KR930001468A - 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 제1의 실시예의 바이폴라 트랜지스터의 단면도.
제3도∼제13도는 제2도에 도시한 바이폴라 트랜지스터 제조방법의 다른 공정에서의 가공물의 단면도.
제14도a 및 제14도b는 본 발명의 효과를 설명하는 데 유용한 도면.
제15도∼제21도는 본 발명에 따른 제2의 실시예의 바이폴라 트랜지스터의 제조방법의 다른 공정에서의 가공물의 단면도.
제22∼제29도는 본 발명에 따른 제3의 실시예의 바이폴라 트랜지스터의 제조방법의 다른 공정에서의 가공물의 단면도.
제30도는 본 발명에 따른 제4의 실시예의 바이폴라 트랜지스터의 단면도.
제31도는 본 발명에 따른 제5의 실시예의 바이폴라 트랜지스터의 단면도.
제32도는 본 발명에 따른 제6의 실시예의 바이폴라 트랜지스터의 단면도.
Claims (6)
- 단결정 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 표면 영역에 형성된 제1도전형의 제1영역, 상기 반도체 기판의 주표면에 상기 제1영역의 위면 영역에 형성되고 상기 제1도전형에 반대인 제2도전형의 제2영역, 상기 제1영역의 밑면과 접촉하도록 형성된 상기 제2도전형의 제3영역, 상기 제2영역의 위면이 노출하는 윈도우를 갖는 상기 반도체 기판의 주면에 형성된 제1의 절연막, 상기 제1영역의 노출된 부분에 전기적으로 접속되고 상기 제1영역을 둘러싸도록 상기 제1의 절연막상에 형성된 전극영역, 상기 제1영역의 일부를 형성하도록 상기 제1의 절연막의 위면상으로 연장하는 상기 전극 영역의 제1부분, 상기 전극 영역상에 형성된 제2의 절연막과 상기 제2의 절연막에 형성된 윈도우를 거쳐 상기 전극 영역의 상기 제1부분의 소정의 부분의 위면과 전기적으로 접속된 전극을 포함하며, 상기 제1부분이외의 상기 전극 영역의 폭은 상기 제1부분의 상기 전극 영역의 두게와 동일하고, 상기 제1부분의 위면에는 금속 실리사이드막이 배치되어 있는 반도체 장치.
- 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1영역, 상기 제2영역 및 상기 제3영역은 각각 바이폴라 트랜지스터의 베이스, 이미터 및 컬렉터를 포함하는 반도체 장치.
- 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 전극 영역은 다결정 실리콘을 포함하는 반도체 장치.
- 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드는 텅스텐 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 탄탈륨 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드, 코발트 실리사이드, 구리 실리사이드,백금 실리사이드, 지르코늄 실리사이드, 하프늄 실리사이드, 망간 실리사이드, 이리듐 실리사이드, 바나늄 실리사이드 및 니오브 실리사이드로 구성된 군에서 선택된 하나인 반도체 장치.
- 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1영역이외의 상기 전극 영역은 평면에 대해 일정하고, 상기 제1부분의 상기 소정의 부분은 상기 실리사이드막을 거쳐 상기 게이트 전극에 전기적으로 접속되어 있는 반도체 장치.
- 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드막은 상기 제1부분의 위면 및 측면에 배치되어 있는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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