JP2557373B2 - 化合物半導体装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この発明は、化合物半導体装置に関し、さらに詳細に
いえば、格子定数の著しく異なる InxGa1-xAs層（0.7≦ｘ≦1.0）と InyGa1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）を交互に積層させて、Iny
Ga1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）側のみに、ｎ型不純物をドー
ピングさせることによって、既存のいわゆる格子整合さ
せたGaAsとGaAlAsまたはGaAsとAlAs（ともに格子不整は
約0.3％以下、ただし、格子不整（％）＝｛［GaAlAsま
たはAlAsの格子定数）−（GaAsの格子定数）］x100｝／
（GaAsの格子定数）を交互に積層させた構造とは異なる
構造を実現することにより、電子移動度を大きくした新
規な化合物半導体装置に関する。
いえば、格子定数の著しく異なる InxGa1-xAs層（0.7≦ｘ≦1.0）と InyGa1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）を交互に積層させて、Iny
Ga1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）側のみに、ｎ型不純物をドー
ピングさせることによって、既存のいわゆる格子整合さ
せたGaAsとGaAlAsまたはGaAsとAlAs（ともに格子不整は
約0.3％以下、ただし、格子不整（％）＝｛［GaAlAsま
たはAlAsの格子定数）−（GaAsの格子定数）］x100｝／
（GaAsの格子定数）を交互に積層させた構造とは異なる
構造を実現することにより、電子移動度を大きくした新
規な化合物半導体装置に関する。
＜従来の技術＞ 化合物半導体デバイス、特に電子デバイスの製法とし
て、薄い一様な層の成長、成分元素組成比の制御の容易
さからエピタキシャル成長方法が一般的に利用されてい
る。なかでも、最近特に注目されている技術として、分
子線エピタキシャル成長方法（以下、簡単のために「MB
E成長法」という）が知られている。例えばW.T.Tsangに
より「日経エレクトロニクスNo.308,163（1983）」にお
いて、MBE成長法並びに薄膜周期構造を利用したデバイ
スが詳細に説明されている。
て、薄い一様な層の成長、成分元素組成比の制御の容易
さからエピタキシャル成長方法が一般的に利用されてい
る。なかでも、最近特に注目されている技術として、分
子線エピタキシャル成長方法（以下、簡単のために「MB
E成長法」という）が知られている。例えばW.T.Tsangに
より「日経エレクトロニクスNo.308,163（1983）」にお
いて、MBE成長法並びに薄膜周期構造を利用したデバイ
スが詳細に説明されている。
このMBE成長法に従えば、結晶成長速度を単原子面レ
ベルで制御することができ（J.P.van der Ziel他、J.Ap
pl.Phys.48（1977）P3018参照）、さらには、反射型電
子線回析法を併用すれば１原子面の組成をも正確に制御
することができる（J.H.Neave他、Appl.Phys.A 31,1（1
983）参照）。
ベルで制御することができ（J.P.van der Ziel他、J.Ap
pl.Phys.48（1977）P3018参照）、さらには、反射型電
子線回析法を併用すれば１原子面の組成をも正確に制御
することができる（J.H.Neave他、Appl.Phys.A 31,1（1
983）参照）。
このようなMBE法を用いることにより、第３図に示す
ような高電子移動度トランジスタ（以下、HEMTと略す）
を製造することが可能となる。
ような高電子移動度トランジスタ（以下、HEMTと略す）
を製造することが可能となる。
尚、従来の化合物半導体を用いたマイクロ波素子につ
いては、例えば特開昭59−4085号、および特開昭58−14
7169号公報に記されている。
いては、例えば特開昭59−4085号、および特開昭58−14
7169号公報に記されている。
第３図に示したHEMT構造は、半絶縁性GaAs基板（11）
の上に、バッファ層として機能するGaAs層（12）が形成
され、更にその上に、チャンネル層をなすアンドープの
GaAs層（13）が形成されている。そして、アンドープの
GaAs層（13）上には、ｎ−GaxAl1-xAsの如く高い不純物
濃度を有する電子供給層（14）が形成され、電子供給層
（14）の中央には、高濃度にｐ型不純物を含有し、かつ
大きな電子親和力を有する半導体よりなる層（15）が設
けられ、その層（15）の上にはゲート電極（16）が形成
されている。さらに、層（15）を挟む電子供給層（14）
の表面領域（17）は合金化され、その上にソース電極
（18）およびドレイン電極（19）が形成されている。
の上に、バッファ層として機能するGaAs層（12）が形成
され、更にその上に、チャンネル層をなすアンドープの
GaAs層（13）が形成されている。そして、アンドープの
GaAs層（13）上には、ｎ−GaxAl1-xAsの如く高い不純物
濃度を有する電子供給層（14）が形成され、電子供給層
（14）の中央には、高濃度にｐ型不純物を含有し、かつ
大きな電子親和力を有する半導体よりなる層（15）が設
けられ、その層（15）の上にはゲート電極（16）が形成
されている。さらに、層（15）を挟む電子供給層（14）
の表面領域（17）は合金化され、その上にソース電極
（18）およびドレイン電極（19）が形成されている。
上記の構成の半導体装置において、ゲート電極（16）
に適当なバイアス電圧を印加すると、電子供給層（14）
とチャンネル層（13）との界面におけるチャンネル層
（13）側に、二次元電子ガス（20）が形成される。この
結果、不純物イオンの少ないチャンネル層（13）内の界
面近傍数10Å厚のところを、多量の電子が流れることに
なる。従って、電子移動度を制限する１つの大きな要因
である不純物イオン散乱が少なく、高移動度を実現する
ことができる。
に適当なバイアス電圧を印加すると、電子供給層（14）
とチャンネル層（13）との界面におけるチャンネル層
（13）側に、二次元電子ガス（20）が形成される。この
結果、不純物イオンの少ないチャンネル層（13）内の界
面近傍数10Å厚のところを、多量の電子が流れることに
なる。従って、電子移動度を制限する１つの大きな要因
である不純物イオン散乱が少なく、高移動度を実現する
ことができる。
第３図の構成のものは、GaAs層とGaAlAs層の単一のヘ
テロ界面における電子の蓄積層を利用しているが、GaAs
層とGaAlAs層を交互に積層させて多層構造を形成し、Ga
As層とGaAlAs層の複数のヘテロ界面を利用した事例につ
いては、R.Dingle他、Appl.Phys.Lett.33,665（197
8）、およびT.J.Drummond他、J.Appl.Phys.53（２）,10
23（1982）等に詳細に述べられている。
テロ界面における電子の蓄積層を利用しているが、GaAs
層とGaAlAs層を交互に積層させて多層構造を形成し、Ga
As層とGaAlAs層の複数のヘテロ界面を利用した事例につ
いては、R.Dingle他、Appl.Phys.Lett.33,665（197
8）、およびT.J.Drummond他、J.Appl.Phys.53（２）,10
23（1982）等に詳細に述べられている。
＜発明が解決しようとする問題点＞ しかしながら、このような化合物半導体装置において
は、ヘテロ界面における格子整合条件をできるだけ満足
させること、即ち、格子不整を約0.3％以下に抑制する
ことを目的としているためにヘテロ界面におけるエネル
ギー不連続の大きさを大きくすることには限度がある。
例えば、一般によく知られている種々の化合物半導体に
ついての、そのエネルギーギャップと格子定数との関係
は、第４図に示すとおりである。そして、現在、半絶縁
性化合物半導体基板としては、GaAs基板とInP基板のみ
しか存在しないため、基板とエピタキシャル層との界
面、並びに、チャンネル層と電子供給層とのヘテロ界面
の両方において格子整合をとるために、従来から、GaAs
基板上にGaAsチャンネル層とGaxAl1-xAsまたはAlAs電子
供給層、或は、InP基板上にIn0.53Ga0.47Asチャンネル
層とIn0.52Al0.48As電子供給層を形成した構造が採用さ
れている。しかしながら、このような系においては、チ
ャンネル層と電子供給層とのヘテロ界面におけるエネル
ギーギャップの差は、最大でも約0.7eV程度（チャンネ
ル層をGaAs、電子供給層をAlAsにした場合）にしかなら
ない。しかも、AlAs層中にSiドープした場合には、深い
不純物準位が発生するため、第３図のような構造におい
ては、GayAl1-yAsの組成ｙは、通常0.7〜0.8程度に選定
されている。このため、実際には、チャンネル層（GaAs
層）と電子供給層（GayAl1-yAs層）とのヘテロ界面にお
けるエネルギーギャップ差は、約0.2eV程度にしかなら
ない。
は、ヘテロ界面における格子整合条件をできるだけ満足
させること、即ち、格子不整を約0.3％以下に抑制する
ことを目的としているためにヘテロ界面におけるエネル
ギー不連続の大きさを大きくすることには限度がある。
例えば、一般によく知られている種々の化合物半導体に
ついての、そのエネルギーギャップと格子定数との関係
は、第４図に示すとおりである。そして、現在、半絶縁
性化合物半導体基板としては、GaAs基板とInP基板のみ
しか存在しないため、基板とエピタキシャル層との界
面、並びに、チャンネル層と電子供給層とのヘテロ界面
の両方において格子整合をとるために、従来から、GaAs
基板上にGaAsチャンネル層とGaxAl1-xAsまたはAlAs電子
供給層、或は、InP基板上にIn0.53Ga0.47Asチャンネル
層とIn0.52Al0.48As電子供給層を形成した構造が採用さ
れている。しかしながら、このような系においては、チ
ャンネル層と電子供給層とのヘテロ界面におけるエネル
ギーギャップの差は、最大でも約0.7eV程度（チャンネ
ル層をGaAs、電子供給層をAlAsにした場合）にしかなら
ない。しかも、AlAs層中にSiドープした場合には、深い
不純物準位が発生するため、第３図のような構造におい
ては、GayAl1-yAsの組成ｙは、通常0.7〜0.8程度に選定
されている。このため、実際には、チャンネル層（GaAs
層）と電子供給層（GayAl1-yAs層）とのヘテロ界面にお
けるエネルギーギャップ差は、約0.2eV程度にしかなら
ない。
以上のことから、従来の構造では半絶縁性基板とエピ
タキシャル層との界面、並びにチャンネル層と電子供給
層とのヘテロ界面の両方において格子整合条件を満足さ
せれば、エネルギー不連続の大きさが著しく制限されて
しまうことが分かる。第４図によるとGaAs−GaAlAs（ま
たはAlAs）、In0.53Ga0.47As−In0.52Al0.48Asの組み合
わせ以外に、InP基板を用い、かつIn0.53Ga0.47As層を
チャンネル層として、例えばIn0.53Ga0.47Asとのエネル
キーギャップ差の大きいAlAsxSb1-xを電子供給層にする
ことも可能であるが、一般にＶ族元素を２種類含んだ混
晶をMBE成長させることは技術的に困難であるばかりで
なく、AlAsxSb1-xという系は、酸化され易いAlとSbの２
つの元素を含有しているため、高純度（Siをドーピング
する前の純度）の層を得ることが難しく、かつ、成長後
における微細加工等の際の取り扱いが困難になる。
タキシャル層との界面、並びにチャンネル層と電子供給
層とのヘテロ界面の両方において格子整合条件を満足さ
せれば、エネルギー不連続の大きさが著しく制限されて
しまうことが分かる。第４図によるとGaAs−GaAlAs（ま
たはAlAs）、In0.53Ga0.47As−In0.52Al0.48Asの組み合
わせ以外に、InP基板を用い、かつIn0.53Ga0.47As層を
チャンネル層として、例えばIn0.53Ga0.47Asとのエネル
キーギャップ差の大きいAlAsxSb1-xを電子供給層にする
ことも可能であるが、一般にＶ族元素を２種類含んだ混
晶をMBE成長させることは技術的に困難であるばかりで
なく、AlAsxSb1-xという系は、酸化され易いAlとSbの２
つの元素を含有しているため、高純度（Siをドーピング
する前の純度）の層を得ることが難しく、かつ、成長後
における微細加工等の際の取り扱いが困難になる。
また、AlAsxSb1-x層に限らず、In0.53Ga0.47AsやIn
0.52Al0.48As等の３元混晶や、さらには４元混晶といっ
たものは、一般に格子整合させるための組成制御が複雑
化し成長技術上、極めて困難になり、また再現性が悪く
なるとともに、ウェハー面内での組成分布を均一化する
ことが困難になる等の新たな問題を発生させることにな
る。このことから、半絶縁性基板とエピタキシャル層と
の界面、並びにチャンネル層と電子供給層とのヘテロ界
面の両方において格子整合条件を満足する２元化合物同
士の組み合わせとして、GaAs−AlAs（またはGaxAl1-xA
s）が圧倒的に多く研究されている。GaxAl1-xAsについ
ては、第４図から明らかなように、GaAsとAlAsの格子不
整が約0.3％と小さいため、GaxAl1-xAsの組成ｘがどの
ようであろうとも、GaAsとの格子整合条件を満足してい
るために、InxGa1-xAs−InxAl1-xAs等の組み合わせに比
べれば厳密な組成制御を必要とせず、ゆえに成長技術上
も困難ではない。しかしながら、GaAs−GaxAl1-xAs（ｘ
＝0.7〜0.8）の系においては、前述したようにエネルギ
ーギャップ差は約0.2eVまでに制限されてしまう。この
ように、エネルギーギャップ差が小さいこと、即ち、ヘ
テロ界面でのエネルギー不連続の大きさが小さいこと
は、前述した二次元電子ガス層における電子の閉じこめ
効果を減少させ、室温における二次元電子ガス形成の度
合を低くし、ヘテロ界面における電子移動度を低下させ
ることになる。
0.52Al0.48As等の３元混晶や、さらには４元混晶といっ
たものは、一般に格子整合させるための組成制御が複雑
化し成長技術上、極めて困難になり、また再現性が悪く
なるとともに、ウェハー面内での組成分布を均一化する
ことが困難になる等の新たな問題を発生させることにな
る。このことから、半絶縁性基板とエピタキシャル層と
の界面、並びにチャンネル層と電子供給層とのヘテロ界
面の両方において格子整合条件を満足する２元化合物同
士の組み合わせとして、GaAs−AlAs（またはGaxAl1-xA
s）が圧倒的に多く研究されている。GaxAl1-xAsについ
ては、第４図から明らかなように、GaAsとAlAsの格子不
整が約0.3％と小さいため、GaxAl1-xAsの組成ｘがどの
ようであろうとも、GaAsとの格子整合条件を満足してい
るために、InxGa1-xAs−InxAl1-xAs等の組み合わせに比
べれば厳密な組成制御を必要とせず、ゆえに成長技術上
も困難ではない。しかしながら、GaAs−GaxAl1-xAs（ｘ
＝0.7〜0.8）の系においては、前述したようにエネルギ
ーギャップ差は約0.2eVまでに制限されてしまう。この
ように、エネルギーギャップ差が小さいこと、即ち、ヘ
テロ界面でのエネルギー不連続の大きさが小さいこと
は、前述した二次元電子ガス層における電子の閉じこめ
効果を減少させ、室温における二次元電子ガス形成の度
合を低くし、ヘテロ界面における電子移動度を低下させ
ることになる。
このように従来の構造において、二次元電子ガス層に
おける電子移動度が低温から室温に近づくにしたがって
急激に減少するという事実は、T.J.Drummond他、J.App
l.Phys.53（1982）1023等に詳細に述べられている。
おける電子移動度が低温から室温に近づくにしたがって
急激に減少するという事実は、T.J.Drummond他、J.App
l.Phys.53（1982）1023等に詳細に述べられている。
＜発明の目的＞ この発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであ
り、室温における二次元電子ガス層内への電子の閉じこ
め効果の減少を抑制して室温においても高い電子移動度
を有するヘテロ界面を形成することができる化合物半導
体装置を提供することを目的としている。
り、室温における二次元電子ガス層内への電子の閉じこ
め効果の減少を抑制して室温においても高い電子移動度
を有するヘテロ界面を形成することができる化合物半導
体装置を提供することを目的としている。
＜問題点を解決するための手段＞ 上記の目的を達成するための、この発明の化合物半導
体装置は、厚みが16原子面以下のInxGa1-xAs化合物半導
体層（0.7≦ｘ≦1.0）と、厚みが14原子面以下のInyGa
1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ≦0.3）とを、前者の厚み
が後者の厚みよりも大きくなるように、交互に積層し、
かつInyGa1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）側のみに、ｎ側不純
物をドーピングすることによりInxGa1-xAs化合物半導体
層（0.7≦ｘ≦1.0）側の電子の存在確率を大きくしたチ
ャンネル層を有するものである。
体装置は、厚みが16原子面以下のInxGa1-xAs化合物半導
体層（0.7≦ｘ≦1.0）と、厚みが14原子面以下のInyGa
1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ≦0.3）とを、前者の厚み
が後者の厚みよりも大きくなるように、交互に積層し、
かつInyGa1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）側のみに、ｎ側不純
物をドーピングすることによりInxGa1-xAs化合物半導体
層（0.7≦ｘ≦1.0）側の電子の存在確率を大きくしたチ
ャンネル層を有するものである。
但し、上記チャンネル層全体におけるInとGaとの比率
In/Gaは1.1以上とされている。
In/Gaは1.1以上とされている。
また、上記チャンネル層は、化合物半導体装置の基板
としての半絶縁性GaAs基板、または半絶縁性InP基板上
に形成されていてもよく、また、厚みが14原子面以下の
InyGa1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ≦0.3）を最下層と
するものであってもよい。
としての半絶縁性GaAs基板、または半絶縁性InP基板上
に形成されていてもよく、また、厚みが14原子面以下の
InyGa1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ≦0.3）を最下層と
するものであってもよい。
＜作用＞ 以上の構成の化合物半導体装置であれば、格子不整転
位を導入することなく、InxGa1-xAs化合物半導体層（0.
7≦ｘ≦1.0）と、InyGa1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ≦
0.3）とを交互に積層させることができるだけでなく、
エネルギーギャップをも大きくすることができ、高電子
移動度を達成することができる。
位を導入することなく、InxGa1-xAs化合物半導体層（0.
7≦ｘ≦1.0）と、InyGa1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ≦
0.3）とを交互に積層させることができるだけでなく、
エネルギーギャップをも大きくすることができ、高電子
移動度を達成することができる。
さらに詳細に説明すると、MBE成長法または有機金属
気相成長法等を用いると、格子定数の異なる化合物半導
体薄膜を、その薄膜内に転位等の欠陥を導入することな
く、エピタキシャル成長させることが可能である（M.J.
Ludowise他、A.P.L.42（1983）487、またはG.C.Osbourn
他、A.P.L.41（1982）172参照）。
気相成長法等を用いると、格子定数の異なる化合物半導
体薄膜を、その薄膜内に転位等の欠陥を導入することな
く、エピタキシャル成長させることが可能である（M.J.
Ludowise他、A.P.L.42（1983）487、またはG.C.Osbourn
他、A.P.L.41（1982）172参照）。
以上の知見に基づき、本発明者は以下のように考え、
本発明を完成した。
本発明を完成した。
例えば、InAs（InxGa1-xAsのｘ＝１の場合）とGaAs
（InyGa1-yAsのｙ＝０の場合）の格子不整は、および７
％であるが、このような組み合わせの場合、各々の厚み
が約50Å（原子面数にすると、GaAsの場合約18原子面、
InAsの場合約16原子面）までであれば、格子不整転位を
導入することなく、InAsとGaAsを交互に積層させること
ができる。この事実については、InAsの厚みを16原子面
より大きくし、或はGaAsの厚みを18原子面より大きくし
てInAsとGaAsとの多層周期構造を形成した状態において
透過型電子顕微鏡により観察することにより、格子不整
に基く転位が発生していることを確認し、逆に、上記厚
み以下の多層周期構造を形成した状態において格子不整
に基く転位が発生していないことを確認した。
（InyGa1-yAsのｙ＝０の場合）の格子不整は、および７
％であるが、このような組み合わせの場合、各々の厚み
が約50Å（原子面数にすると、GaAsの場合約18原子面、
InAsの場合約16原子面）までであれば、格子不整転位を
導入することなく、InAsとGaAsを交互に積層させること
ができる。この事実については、InAsの厚みを16原子面
より大きくし、或はGaAsの厚みを18原子面より大きくし
てInAsとGaAsとの多層周期構造を形成した状態において
透過型電子顕微鏡により観察することにより、格子不整
に基く転位が発生していることを確認し、逆に、上記厚
み以下の多層周期構造を形成した状態において格子不整
に基く転位が発生していないことを確認した。
また、一般に、転位等の格子欠陥が存在すると、結晶
の電気的特性、および光学的特性が著しく劣化するので
あり、本件発明者が作製した多層周期構造の電気的特性
についても、格子不整に基く転位が発生している試料の
電気的特性が、格子不整に基く転位が発生していない試
料の電気的特性と比べて悪いことが確認された。
の電気的特性、および光学的特性が著しく劣化するので
あり、本件発明者が作製した多層周期構造の電気的特性
についても、格子不整に基く転位が発生している試料の
電気的特性が、格子不整に基く転位が発生していない試
料の電気的特性と比べて悪いことが確認された。
InAsの格子定数（約6.05Å）は、GaAsの格子定数（約
5.65Å）に比べて大きいことから、InAsとGaAsとの界面
近傍においては、弾性歪みのためにInAs結晶内の原子配
列は、本来の、弾性歪みの存在しないときの構造である
第５図（ａ）とは異なり第５図（ｂ）のような構造にな
っている。以上のことから、InAs層とGaAs層の薄膜層を
交互に積層し、GaAs層側のみにｎ型不純物をドーピング
した構造を形成することにより、InAs−GaAs界面におい
て、結晶格子が弾性的に正方晶変形しているInAs層側で
の電子の存在確率を大きくすることができる。しかも第
４図から明らかなように、GaAsとInAsのエネルギーギャ
ップの差は約1.0eVであり、GaAsとAlAsのエネルギーギ
ャップ差よりも大きくなる。このため、InAs層内への電
子の閉じこめ効果の減少を、GaAs−AlAsの組み合わせの
場合に比べて著しく抑制することができる。即ち、弾性
的に正方晶変形しているInAs側での電子の存在確立を大
きくすることができる。そして、InAsとGaAsとのエネル
ギーギャップ差は従来のGaAsとGaxAl1-xAsとのエネルギ
ーギャップ差に比べて大きく、室温においても、InAs層
内での電子の存在確率が大きく、ゆえに電子移動度が増
大する。
5.65Å）に比べて大きいことから、InAsとGaAsとの界面
近傍においては、弾性歪みのためにInAs結晶内の原子配
列は、本来の、弾性歪みの存在しないときの構造である
第５図（ａ）とは異なり第５図（ｂ）のような構造にな
っている。以上のことから、InAs層とGaAs層の薄膜層を
交互に積層し、GaAs層側のみにｎ型不純物をドーピング
した構造を形成することにより、InAs−GaAs界面におい
て、結晶格子が弾性的に正方晶変形しているInAs層側で
の電子の存在確率を大きくすることができる。しかも第
４図から明らかなように、GaAsとInAsのエネルギーギャ
ップの差は約1.0eVであり、GaAsとAlAsのエネルギーギ
ャップ差よりも大きくなる。このため、InAs層内への電
子の閉じこめ効果の減少を、GaAs−AlAsの組み合わせの
場合に比べて著しく抑制することができる。即ち、弾性
的に正方晶変形しているInAs側での電子の存在確立を大
きくすることができる。そして、InAsとGaAsとのエネル
ギーギャップ差は従来のGaAsとGaxAl1-xAsとのエネルギ
ーギャップ差に比べて大きく、室温においても、InAs層
内での電子の存在確率が大きく、ゆえに電子移動度が増
大する。
さらに、InAs−GaAs界面において、InAs層が、第５図
（ｂ）に示すように弾性歪みにより正方晶変形している
ことにより、InAs層内のＸ方向に進行する電子に対し
て、原子振動による格子散乱の度合いが、弾性歪みの存
在しない第５図（ａ）の場合に比べて小さくすることも
できる。この結果、室温における電子の散乱機構である
格子散乱をも低減することができる。本来、GaAs結晶と
InAs結晶内の室温における電子移動度は、InAsの方が大
きいのであるが、上記のように弾性歪みによりInAsが正
方晶変形することにより、正方晶変形していない本来の
InAs結晶に比べて、正方晶変形したInAs層内のＸ方向に
進行する電子の室温における移動度は大きくなる。した
がって、従来の化合物半導体装置に比較して、高速に動
作する化合物半導体装置を実現することができる。尚、
このように、InAs層とGaAs層の薄膜層を交互に積層し、
GaAs層側のみにｎ型不純物をドーピングしてチャンネル
層を形成した化合物半導体装置は、従来までは存在しな
かった。
（ｂ）に示すように弾性歪みにより正方晶変形している
ことにより、InAs層内のＸ方向に進行する電子に対し
て、原子振動による格子散乱の度合いが、弾性歪みの存
在しない第５図（ａ）の場合に比べて小さくすることも
できる。この結果、室温における電子の散乱機構である
格子散乱をも低減することができる。本来、GaAs結晶と
InAs結晶内の室温における電子移動度は、InAsの方が大
きいのであるが、上記のように弾性歪みによりInAsが正
方晶変形することにより、正方晶変形していない本来の
InAs結晶に比べて、正方晶変形したInAs層内のＸ方向に
進行する電子の室温における移動度は大きくなる。した
がって、従来の化合物半導体装置に比較して、高速に動
作する化合物半導体装置を実現することができる。尚、
このように、InAs層とGaAs層の薄膜層を交互に積層し、
GaAs層側のみにｎ型不純物をドーピングしてチャンネル
層を形成した化合物半導体装置は、従来までは存在しな
かった。
以上の事柄は、InAsをInxGa1-xAs層（0.7≦ｘ≦1.0）
に、GaAs層をInyGa1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）に、それぞ
れ置きかえた構造においても、同様に言える。この場合
においても、InxGa1-xAs層（0.7≦ｘ≦1.0）とInyGa1-y
As層（０≦ｙ≦0.3）とのエネルギーギャップの差は、I
n0.53Ga0.47AsとIn0.52Al0.48Asとのエネルギーギャッ
プの差に比べて、同程度か、もしくは大きくなる。
に、GaAs層をInyGa1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）に、それぞ
れ置きかえた構造においても、同様に言える。この場合
においても、InxGa1-xAs層（0.7≦ｘ≦1.0）とInyGa1-y
As層（０≦ｙ≦0.3）とのエネルギーギャップの差は、I
n0.53Ga0.47AsとIn0.52Al0.48Asとのエネルギーギャッ
プの差に比べて、同程度か、もしくは大きくなる。
また、本件発明者は、上述の多層周期構造からなるチ
ャンネル層全体におけるInとGaとの比率In/Gaを1.1以上
とすることにより、電気的特性（電子移動度）を良好に
することができることを発見した。この発見は、上記チ
ャンネル層全体におけるInとGaとの比率を種々変化させ
て化合物半導体装置を作製し、電気的特性を測定した結
果、両者の比率In/Gaが1.1以上の場合と1.1より小さい
場合とでは、1.1以上の場合の方が電気的特性が良好で
あることに基いてなされた。
ャンネル層全体におけるInとGaとの比率In/Gaを1.1以上
とすることにより、電気的特性（電子移動度）を良好に
することができることを発見した。この発見は、上記チ
ャンネル層全体におけるInとGaとの比率を種々変化させ
て化合物半導体装置を作製し、電気的特性を測定した結
果、両者の比率In/Gaが1.1以上の場合と1.1より小さい
場合とでは、1.1以上の場合の方が電気的特性が良好で
あることに基いてなされた。
＜実施例＞ 以下の図面を参照して本発明について詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明による化合物半導体装置の実施例を
図解した断面図である。
図解した断面図である。
第１図に示すFETは、半絶縁性InP基板（８）上にMBE
成長法を用いて形成されたInAs層（３原子面厚）（１）
とGaAs層（１原子面厚）（２）とを交互に積層させた構
造のチャンネル層を有している。但し、１原子面厚と
は、III族原子（Ga,In等）の存在する格子面間の距離を
意味する。
成長法を用いて形成されたInAs層（３原子面厚）（１）
とGaAs層（１原子面厚）（２）とを交互に積層させた構
造のチャンネル層を有している。但し、１原子面厚と
は、III族原子（Ga,In等）の存在する格子面間の距離を
意味する。
GaAs層には、ｎ型不純物としてSiがドーピングされて
いる。各層数は、InAs層、GaAs層とも150層づつ形成さ
れており、チャンネル層の厚みは約0.18μｍである。チ
ャンネル層全体の平均キャリア密度は、約１×1017cm-3
〜５×1017cm-3に選定した。
いる。各層数は、InAs層、GaAs層とも150層づつ形成さ
れており、チャンネル層の厚みは約0.18μｍである。チ
ャンネル層全体の平均キャリア密度は、約１×1017cm-3
〜５×1017cm-3に選定した。
第２図に、このチャンネル層（試料S3）の電子移動度
の温度依存性に関する測定結果を示した。
の温度依存性に関する測定結果を示した。
参考までに、In組成が、試料S3よりも大きなInxGa1-x
As混晶（ｘ≧0.8）についての測定結果（試料Al）も示
した。第２図より明らかなように、低温域においては、
試料S3の電子移動度は、試料Alのそれに比べて小さいに
もかかわらず、高温域においては、逆に試料S3の電子移
動度は、試料Alのそれよりも大きくなる。しかも、一般
に、In組成が高い程、高温域での電子移動度は大きくな
るはずであるが、試料S3のIn組成は、試料Alのそれに比
べて低い。このことは、高温域において支配的となる、
電子に対する散乱因子が、原子振動によるものであるこ
とから、試料S3のように周期構造にすることにより、原
子振動による散乱の度合いが小さくなったものと考えら
れる。また試料S3においては、電子の存在確率が、InAs
層内で高くなっていると考えれば、試料S3の電子振動度
は、チャンネル層の平均In組成から推定した電子移動度
よりもより大きくなっていると考えられる。
As混晶（ｘ≧0.8）についての測定結果（試料Al）も示
した。第２図より明らかなように、低温域においては、
試料S3の電子移動度は、試料Alのそれに比べて小さいに
もかかわらず、高温域においては、逆に試料S3の電子移
動度は、試料Alのそれよりも大きくなる。しかも、一般
に、In組成が高い程、高温域での電子移動度は大きくな
るはずであるが、試料S3のIn組成は、試料Alのそれに比
べて低い。このことは、高温域において支配的となる、
電子に対する散乱因子が、原子振動によるものであるこ
とから、試料S3のように周期構造にすることにより、原
子振動による散乱の度合いが小さくなったものと考えら
れる。また試料S3においては、電子の存在確率が、InAs
層内で高くなっていると考えれば、試料S3の電子振動度
は、チャンネル層の平均In組成から推定した電子移動度
よりもより大きくなっていると考えられる。
また、InP基板上に、GaAs側のみにSiをドーピングし
ながらInAs−GaAs超格子を作製し、InとGaとの比率In/G
aを変化させたものについて電子移動度をホール測定に
より測定した結果が第６図であり、上記比率を1.1以上
とすることにより電子移動度が急激に増大することが分
った。そして、電子移動度を増大させることができれ
ば、FETの動作速度を速くすることができる。また、InA
sを16原子面以下、GaAsを14原子面以下の厚みにした場
合には、格子不整転位等の結晶欠陥の発生が観察され
ず、上記比率が1.1以上の場合に高い電子移動度を達成
することができたが、前者が約17原子面以上、後者が19
原子面以上の厚みの場合には、格子不整転位が発生し、
電子移動度が低くなった。また、後者が15〜18原子面の
厚みであれば、上記比率を1.1以上にするとInAsが17〜2
0原子面以上の厚みになってしまうのであるから、InAs
層の内部に格子不整転位が発生し、電子移動度が低くな
った。
ながらInAs−GaAs超格子を作製し、InとGaとの比率In/G
aを変化させたものについて電子移動度をホール測定に
より測定した結果が第６図であり、上記比率を1.1以上
とすることにより電子移動度が急激に増大することが分
った。そして、電子移動度を増大させることができれ
ば、FETの動作速度を速くすることができる。また、InA
sを16原子面以下、GaAsを14原子面以下の厚みにした場
合には、格子不整転位等の結晶欠陥の発生が観察され
ず、上記比率が1.1以上の場合に高い電子移動度を達成
することができたが、前者が約17原子面以上、後者が19
原子面以上の厚みの場合には、格子不整転位が発生し、
電子移動度が低くなった。また、後者が15〜18原子面の
厚みであれば、上記比率を1.1以上にするとInAsが17〜2
0原子面以上の厚みになってしまうのであるから、InAs
層の内部に格子不整転位が発生し、電子移動度が低くな
った。
MBE成長した試料の最表面には、AuGeNi合金を用い
て、チャンネル層との間にオーミック接合を成形するよ
うにソース電極（３）並びにドレイン電極（４）が設け
られている。オーミック接合を形成する際には、AuGeNi
合金を蒸着した後、400℃で合金化処理を行なった。そ
の際にAuとGe原子がチャンネル層内に拡散し、その拡散
した領域（６）においては、InAsとGaAsの周期構造が破
壊され、混晶になってしまっているために、容易にオー
ミック接合を形成することができる。このように、部分
的な選択拡散によつて、薄膜層による周期構造が破壊さ
れて混晶化が起こるという現象は、N.Holonyak他、A.P.
L.39（1981）102等に詳しく述べられている。さらに、M
BE成長した試料の最表面に部分的に酸化膜（７）を形成
した後、Alを蒸着することによって、試料最表面にゲー
ト電極（５）が設けられている。ただし、ゲート電極形
成方法は、これに限るものではなく、従来公知の種々の
方法を採用することができる。
て、チャンネル層との間にオーミック接合を成形するよ
うにソース電極（３）並びにドレイン電極（４）が設け
られている。オーミック接合を形成する際には、AuGeNi
合金を蒸着した後、400℃で合金化処理を行なった。そ
の際にAuとGe原子がチャンネル層内に拡散し、その拡散
した領域（６）においては、InAsとGaAsの周期構造が破
壊され、混晶になってしまっているために、容易にオー
ミック接合を形成することができる。このように、部分
的な選択拡散によつて、薄膜層による周期構造が破壊さ
れて混晶化が起こるという現象は、N.Holonyak他、A.P.
L.39（1981）102等に詳しく述べられている。さらに、M
BE成長した試料の最表面に部分的に酸化膜（７）を形成
した後、Alを蒸着することによって、試料最表面にゲー
ト電極（５）が設けられている。ただし、ゲート電極形
成方法は、これに限るものではなく、従来公知の種々の
方法を採用することができる。
以上のようなFETの構造において、InAs層は、第５図
（ｂ）のように結晶構造が弾性的に正方晶変形してお
り、またInAsとGaAsの界面には従来のGaAs−GaxAl1-xAs
系よりも大きなエネルギー不連続が存在しており、かつ
GaAs層のみにSiがドーピングされていることにより、室
温においても、InAs層内での電子の存在確率を、GaAs層
内のそれに比べて高くすることができる。そして、この
ようなFET構造において、ゲート電極に加える電圧を制
御することにより、ゲート電極下の約0.18μｍ厚のチャ
ンネル層の空乏化の度合いを制御することができ、従来
のGaAs−GaxAl1-xAs系を用いたFETに比べて、高電界印
加時での、または、室温での特性が良好なFETが得られ
る。
（ｂ）のように結晶構造が弾性的に正方晶変形してお
り、またInAsとGaAsの界面には従来のGaAs−GaxAl1-xAs
系よりも大きなエネルギー不連続が存在しており、かつ
GaAs層のみにSiがドーピングされていることにより、室
温においても、InAs層内での電子の存在確率を、GaAs層
内のそれに比べて高くすることができる。そして、この
ようなFET構造において、ゲート電極に加える電圧を制
御することにより、ゲート電極下の約0.18μｍ厚のチャ
ンネル層の空乏化の度合いを制御することができ、従来
のGaAs−GaxAl1-xAs系を用いたFETに比べて、高電界印
加時での、または、室温での特性が良好なFETが得られ
る。
尚、第１図の実施例においては、チャンネル層の最下
層がInAs層（１）であるが、最下層をGaAs層としては、
チャンネル層を形成すれば、チャンネル層最表面の平坦
度が改善され、よりショットキー特性の良好なゲート電
極が得られる。
層がInAs層（１）であるが、最下層をGaAs層としては、
チャンネル層を形成すれば、チャンネル層最表面の平坦
度が改善され、よりショットキー特性の良好なゲート電
極が得られる。
また、以上の実施例においてはFETについてのみ説明
したが、HEMT等のチャンネル層を有する化合物半導体装
置にも適用できることは勿論である。
したが、HEMT等のチャンネル層を有する化合物半導体装
置にも適用できることは勿論である。
＜発明の効果＞ 本発明の化合物半導体装置によれば、厚みが16原子面
以下のInxGa1-xAs化合物半導体層（0.7≦ｘ≦1.0）と厚
みが14原子面以下のInyGa1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ
≦0.3）とを、前者の厚みが後者の厚みよりも大きくな
るように、交互に積層し、InyGa1-yAs化合物半導体層
（０≦ｙ≦0.3）側のみにｎ型不純物をドーピングする
ことにより、弾性的に正方晶変形しているInxGa1-xAs化
合物半導体層（0.7≦ｘ≦1.0）側での電子の存在確率を
大きくすることができる。そして、InxGa1-xAs化合物半
導体（0.7≦ｘ≦1.0）とInyGa1-yAs化合物半導体（０≦
ｙ≦0.3）とのエネルギーギャップ差は従来のGaAsとGax
Al1-xAsとのエネルギーギャップ差に比べて大きく、室
温においても、InxGa1-xAs化合物半導体層（0.7≦ｘ≦
1.0）層内での電子の存在確率が大きく、ゆえに電子移
動度が増大する。
以下のInxGa1-xAs化合物半導体層（0.7≦ｘ≦1.0）と厚
みが14原子面以下のInyGa1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ
≦0.3）とを、前者の厚みが後者の厚みよりも大きくな
るように、交互に積層し、InyGa1-yAs化合物半導体層
（０≦ｙ≦0.3）側のみにｎ型不純物をドーピングする
ことにより、弾性的に正方晶変形しているInxGa1-xAs化
合物半導体層（0.7≦ｘ≦1.0）側での電子の存在確率を
大きくすることができる。そして、InxGa1-xAs化合物半
導体（0.7≦ｘ≦1.0）とInyGa1-yAs化合物半導体（０≦
ｙ≦0.3）とのエネルギーギャップ差は従来のGaAsとGax
Al1-xAsとのエネルギーギャップ差に比べて大きく、室
温においても、InxGa1-xAs化合物半導体層（0.7≦ｘ≦
1.0）層内での電子の存在確率が大きく、ゆえに電子移
動度が増大する。
また、InxGa1-xAs化合物半導体（0.7≦ｘ≦1.0）の格
子定数はInyGa1-yAs化合物半導体（０≦ｙ≦0.3）の格
子定数より著しく大きいために、InxGa1-xAs化合物半導
体層（0.7≦ｘ≦1.0）に弾性的な正方晶変形が生じ、In
xGa1-xAs化合物半導体層（0.7≦ｘ≦1.0）とInyGa1-yAs
化合物半導体層（０≦ｙ≦0.3）との界面に平行な方向
に電子が移動する際の格子散乱が減少し、この効果によ
っても電子移動度が増大する。したがって、従来の化合
物半導体装置に比較して、高速に動作する半導体装置が
実現できる。
子定数はInyGa1-yAs化合物半導体（０≦ｙ≦0.3）の格
子定数より著しく大きいために、InxGa1-xAs化合物半導
体層（0.7≦ｘ≦1.0）に弾性的な正方晶変形が生じ、In
xGa1-xAs化合物半導体層（0.7≦ｘ≦1.0）とInyGa1-yAs
化合物半導体層（０≦ｙ≦0.3）との界面に平行な方向
に電子が移動する際の格子散乱が減少し、この効果によ
っても電子移動度が増大する。したがって、従来の化合
物半導体装置に比較して、高速に動作する半導体装置が
実現できる。
さらに、チャンネル層全体におけるInとGaとの比率In
/Gaを1.1以上としたことにより、電子移動度のさらなる
増大が図られており、これにより、従来の半導体装置に
比較して格段に高速に動作することができる半導体装置
が実現される。
/Gaを1.1以上としたことにより、電子移動度のさらなる
増大が図られており、これにより、従来の半導体装置に
比較して格段に高速に動作することができる半導体装置
が実現される。
第１図は、本発明による化合物半導体装置の一実施例と
してのFETの概略断面図、 第２図は、本発明によるチャンネル層の電子移動度の温
度依存性を、混晶と比較した測定結果を示す図、 第３図は、従来の高電子移動度FETの概略断面図、 第４図は、従来の化合物半導体のエネルギーギャップと
格子定数との関係を説明するための図、 第５図（ａ）は、弾性歪みのない従来の結晶構造（立方
晶結晶）の概略図、 第５図（ｂ）は、弾性歪みによって正方晶変形した結晶
構造の概略図、 第６図はInAs−GaAs超格子の、電子移動度と比率In/Ga
との関係の測定結果を示す図。 （１）……エピタキシャルInAs層、 （２）……SiドープのエピタキシャルGaAs層、 （３）……ソース電極、（４）……ドレイン電極、 （５）……ゲート電極、 （６）……AuGeNi電極を合金化処理した際に周期構造が
こわれ混晶化した領域、 （７）……酸化膜、（８）……半絶縁性InP基板
してのFETの概略断面図、 第２図は、本発明によるチャンネル層の電子移動度の温
度依存性を、混晶と比較した測定結果を示す図、 第３図は、従来の高電子移動度FETの概略断面図、 第４図は、従来の化合物半導体のエネルギーギャップと
格子定数との関係を説明するための図、 第５図（ａ）は、弾性歪みのない従来の結晶構造（立方
晶結晶）の概略図、 第５図（ｂ）は、弾性歪みによって正方晶変形した結晶
構造の概略図、 第６図はInAs−GaAs超格子の、電子移動度と比率In/Ga
との関係の測定結果を示す図。 （１）……エピタキシャルInAs層、 （２）……SiドープのエピタキシャルGaAs層、 （３）……ソース電極、（４）……ドレイン電極、 （５）……ゲート電極、 （６）……AuGeNi電極を合金化処理した際に周期構造が
こわれ混晶化した領域、 （７）……酸化膜、（８）……半絶縁性InP基板
Claims (4)
- 【請求項１】厚みが16原子面以下のInxGa1-xAs化合物半
導体層（0.7≦ｘ≦1.0）と、厚みが14原子面以下のInyG
a1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ≦0.3）とを、前者の厚
みが後者の厚みよりも大きくなるように、交互に積層
し、かつInyGa1-yAs層（０≦ｙ≦0.3）側のみに、ｎ型
不純物をドーピングすることによりInxGa1-xAs化合物半
導体層（0.7≦ｘ≦1.0）側の電子の存在確率を大きくし
たチャンネル層を有しており、 上記チャンネル層全体におけるInとGaとの比率In/Gaが
1.1以上とされていることを特徴とする化合物半導体装
置。 - 【請求項２】チャンネル層が、半絶縁性GaAs基板上に形
成されている上記特許請求の範囲第１項記載の化合物半
導体装置。 - 【請求項３】チャンネル層が、半絶縁性InP基板上に形
成されている上記特許請求の範囲第１項記載の化合物半
導体装置。 - 【請求項４】チャンネル層が、厚みが14原子面以下のIn
yGa1-yAs化合物半導体層（０≦ｙ≦0.3）を最下層とす
るものである上記特許請求の範囲第１項記載の化合物半
導体装置。
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