DE4320484A1 - Steuerbares Supraleiter-Bauelement - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein neuartiges Dünnfilm-Bauelement auf Supraleiterbasis
mit aktiver Steuer- und Verstärkerfunktion. Soweit heute erkennbar, liegen An
wendungen der Erfindung hauptsächlich in der Mikroelektronik, Kommunikati
onstechnik, Mikrowellentechnik und Datenverarbeitung.
Mit der Entdeckung der Hochtemperatur-Supraleiter (HTSL), welche noch bei
Temperaturen oberhalb von 77 K (Siedepunkt von Stickstoff) eingesetzt wer
den können, sind neue Aussichten zur Realisierung von verlustarmen, schnel
len elektronischen Schaltungen entstanden. Während die herkömmlichen Nie
dertemperatur-Supraleiter (NTSL) eine aufwendige Kühlung bis nahe am abso
luten Nullpunkt erfordern und damit in der Anwendung sehr eingeschränkt sind,
eröffnet der Betrieb bei Stickstofftemperaturen ein ungleich größeres Einsatz
spektrum. Im übrigen werden auch andere hochwertige Bauelemente auf Basis
von Halbleitern (HL), wie rauscharme Detektoren oder Höchstfrequenz-Schal
tungen, in diesem Temperaturbereich betrieben, um ihre volle Leistungsfähig
keit nutzen zu können.
Aufgrund der besonderen Transportmechanismen bieten Supraleiter (SL)
grundsätzlich für den Einsatz in elektronischen Schaltungen sehr interessante
Vorteile: hohe Stromtragfähigkeit, kleinste Leiterquerschnitte, sehr niedrige
Verlustleistungen bis hin zu höchsten Frequenzen, u. a. Andererseits steht dem
Aufbau von Schaltungen auf Supraleiterbasis ein elementares Problem entge
gen: aktive, steuerbare Elemente, sogenannte Trioden oder "Three Terminal
Devices", entsprechend dem Halbleiter-Transistor, sind mit Supraleitern bis
lang nicht in konkurrenzfähiger Form realisierbar, so daß ihr Potential nur in
beschränktem Umfang nutzbar ist. Zwar lassen sich aus SL hochwertige
Einzelelemente wie Leiterbahnen, Induktivitäten, Resonatoren, Antennen etc.
herstellen, diese müssen jedoch in einer relativ aufwendigen Hybridschaltung
mit den aktiven HL-Elementen verbunden werden, so daß insgesamt kein
überzeugender Vorteil entsteht.
Von den verschiedenen bekannten Hilfskonstruktionen, SL-Eigenschaften
durch magnetische Felder, durch Temperatureinflüsse, durch Bestrahlung u.ä.
zu steuern, sei hier abgesehen, da sie entweder zu langsam sind, keine positi
ve Verstärkung zulassen, nicht miniaturisierbar sind oder aus sonstigen Grün
den sich nicht als Elektronik-Komponente in Analogie zum Transistor verwen
den lassen.
Solange der Einsatz der Supraleiter auf den Tiefsttemperaturbereich (NTSL)
beschränkt war, ist dieses Manko aufgrund fehlender Anwendbarkeit nicht be
sonders in Erscheinung getreten. Mit der Verfügbarkeit der HTSL hat sich die
Situation völlig verändert, zum einen, da jetzt erstmals der kombinierte Betrieb
zusammen mit gekühlten Halbleiter-Schaltungen auf einem Temperaturniveau
möglich ist und zum anderen, da weiterführend rein supraleitende Schaltungen
mit solchen gekühlten HL-Schaltungen in Konkurrenz treten könnten. Bekannt
lich sind seitdem zahlreiche Forschungsaktivitäten zur Entwicklung des
"Supratransistors" , des "Super-FET" oder ähnlicher Elemente angestoßen
worden.
Die Schwierigkeiten, die sich der Realisierung aktiver Supra-Elemente entge
genstellen, sind wohlbekannt. Ein primäres Problem besteht darin, daß die in
Halbleiterstrukturen genutzten Mechanismen auf Raumladungs- und Feldeffek
ten beruhen, welche bei Supraleitern grundsätzlich nicht in vergleichbarer
Form auftreten; es müssen also, völlig andere Steuermechanismen entwickelt
und eingesetzt werden.
Ein zweites, gravierenderes Problem liegt in der Technologie der neuen Supra
leiter. Sie bestehen aus oxidischen Substanzen mit komplexer Kristallstruktur
(z. B. YBa₂Cu₃O₇) und erfordern spezielle Beschichtungsverfahren, welche bei
hohen Temperaturen (bis 800°C) und streng kontrollierten Umgebungsbedin
gungen ablaufen. Die Herstellungsbedingungen sind so kritisch, daß der Auf
bau von Mehrlagenstrukturen, als Voraussetzung für integrierte Schaltungen,
bis heute äußerst schwierig ist. Selbst das Übereinanderlegen von zwei perfek
ten SL-Schichten mit dazwischenliegender Isolatorschicht, z. B. für gewöhnliche
Leiterbahnüberkreuzungen, bereitet erhebliche technologische Probleme und
ist bislang nur in Einzelfällen und an kleinsten Flächen gelungen.
Die Aufgabe, die sich der Erfindung stellt, besteht demnach darin, ein elektro
nisches Bauelement auf Basis von Supraleitern, insbesondere HTSL, zu schaf
fen, das es erlaubt, mittels einer Steuerelektrode (Gate) den Stromfluß bzw.
die Spannung zwischen den beiden anderen Elektroden direkt zu beeinflussen.
Das neue Element soll sich hinsichtlich seiner Struktur, Größe und Herstel
lungstechnik als Komponente von integrierten Mikroelektronik-Schaltungen
eignen und die bekannten Vorteile von Supraleitern (niedrige Impedanz, ge
ringe Verluste, kleine Spannungspegel, dispersionsfreie Hochfrequenz-
Übertragung etc.) mit der möglichen Funktion des Schaltens, des Steuerns
oder der Signalverstärkung verknüpfen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Dünnschichtelement gelöst,
dessen prinzipieller Aufbau in Fig. 1 dargestellt ist. Auf einem geeigneten
Substrat wird zunächst nach den bekannten Methoden eine SL-Schicht abge
schieden und strukturiert. Auf einem Teil der SL-Schicht wird eine spezielle,
zunächst quasi-isolierende Schicht (Konversionsschicht) abgeschieden und
darüber eine Metall-Elektrode (Gate) gelegt. Der beschriebene Schichtaufbau
könnte demnach als MIS-Element (Metall-Isolator-Supraleiter) bezeichnet
werden. Neu im Sinne der Erfindung ist es, durch Elektronentransfer über das
Gate reversibel eine Veränderung der Leitfähigkeit um mehrere
Größenordnungen in der sehr dünn ausgeführten Konversionsschicht
hervorzurufen, wodurch die Transporteigenschaften in dem angrenzenden
Supraleiter gesteuert werden können.
Vereinfacht ausgedrückt, findet ein Isolator-Metall-Übergang in der
Konversionsschicht statt, für den verschiedene physikalische Mechanismen
denkbar sind. Als ursächlich für die Steuerung der Eigenschaften des
Supraleiters ist jedoch in jedem Fall die drastische Leitfähigkeitsänderung in
der an den Supraleiter angrenzenden Konversionsschicht anzusehen. Im ein
fachsten Fall kann die Leitfähigkeit durch Tunneln von Elektronen in das Lei
tungsband der Konversionsschicht gesteuert werden, wobei zwischen Gate
und Supraleiter eine Spannung von mehreren Volt, nahe an der Durchbruch
spannung der Konversionsschicht, angelegt wird.
Für die Konversionsschicht besonders geeignet erscheinen Materialien, von
denen bekannt ist, daß sie einen Isolator-Metall-Übergang in Form eines Pha
senübergangs durchmachen (N. F. Mott, E. A. Davis: Electronic Processes in Non-Cristalline Materials; Clarendon Press Oxford
(1971), S. 121 ff.). Beispiele für derartige Phasenübergänge finden
sich u. a. bei Verbindungen der Übergangsmetalle, z. B. bei Oxiden des Vana
diums, des Wolframs, des Niobs, des Titans etc., sowie bei deren
Mischoxiden. Äußeres Merkmal dieser Stoffe ist, daß durch Temperatureinfluß
eine drastische Änderung der elektronischen Leitfähigkeit hervorgerufen wer
den kann. Oberhalb einer bestimmten Sprung- oder Übergangstemperatur ist
in der Regel die metallische Phase mit guter Leitfähigkeit und bei tieferen
Temperaturen eine isolierende oder halbleitende Phase mit wesentlich gerin
gerer Leitfähigkeit existent. Der Phasenübergang kann die Folge einer ge
wöhnlichen Änderung der Kristallmodifikation sein, es ist jedoch auch möglich,
daß er primär durch eine Veränderung der elektronischen Bandstruktur des
Kristalls hervorgerufen wird, wobei die Gitterstruktur im wesentlichen erhalten
bleibt. Als Beispiel sei der sogenannte Anderson-Übergang (P. W. Anderson, Phys. Rev. 111, 1029 (1958)) genannt, der
durch Delokalisierung von Ladungsträgern zustande kommt. Die freigesetzten
Ladungsträger bevölkern das Leitungsband und erzeugen eine starke Zunah
me der Leitfähigkeit. Die Delokalisierung kann am einfachsten durch thermi
sche Aktivierung hervorgerufen und beobachtet werden, ist aber grundsätzlich
nicht darauf beschränkt. Für die Konversionsschicht im Sinne der Erfindung
kommen aus dieser Stoffklasse ausschließlich Materialien mit elektronisch
bedingtem Phasenübergang in Betracht.
Es wurde experimentell nachgewiesen, daß der Stromfluß in der SL-Schicht
durch eine Spannung am Gate sehr effektiv gesteuert werden kann. Die Fig.
2 zeigt eine typische Kennlinie des Elementes. Man erkennt daraus, daß der
kritische Strom der SL-Bahn von 40 mA durch ein Gatesignal vollständig un
terdrückt wird, d. h. es findet ein kompletter Übergang vom supraleitenden Zu
stand in den normal leitenden Zustand statt. Der gleichzeitig über das Gate
(Kontaktfläche 10 µm × 10 µm) fließende Steuerstrom liegt dabei um 100 µA,
jedoch ist schon bei wenigen µA Gatestrom ein Einfluß auf die kritische
Stromdichte im Supraleiter zu beobachten.
Beim Vergleich des erfindungsgemäßen Bauelementes mit aus der Literatur
bekannten Systemen ist zunächst an Strukturen zu denken, bei denen in einem
ähnlichen Schichtaufbau hochenergetische Quasiteilchen in den Supraleiter
eingebracht werden, die dessen Transporteigenschaften verändern (T. Kobayashi, K. Hashimoto, U. Kabasawa, M. Tonouchi: Three Terminal YBaCuO Josephson
Device with Quasi-Particle Injection Gate; IEEE Transactions on Magnetics 25, 927-930 (1989),
K. Takeuchi, Y. Okabe: Injection Controlled Superconducting Links; Jpn. J. Appl. Phys. 28, 1810-1815
(1989)). Die
Kennlinien solcher Strukturen erscheinen zunächst qualitativ ähnlich zu denen
des erfindungsgemäßen Bauelementes, doch sind dort zum Schalten des Su
praleiters wesentlich höhere Ströme nötig, was auf dem unterschiedlichen Wir
kungsmechanismus beruhen dürfte. Definiert man, wie in der Literatur üblich,
einen Stromverstärkungsfaktor als Quotient (ggf. differentiell) aus geschalte
tem kritischem Strom im Supraleiter zu injiziertem Gatestrom, so erreichen die
in der Literatur beschriebenen Systeme Werte um 1 bis 10, während mit dem
neuen Element Verstärkungsfaktoren nach dieser Definition von 100 bis 1000
erreicht wurden.
Ähnliche Strukturen werden auch zur Untersuchung von Feldeffekten an SL-
Schichten eingesetzt. IBM (J. Mannhart, J. G. Bednorz, K. A. Müller, D. G. Schlom: Electric Field Effect on Superconducting
YBa₂Cu₃O7- ∂ Films; Z. Phys. B - Condensed Matter 83, 307-311 (1991)) berichtet von Strukturen mit etwa 160 nm Isolator
dicke, welche mit Gatespannungen im Bereich von 30 Volt betrieben werden.
Unter dem Einfluß dieser Feldstärke wird im Supraleiter eine Widerstandsän
derung um 1% beobachtet. Obwohl in dieser Anordnung ein sehr geringer Ga
testrom zu registrieren ist, hat er keinen Einfluß auf den Suprastrom und ist für
den Steuermechanismus nicht relevant. Der Effekt ist größer, wenn an supra
leitenden Weak Links gearbeitet wird. Nebenbei sei erwähnt, daß reine Feldef
fekt-Elemente dieser Art auch von der Halbleitertechnik her bekannt sind und
dort ebenfalls mit MIS (dort: metal-isolator-semiconductor) bezeichnet werden.
Eine nähere Untersuchung der Kennlinien des neuen MIS-Transistors zeigt
deutlicher die Unterschiede zu schon bekannten Bauelementen auf. So ist aus
der Fig. 2 auch deutlich die Kopplung zwischen kritischem Strom und Injek
torstrom zu erkennen, d. h. der SLINL-Übergang setzt genau bei der Gatespan
nung ein, bei der auch der Elektronentransfer an der Gateelektrode beginnt.
Bei Verwendung anderer Materialien für den Aufbau der Struktur mag die
Schwellenspannung variieren - typischerweise in einem Bereich von 0,5 bis 7
Volt -, es bleibt jedoch stets der gezeigte Zusammenhang zwischen Injektor
strom und kritischem Strom erhalten. Daraus können eindeutig folgende
Schlußfolgerungen gezogen werden:
- - Das erfindungsgemäße Bauelement beruht nicht auf einem reinen Feldef fekt, es ist stets notwendigerweise ein Stromfluß am Gate, bzw. ein Injekti onseffekt vorhanden.
- - Andererseits ist der Effekt nicht durch die reine Stromeinleitung erklärbar. Wird nämlich bei der Herstellung des Elements die Isolatorschicht wegge lassen und über das Gate ein Injektorstrom gleicher Größenordnung direkt in den Supraleiter eingeleitet, bleibt der dargestellte Schalteffekt völlig aus.
- - Der Gatestrom, der für einen meßbaren Effekt im Supraleiter benötigt wird, ist so klein, daß die direkte Wirkung von hochenergetischen Quasiteilchen im Supraleiter zur Erklärung ausscheidet. Ähnliches gilt für thermische Ef fekte.
Der innere, physikalische Wirkungsmechanismus des neuen MIS-Elementes
ist noch nicht in allen Einzelheiten geklärt. Die überzeugendste Interpretation
sagt jedoch aus, daß der durch Aufnahme von Elektronen in der Isolatorschicht
erzeugte Übergang in den metallischen Zustand einen Proximity-Effekt in der
angrenzenden SL-Schicht bewirkt. Der Proximity-Effekt führt zu einer
Reduzierung der Energielücke der supraleitenden Elektronen, was eine Er
niedrigung der kritischen Übergangstemperatur zur Folge hat. Eine weitere
Auswirkung des Übergangs in der Konversionsschicht könnte darin bestehen,
daß der Supraleiter an der Kontaktfläche zur Änderung seiner Oberflä
chenenergie gezwungen wird, was eine Reduzierung der Pinningkraft zur Folge
hat. Dies wiederum reduziert die maximale supraleitende Stromdichte. Wahr
scheinlich sind sogar beide Effekte für den Steuereffekt verantwortlich; ein
Hinweis darauf läßt sich beispielsweise aus der Fig. 3 entnehmen (kritischer
Strom als Funktion des Injektorstromes), in der zu erkennen ist, daß offensicht
lich zwei Vorgänge mit unterschiedlicher Aktivierungsenergie beteiligt sind.
Dagegen scheint die Elektroneneinleitung in den Supraleiter selbst keinen oder
nur einen untergeordneten Einfluß auf den Steuervorgang zu haben. Weitere
experimentelle Untersuchungen zur funktionalen Abhängigkeit des
Schaltverhaltens, z. B. durch Variation der Temperatur (Fig. 4), durch
Verwendung verschiedener Materialien und Schichtdicken oder durch
Anwendung eines äußeren Magnetfeldes wurden durchgeführt und bestätigen
die gegebene Interpretation.
Das erfindungsgemäße Bauelement eignet sich grundsätzlich für jeden Supra
leitertyp, allerdings müssen Konversionsschicht und Gateelektrode in der Wahl
der Materialien sowie der entsprechenden Schichtdicken sorgfältig aufeinander
abgestimmt werden. Die Schichtdicke der Konversionsschicht sollte vorteilhaf
terweise in der Größenordnung der freien Weglänge der Injektionselektronen
liegen, also bei etwa 5 bis 20 nm, jedenfalls größer als die Schichtdicke von
Tunnelbarrieren und kleiner als die Dicke hochohmiger Gateoxide. Die
Schichtdicke des Supraleiters ist im Hinblick auf den Schalteffekt möglichst
gering einzustellen und richtet sich im übrigen nach der geforderten Stromtrag
fähigkeit im supraleitenden und normalleitenden Zustand. Die zulässige maxi
male SL-Schichtdicke hängt, wie vom Proximity-Effekt her bekannt, haupt
sächlich von der Kohärenzlänge ab. Typische Werte liegen je nach SL-Typ
zwischen 1 und 100 nm. Im Experiment wurde bisher für den Supraleiter das
Element Niob und für die Konversionsschicht Nioboxid NbOx verwendet.
Letzteres sollte sich auch für andere NTSL wie Blei, Aluminium etc. eignen.
Verwendet man für die Konversionsschicht Vertreter der oben erwähnten
Materialklasse mit einem Isolator-Metall-Phasenübergang, so ist zu beachten,
daß die Übergangstemperatur oberhalb der Betriebstemperatur des
Supraleiters liegen muß. Für HTSL wie YBa₂Cu₃O₇ sind daher beispielsweise
Vanadiumoxid V₂O₃ (Übergang bei 150 K), NiS (250 K) oder Ti₂O₃ (<300 k)
attraktiv.
Die elektronischen Eigenschaften des Elementes in Verbindung mit seinem
einfachen Aufbau bieten sehr vorteilhafte Anwendungsmöglichkeiten. Zwar
besteht ein Teil der Struktur - die Gateelektrode - aus normalleitendem Metall,
jedoch können dessen Zuleitungen mit genügender Schichtdicke und mit klei
nen Längen ausgeführt und die darin hervorgerufenen ohmschen Verluste ver
nachlässigbar klein gehalten werden. Für NTSL-Schaltungen kann die Gate
elektrode ebenfalls aus supraleitendem Material bestehen, so daß eine SIS-
Struktur entsteht. Im Hinblick auf HTSL-Schaltungen ist die MIS-Struktur sehr
vorteilhaft, da sie die oben erwähnten technologischen Probleme der Herstel
lung von supraleitenden Multilagen umgeht.
Anwendungen des neuen Bauelementes liegen zunächst überall dort, wo es
als Substitut für Halbleiter-Transistoren eingesetzt werden kann, so in Hybrid
schaltungen aus Supraleitern und Halbleitern, die z. B. bei 77 K betrieben wer
den, oder in rein supraleitenden elektronischen Schaltungen mit Betrieb ggf.
auch bei Heliumtemperatur (4,2 K). Die konkrete Beschaltung ist dabei natür
lich dem Kennlinienfeld des neuen Elementes so anzupassen, daß seine
Schalt-, Steuer- und Verstärkungsfunktion optimal genutzt werden kann.
Betrachtet man die Kennlinie in Fig. 3, so wird deutlich, daß daneben auch
die dosierte Veränderung der Transporteigenschaften des supraleitenden
Streifens für spezielle Anwendungen interessant werden kann. Hier ist
besonders an Hochfrequenz-Bauelemente zu denken, bei denen die
vorteilhaften HF-Eigenschaften der Supraleiter genutzt werden. So könnte bei
einem bereits demonstrierten supraleitenden Bauelement wie einem
Hochfrequenz-Resonator die Güte durch Beeinflussung eines Teils der
Leiterbahn gesteuert werden. Andere, weiterführende Ansätze betreffen auch
neuartige supraleitende HF-Bauelemente wie z. B. einen Phasenschieber,
dessen Funktion auf der Änderung der kinetischen Induktivität eines
Leiterstücks beruht, oder einen Oszillator mit dem neuen MIS-Element in der
Rückkoppelschleife.
Claims (9)
1. Mikroelektronisches Dünnfilm-Bauelement, dadurch gekennzeichnet, daß
eine dünne supraleitende Schicht in Kontakt mit einer dünnen, zunächst
quasi-isolierenden Schicht (Konversionsschicht) gebracht wird, daß in der
Konversionsschicht durch Stromfluß aus einer angrenzenden Metallelek
trode (Gate) eine Erhöhung der Leitfähigkeit um mehrere Größenordnungen
induziert wird und daß damit die Stromtragfähigkeit bzw. Impedanz der Su
praleiterbahn gesteuert wird.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhöhung
der Leitfähigkeit durch einen Phasenübergang Nichtmetall/Metall in der
Konversionsschicht verursacht wird.
3. Bauelement nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß
für die Konversionsschicht Verbindungen der Übergangsmetalle eingesetzt
werden, welche oberhalb der Sprungtemperatur des eingesetzten Supralei
ters einen ausgeprägten Phasenwechsel mit starker elektronischer Leitfä
higkeits-Änderung zeigen.
4. Bauelement nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Gateelektrode ebenfalls aus einem supraleitenden Mate
rial besteht.
5. Bauelement nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die zu steuernde Supraleiterbahn auf der äußeren Grenzflä
che (der vom Gate abgewandten Seite) im Kontaktbereich mit einer dünnen
Metallschicht abgeschlossen wird.
6. Bauelement nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Konversionsschicht bevorzugt in einer Schichtdicke zwi
schen 5 und 20 nm und die Dicke der Supraleiterschicht bevorzugt in der
Größenordnung der Kohärenzlänge des verwendeten Supraleiters ausge
führt wird.
7. Bauelement nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß es als aktives steuerbares Element in kryoelektronischen
Schaltungen auf der Basis von Supraleitern, Halbleitern oder in SL/HL-Hy
bridmodulen eingesetzt wird, darin inbegriffen die Verwendung in
monolithisch integrierten Schaltungen zusammen mit supraleitenden oder
halbleitenden Bauelementen.
8. Bauelement nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Möglichkeit der Veränderung der Transporteigenschaften
in der supraleitenden Schicht durch Beschaltung des Gates zur Verwendung
des Elementes als Verstärker oder Schalter, in Analogie zum halbleitenden
Transistor, benutzt wird.
9. Bauelement nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Möglichkeit der Veränderung der Transporteigenschaften
in der supraleitenden Schicht durch Beschaltung des Gates zur Verwendung
des Elementes als Teilstück von Hochfrequenz-Bauelementen wie z. B. ei
nes Resonators mit einstellbarer Güte, eines Phasenschiebers oder eines
Oszillators mit einstellbarer Betriebsfrequenz genutzt wird.
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