KR100388497B1 - 초전도 에피택셜 박막 및 그 제조 방법 - Google Patents

초전도 에피택셜 박막 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 초전도 물질인 MgB2와 (Mg1-XMX)B2(M=Cu,Zn,Be,Na,Li)의 에피택셜 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 육방정계 결정구조(Hexagonal crystal structure)의 단결정 기판이나, 그 구조를 갖는 박막을 밑틀층으로 하여 MgB2와 (Mg1-XMX)B2(M=Cu,Zn,Be,Na,Li)의 에피택셜 박막을 성장하되, 성장 중에 Mg 증기를 흘려서 Mg을 보충하거나, 증착 후에 후 열처리를 Mg 증기 분위기에서 실시한다.

Description

초전도 에피택셜 박막 및 그 제조 방법{METHOD FOR FABRICATION SUPERCONDUCTIVITY EPITAXIAL THIN FILM}
본 발명은 초전도체에 관한 것으로서, 특히 금속간화합물(Intermetallic compound)계 초전도 물질인 MgB2와 (Mg1-XMX)B2(M=Cu,Zn,Be,Na,Li) 에피택셜 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 초전도 박막의 제조는 전자회로 응용을 위한 목적으로 지난 수 십년 동안 활발하게 이루어져 왔다. 특히, 저온 초전도체인 Nb(Tc=9.2K)과 고온 초전도체인 Y1Ba2Cu3O7-x(Tc=93K)를 이용한 박막 제작과 전자회로 응용이 그 주류를 이루어 왔다.
고온 초전도체인 Y1Ba2Cu3O7-x박막은 초전도 전이 온도(Tc)가 액체 질소의 온도(77K) 이상이고, 에너지갭(Energy gap)이 저온 초전도에 비해 커서 고속 전자 회로 응용에 유리한 장점이 있으나, 균일한 접합 제작이 어려워서 집적 회로(Integrated circuit; IC) 제작에는 한계를 가지고 있다.
반면에, 저온 초전도체인 Nb은 접합 제작이 용이하여 고집적 회로 제작에는 이용되고 있으나, 제작된 회로 동작이 액체 헬륨의 온도(4∼5K)에서 이루어지고 있어서 경제적인 면에서의 효용성이 떨어진다.
최근에, 초전도체 물질로서 MgB2를 적용하고 있는데, MgB2는 마그네슘(Magnesium; Mg)과 보론(Boron; B)으로 구성된 금속간화합물계 초전도체로 비교적 조성이 간단하고 초전도 전이 온도도 39K로 높아서 박막 형태로 만들 경우 전자 회로 응용에 유망하다.
MgB2박막으로 전자 회로가 구현되면, 상용의 냉동기(Cryocooler)를 이용하여 15∼20K에서 회로 동작이 가능하고, 4∼5K에서 동작되는 Nb 회로에 비해 4배나 빠른 전자회로가 된다. 회로 동작 온도가 15∼20K이면, 값비싼 액체 질소를 쓰지 않게 되므로 경제적인 면에서 실제적인 전자 소자의 응용 영역이 넓어진다.
이러한 MgB2에 관한 기술은 분말(Powder), 펠렛(Pellet), 선재(Wire) 제작에 관한 기술이 보고되었다.
도 1 및 도 2는 종래기술의 일예에 따라 제조된 MgB2박막의 X선 회절패턴 및 저항-온도 특성 곡선을 나타낸 도면이다.
종래기술의 일예에 따른 MgB2박막의 제조 방법은, 마그네슘(Mg)과 보론(B)을 1:2의 비율로 섞고 고온 등압로(Hot isostatic pressing furnace; HIP furnace)로 고온에서 가압하여 초전도 전이 온도가 39K인 초전도 MgB2펠렛을 제조한다(J. Nagamatsu, N. Nakagawa, T. Muranaka, Y. Zenitani, and J. Akimitsu, "Superconductivity at 39K in magnesium diboride", Nature 410, 63, 2001 참조).
종래기술의 다른 예로서, C. U. Jung 등은 앤빌형 프레스로 고온 고압하에서MgB2를 펠렛 형태로 제조하였다.( C. U. Jung et al, "Temperature-and magnetic-field-dependences of normal state resistivity of MgB2prepared at high temperature and high pressure condition", http://www.lanl.gov/cond-mat/0102215 참조).
그리고, S. L. Bud'ko 등은 마그네슘(Mg)과 보론(B)을 1:2로 섞은 후에 탄탈륨(Ta) 튜브에 넣고, 전체를 석영(Quartz) 캡슐로 진공 봉합하여, 950℃에서 열처리한 다음 냉각시켜서 MgB2분말을 얻었다.( S. L. Bud'ko et al. "Boron Isotope Effect in Superconducting MgB2" ,Phys. Rev. Lett., 86, 1877∼1880, 2001 참조).
그리고, P. C. Canfield 등은 보론섬유(Boron fiber)와 마그네슘(Mg)을 탄탈륨 튜브에 넣고 다시 이것을 석영(Quartz) 캡슐로 진공 봉합한 후에 950℃로 열처리하여 MgB2선재를 만들었다( P. C. Canfield et al. "Superconductivity in Dense MgB2wire" Phys. Rev. Lett., 86, 2423~2426,2001 참조).
그러나, 상술한 종래기술인은 MgB2의 분말, 펠렛, 선재 등의 제조는 전자 회로 제작에는 이용될 수 없고, 전자회로에 이용되기 위해서는 박막의 제조 방법이 필요하다.
본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서,15∼20K에서 동작가능하며 Nb 단자속 양자 회로에 비해 동작 속도가 빠르고, MgB2초전도 단자속 양자(Rapid Single Flux Quantum; RSFQ) 구현에 적합한 초전도 에피택셜 박막 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래기술의 일예에 따른 MgB2펠렛의 X-선 회절 패턴,
도 2는 종래기술의 일예에 따른 MgB2펠렛의 저항-온도 곡선,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제조된 MgB2또는 (Mg1-XMX)B2) 박막을 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제조된 MgB2또는 (Mg1-XMX)B2) 박막을 도시한 도면,
도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 Mg1+XB2(x>0) 타겟을 도시한 도면,
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 (Mg1-XMX)B2(M=Cu,Zn,Na,Be,Li,0<x<1) 타겟을 도시한 도면,
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 MgB2의 상태도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11 : 단결정 기판 12 : 초전도 에피택셜 박막
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 초전도체는 하기 박막과 결정구조와 격자상수가 유사한 육방정계 결정구조의 밑틀층, 및 상기 밑틀층상에 에피택셜 성장된 마그네슘(Mg)과 보론(B)이 함유된 초전도성 박막을 포함함을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 밑틀층은 GaN, Al2O3, SiC, ZnO, LiAlO2, LiGaO2, MgO, SrTiO3중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하고, 상기 초전도성 박막은 MgB2또는 (Mg1-xMx)B2(M=Cu, Zn, Na, Be, Li, 0<x<1) 중 어느 하나를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명의 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법은 기판을 형성하는 단계, 상기 기판상에 하기 박막과 결정구조와 격자상수가 유사한 육방정계 결정구조를 갖는 밑틀층을 형성하는 단계, 및 상기 밑틀층상에 마그네슘과 보론이 함유된 초전도성 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 초전도성 박막을 형성하는 단계는, 상기 밑틀층상에 보론박막을 증착하는 단계, 및 상기 보론박막 상부에 마그네슘 증기를 흘려서 400℃∼900℃에서 후열처리하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기 초전도성 박막을 형성하는 단계는, 상기 밑틀층상에 비정질 MgB2박막을 증착하는 단계, 상기 MgB2박막상에 보호막을 증착하는 단계, 및 400℃∼900℃ 온도에서 후열처리하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마그네슘과 보론이 함유된 초전도 에피택셜 박막을 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 육방정계 결정 구조를 갖는 단결정 기판(11), 단결정 기판(11)상에 형성된 마그네슘(Mg)과 보론(B)이 함유된 초전도 에피택셜박막(12)으로 이루어진다.
여기서, 단결정 기판(11)은 육방정계(Hexagonal) 결정 구조를 가지며, 이러한 단결정 기판(21)으로는 다음 [표1]에 도시된 물질들 중 하나를 이용한다.
물질 결정상수(a-zxis), [㎚] 결정계
GaN 0.3180 육방정계
Al2O3 0.24747 육방정계
SiC 0.3082 육방정계
ZnO 0.3250 육방정계
LiAlO2 0.3134 정방정계
LiGaO2 0.3186 사방정계
[표 1]을 참조하면, 초전도 에피택셜 박막(12)이 육방정계의 결정 구조를 갖고 격자상수(a)가 0.3086㎚인 MgB2인 경우, 단결정 기판(11)은 MgB2의 결정구조와 같고 격자상수가 유사한 GaN(a=0.3180㎚), Al2O3(a=0.2747㎚), SiC(a=0.3082㎚), ZnO(a=0.3250㎚), LiAlO2(a=0.3134㎚), LiGaO2(a=0.3186㎚) 등을 이용한다. 비록 LiAlO2와 LiGaO2이 각각정방정계(Tetragonal) 결정구조와 사방정계(Orthorhombic) 결정구조를 갖지만, 이들은 MgB2와 유사한 격자상수를 가지므로 MgB2를 성장하기 위한 기판으로 적용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마그네슘과 보론이 함유된 초전도 에피택셜 박막을 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 금속(Metal), MgO, SrTiO3등의 기판(21), 기판(21)상에 밑틀층(22)이 형성되고, 밑틀층(22)상에 초전도 에피택셜 박막(23)이 형성된다.
이 때, 밑틀층(22)은 육방정계 결정구조 또는 LiAlO2(a=0.3134㎚), LiGaO2(a=0.3186㎚)를 갖는 물질을 이용하되, 이러한 밑틀층(22)은 버퍼층(Buffer layer) 또는 시드층(Seed layer)으로 적용된다.
한편, 육방정계 결정구조의 단결정 물질은 GaN(a=0.3180㎚), Al2O3(a=0.2747㎚), SiC(a=0.3082㎚), ZnO(a=0.3250㎚) 중 어느 하나를 이용한다.
상술한 제 1 및 제 2 실시예에서, MgB2와 결정 구조와 격자 상수가 유사한물질을 기판이나 밑틀층으로 사용하면, 이러한 물질들이 MgB2의 초기 성장에 밑틀(Templete) 역할을 하므로 MgB2의 에피택셜 성장을 용이하게 한다.
상술한 제 1 및 제 2 실시예에서는 MgB2박막만을 도시하였으나, 육방정계 구조를 갖는 기판 또는 밑틀층상에 Mg1-xMxB2(M=Cu, Zn, Be, Na, Li, 0<x<1) 을 형성할 수 있다.
계속해서, MgB2또는 Mg1-xMxB2(M=Cu, Zn, Be, Na, Li, 0<x<1)의 초전도 에피택셜 박막을 제조하는 방법에 대해 설명하기로 한다.
먼저 MgB2에피택셜 박막은 스퍼터링(Sputtering)법, 펄스 레이저 증착(Pulsed laser deposition)법, 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 이중 이온빔 증착(Dual ion beam deposition)법, 전자선 증발(E-beam evaporation)법 또는 스핀 코팅(Spin coating)법 중 어느 한 방법을 적용하여 형성한다.
이러한 제조 방법 중 펄스 레이저 증착법을 이용할 경우, 아르곤 플라즈마를 기판층 표면에 형성시킨 후에 초전도성 박막을 증착하므로써 타겟 물질의 조성에 가까운 박막을 얻을 수 있는 장점이 있다.
그리고, 화학기상증착법(CVD)은 마그네슘 유기물(Mg-organic material)과 보론 유기물(B-organic material)의 수송 가스(carrier gas) 흐름을 조정해서 마그네슘(Mg)과 보론(B)의 화학정량(Stoichiometry) 조정이 가능하고 대면적 박막의 양산에 적합하다.
그리고, 전자선 증발법이나 이중 이온빔 증착법은 고진공에서 고품위의 박막을 얻을 수 있고, 또한 마그네슘(Mg)과 보론(B)의 화학정량을 독립적으로 조정할 수 있다.
MgB2에피택셜 박막 형성시, 마그네슘(Mg)은 그 증기압(Vapor pressure)이 크므로 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법, 전자선 증발법에 이용되는 타겟은 화학정량 MgB2타겟과 마그네슘이 과잉인 비화학정량 Mg1+xB2(x≥0) 타겟을 이용하여 형성된다.
여기서, MgB2타겟은 MgB2분말을 가압하거나 가압중에 가열한 펠렛형 타겟이고, 그리고, Mg1+xB2(x>0) 타겟은 MgB2분말에 마그네슘을 첨가한 소결체, 마그네슘 금속판(Mg-metal plate)과 보론 금속판(B-metal plate)을 이용한 모자이크형 타겟, 또는 마그네슘 금속판을 표면에 드러나도록 장입시킨 마그네슘 장입타겟 중 어느 하나를 포함한다.
이 때, Mg1+xB2(x≥0) 타겟을 사용하여 증착시 부족한 마그네슘(Mg)을 보충해 주는 역할을 하도록 하며, Mg1+xB2(x≥0) 타겟은 스퍼터링법, 펄스레이저증착법, 전자선 증발법에 적용되는 타겟이다.
도 5a 내지 도 5c에 도시된 것처럼, Mg1+xB2(x>0) 타겟은 MgB2분말에 마그네슘(Mg)을 첨가한 MgB2+Mg 소결체(도 5a), 마그네슘 금속판과 보론 금속판을 이용한모자이크형(Mosaic) 타겟(도 5b) 또는 Mg1+xB2(x>0)에 마그네슘을 보강한 소결체(도 5c) 중 어느 하나를 이용한다.
그리고, (Mg1-xMx)B2에피택셜 박막 형성시에는 (Mg1-xMx)B2타겟을 이용한다.
도 6a 내지 도 6c에 도시된 것처럼, (Mg1-xMx)B2타겟은 MgB2분말에 M(Cu, Zn, Na, Be, Li)을 섞어서 가압 및 열처리한 (Mg1-xMx)B2소결체(도 6a), 마그네슘 금속판, 보론 금속판 및 M(Cu, Zn, Na, Be, Li) 금속판을 이용한 (Mg1-xMx)B2모자이크형 타겟(도 6b), M(Cu, Zn, Na, Be, Li)을 보충한 (Mg1-xMx)B2장입 타겟(도 6c) 중 어느 하나를 이용한다.
여기서, 상술한 (Mg1-xMx)B2타겟들은 스퍼터링법, 펄스레이저증착법, 전자선증발법에 적용되는 타겟이다.
상술한 방법들을 이용하여 MgB2에피택셜 박막을 제조하기 위해서는 박막이 성장할 때 열에너지를 공급하여야 하므로, 박막 성장시 기판을 L1+MgB2상이 형성되는 400℃∼900℃ 온도에서 가열한다(도 7 참조).
그리고, 박막 증착 분위기는, 박막 증착시 성장되는 박막 중의 마그네슘의 산화를 방지하기 위하여 진공이나 아르곤(Ar), 아르곤과 수소의 혼합가스(Ar+H2), 아르곤과 수증기의 혼합(Ar+H2O) 분위기 상태에서 이루어진다.
그리고, 박막 증착 후에 마그네슘(Mg)이 부족한 박막이 형성될 경우, 400℃∼900℃에서 후열처리(Post annealing)를 하고 열처리 도중에 마그네슘(Mg)을 증기 형태로 흘려주어 박막에 적당히 입힌다.
이러한 후열처리 과정은 산소가 없는 분위기에서 이루어져야 하는데, 역시 진공이나 아르곤(Ar), 아르곤과 수소의 혼합 가스(Ar+H2), 아르곤과 수증기의 혼합(Ar+H2O) 분위기 상태로 한다. 이 때, 첨가되는 수소와 수증기는 소량이며, 증착되는 박막에서 마그네슘(Mg)의 산화 방지에 도움이 된다.
그리고, 후열처리시에 공급되는 마그네슘(Mg)은 박막 영역에서 마그네슘(Mg)이 부족한 영역으로 확산되어 들어가서 MgB2의 화학정량를 맞춘다.
아울러, 마그네슘(Mg)과 보론(B)에 다른 금속이 도핑된 (Mg1-xMx)B2(M=Cu, Zn, Na, Be, Li, 0<x<1)를 형성할 경우에도 상술한 방법을 적용한다.
MgB2에피택셜 박막의 다른 제조 방법으로 보론(Boron) 박막을 상온에서 먼저 증착한 다음, 400℃∼900℃로 승온시킨 후열처리시에 마그네슘(Mg) 증기를 기판에 흘려주어서 MgB2박막를 얻거나, 비정질 상태의 MgB2박막을 상온에서 증착한 후 MgO, SiN, GaN, AlN, ZnO 등의 보호막을 증착하고, 400℃∼900℃ 온도로 승온하여 열처리하여 MgB2박막을 얻는다.
한편, 밑틀층을 버퍼층 또는 시드층으로 증착하는 경우, 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법, 화학기상증착법, 이중 이온빔 증착법, 전자선 증발법 또는 스핀 코팅법 중 어느 한 방법을 적용한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명은 MgB2또는 Mg1-xMxB2(M=Cu, Zn, Be, Na, Li, 0<x<1)의 초전도 박막을 에피택셜 박막으로 형성할 수 있으므로 초전도 단자속양자회로에 적용할 경우, 액체 헬륨을 사용하지 않는 냉동기로 15∼20K 온도에서 동작이 가능한 효과가 있으며, MgB2가 Nb에 비해 4배나 큰 에너지갭을 가지고 있어 Nb 회로보다 4배나 빠르게 동작하는 전자회로를 구현할 수 있는 효과가 있다.

Claims (19)

  1. 초전도체에 있어서,
    하기 박막과 결정구조 및 격자상수가 유사한 육방정계 결정구조의 밑틀층; 및
    상기 밑틀층상에 에피택셜 성장된 마그네슘(Mg)과 보론(B)이 함유된 초전도성 박막
    을 포함함을 특징으로 하는 초전도체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 밑틀층은 GaN, Al2O3, SiC, ZnO, LiAlO2, LiGaO2, MgO, SrTiO3중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는 초전도체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 초전도성 박막은 MgB2또는 (Mg1-xMx)B2(M=Cu, Zn, Na, Be, Li, 0<x<1) 중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는 초전도체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 밑틀층 하부에 실리콘, 갈륨비소, 금속, MgO 또는 SrTiO3중 어느 하나를 포함하는 기판이 구비됨을 특징으로 하는 초전도체.
  5. 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법에 있어서,
    기판을 형성하는 단계;
    상기 기판상에 하기 박막과 결정구조와 격자상수가 유사한 육방정계 결정구조를 갖는 밑틀층을 형성하는 단계; 및
    상기 밑틀층상에 마그네슘과 보론이 함유된 초전도성 박막을 형성하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 초전도성 박막을 형성하는 단계는,
    상기 밑틀층상에 보론박막을 증착하는 단계; 및
    상기 보론박막 상부에 마그네슘 증기를 흘려서 400℃∼900℃에서 후열처리하는 단계
    를 포함함을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 초전도성 박막을 형성하는 단계는,
    상기 밑틀층상에 비정질 MgB2박막을 증착하는 단계;
    상기 MgB2박막상에 보호막을 증착하는 단계; 및
    400℃∼900℃ 온도에서 후열처리하는 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘, 갈륨비소, 금속, 산화마그네슘 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 초전도성 박막은 MgB2또는 (Mg1-xMx)B2(M=Cu, Zn, Na, Be, Li, 0<x<1) 중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 MgB2또는 (Mg1-xMx)B2은 스퍼터링법, 펄스레이저증착법, 화학기상증착법, 이중이온빔증착법, 전자선 증발법, 스핀코팅법 중 어느 한 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 스퍼터링법, 펄스레이저증착법은,
    진공, 아르곤, 아르곤과 수소의 혼합 가스 또는 아르곤과 수증기의 혼합 분위기 중 어느 한 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 스퍼터링법, 펄스레이저증착법, 전자선 증발법에 이용되는 타겟은,
    화학정량 MgB2타겟 또는 마그네슘이 과잉인 비화학정량 Mg1+xB2(x≥0) 타겟 중 어느 하나를 이용함을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 MgB2타겟은 MgB2분말을 가압하거나 가압중에 가열한 펠렛형 타겟을 포함함을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 Mg1+xB2(x>0) 타겟은 MgB2분말에 마그네슘을 첨가한 소결체, 마그네슘 금속판과 보론 금속판을 이용한 모자이크형 타겟, 또는 마그네슘 금속판을 표면에 드러나도록 장입시킨 마그네슘 장입 타겟 중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 (Mg1-xMx)B2의 타겟은 (Mg1-xMx)B2소결체, (Mg1-xMx)B2모자이크형 타겟, 금속을 보충한 (Mg1-xMx)B2장입 타겟 중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는 초전도에피택셜 박막의 제조 방법.
  16. 제 5 항에 있어서,
    상기 초전도성 박막을 형성한 후, 상기 초전도성 박막내 마그네슘이 부족한 경우, 400℃∼900℃에서 후열처리하되 상기 후열처리중에 마그네슘을 증기형태로 입히는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 후열처리시, 진공, 아르곤, 아르곤과 수소의 혼합 가스 또는 아르곤과 수증기의 혼합 분위기 중 어느 한 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  18. 제 5 항에 있어서,
    상기 밑틀층 형성시, 상기 기판을 400℃∼900℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
  19. 제 7 항에 있어서,
    상기 보호막은 MgO, GaN, SiC, ZnO 또는 Al2O3중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는 초전도 에피택셜 박막의 제조 방법.
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