構造は、スパッタ法
により形成される酸化物超電導体ジョセフソン素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8156627A JPH104223A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 酸化物超電導体ジョセフソン素子 |
| US08/814,172 US6011981A (en) | 1996-03-12 | 1997-03-10 | Oxide superconductor multilayered film and oxide superconductor josephson device |
| EP97104057A EP0795914A1 (en) | 1996-03-12 | 1997-03-11 | Oxide superconductor multilayered film and oxide superconductor Josephson device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8156627A JPH104223A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 酸化物超電導体ジョセフソン素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104223A true JPH104223A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15631839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8156627A Pending JPH104223A (ja) | 1996-03-12 | 1996-06-18 | 酸化物超電導体ジョセフソン素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104223A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010099312A3 (en) * | 2009-02-27 | 2010-12-29 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US10454015B2 (en) | 2014-08-13 | 2019-10-22 | D-Wave Systems Inc. | Method of forming superconducting wiring layers with low magnetic noise |
| US11797874B2 (en) | 2018-02-28 | 2023-10-24 | 1372934 B.C. Ltd. | Error reduction and, or, correction in analog computing including quantum processor-based computing |
| US11856871B2 (en) | 2018-11-13 | 2023-12-26 | D-Wave Systems Inc. | Quantum processors |
| US11930721B2 (en) | 2012-03-08 | 2024-03-12 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US11957065B2 (en) | 2017-02-01 | 2024-04-09 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US12035640B2 (en) | 2008-09-03 | 2024-07-09 | 1372934 B. C. Ltd. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP8156627A patent/JPH104223A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12035640B2 (en) | 2008-09-03 | 2024-07-09 | 1372934 B. C. Ltd. | Systems, methods and apparatus for active compensation of quantum processor elements |
| US10453894B2 (en) | 2009-02-25 | 2019-10-22 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US9490296B2 (en) | 2009-02-27 | 2016-11-08 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| WO2010099312A3 (en) * | 2009-02-27 | 2010-12-29 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US9978809B2 (en) | 2009-02-27 | 2018-05-22 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US8951808B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-02-10 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US10991755B2 (en) | 2009-02-27 | 2021-04-27 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| CN102334206A (zh) * | 2009-02-27 | 2012-01-25 | D-波系统公司 | 用于制造超导集成电路的系统及方法 |
| US11930721B2 (en) | 2012-03-08 | 2024-03-12 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US10454015B2 (en) | 2014-08-13 | 2019-10-22 | D-Wave Systems Inc. | Method of forming superconducting wiring layers with low magnetic noise |
| US11957065B2 (en) | 2017-02-01 | 2024-04-09 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US11797874B2 (en) | 2018-02-28 | 2023-10-24 | 1372934 B.C. Ltd. | Error reduction and, or, correction in analog computing including quantum processor-based computing |
| US11856871B2 (en) | 2018-11-13 | 2023-12-26 | D-Wave Systems Inc. | Quantum processors |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060404 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060801 |