JPH01283953A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01283953A JPH01283953A JP63115231A JP11523188A JPH01283953A JP H01283953 A JPH01283953 A JP H01283953A JP 63115231 A JP63115231 A JP 63115231A JP 11523188 A JP11523188 A JP 11523188A JP H01283953 A JPH01283953 A JP H01283953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- insulating film
- high resistance
- conductor layer
- resistance region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/15—Static random access memory [SRAM] devices comprising a resistor load element
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は半導体装置の抵抗素子構造に関する。
（従来の技術］
集積度の向上につれて、高抵抗多結晶シリコン負荷型ス
タチックＲＡＭの場合、消費電力が増加する。この消費
電力を下げるために高い抵抗を有する多結晶シリコン抵
抗技術の重要性がますます高くなってきている。
タチックＲＡＭの場合、消費電力が増加する。この消費
電力を下げるために高い抵抗を有する多結晶シリコン抵
抗技術の重要性がますます高くなってきている。
従来の半導体装置の抵抗素子構造は、第２図にある様に
配線となるリンやボロンなどの不純物を注入した低抵抗
領域２０３と、不純物を含まない、もしくは微量の不純
物を含む高抵抗領域２０４が上の素子（例えば配線）２
０６などと、第２絶縁膜２０５のみを介して形成されて
いた。
配線となるリンやボロンなどの不純物を注入した低抵抗
領域２０３と、不純物を含まない、もしくは微量の不純
物を含む高抵抗領域２０４が上の素子（例えば配線）２
０６などと、第２絶縁膜２０５のみを介して形成されて
いた。
［発明が解決しようとする課Ｂ１
この従来技術では、高い抵抗を有する多結晶シリコン抵
抗素子を得るために、前記高抵抗領域２０４の膜厚を、
薄くする方法がある。しかし、この前記高抵抗領域２０
４を薄くすると、上の素子２０６の影響を受けやすくな
る。前記低抵抗領域２０３をソース及びドレイン、前記
高抵抗領域２０４を半導体基板、上の素子（例えば配＃
Ｊｉｌ）２０６をゲートとした。いわゆる多結晶シリコ
ントランジスター構造となり、前記高抵抗領域２０４の
シート抵抗が上の素子（配線）２０６の電界により変化
してしまう、このことは、林、野口、太陽Ｊｐｎ、Ｊ、
Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、２３ （１９８４）Ｌ８１９＆２
４ （１９８５）Ｌ４３４５により開示された技術であ
る。
抗素子を得るために、前記高抵抗領域２０４の膜厚を、
薄くする方法がある。しかし、この前記高抵抗領域２０
４を薄くすると、上の素子２０６の影響を受けやすくな
る。前記低抵抗領域２０３をソース及びドレイン、前記
高抵抗領域２０４を半導体基板、上の素子（例えば配＃
Ｊｉｌ）２０６をゲートとした。いわゆる多結晶シリコ
ントランジスター構造となり、前記高抵抗領域２０４の
シート抵抗が上の素子（配線）２０６の電界により変化
してしまう、このことは、林、野口、太陽Ｊｐｎ、Ｊ、
Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、２３ （１９８４）Ｌ８１９＆２
４ （１９８５）Ｌ４３４５により開示された技術であ
る。
したがって従来の技術では、抵抗値が安定した高い抵抗
値を有する多結晶シリコン抵抗素子を作ることは困難で
あり、高い抵抗値を得るに比抵抗素子長を長くとらなけ
ればならないので、高集積化が不可能であるという問題
点を有する。
値を有する多結晶シリコン抵抗素子を作ることは困難で
あり、高い抵抗値を得るに比抵抗素子長を長くとらなけ
ればならないので、高集積化が不可能であるという問題
点を有する。
〔課題を解決するための手段１
本発明の半導体装置は、半導体基板上に第１絶縁膜を介
して形成されている、配線となる低抵抗領域と、抵抗体
となる高抵抗領域とからなる、多結晶もしくは単結晶シ
リコン抵抗素子において、前記高抵抗領域上には第２絶
縁膜が形成されており、かつ前記高抵抗領域上の前記第
２絶縁膜上には、すくなくとも１層の接地された導体層
を有することを特徴とする。
して形成されている、配線となる低抵抗領域と、抵抗体
となる高抵抗領域とからなる、多結晶もしくは単結晶シ
リコン抵抗素子において、前記高抵抗領域上には第２絶
縁膜が形成されており、かつ前記高抵抗領域上の前記第
２絶縁膜上には、すくなくとも１層の接地された導体層
を有することを特徴とする。
［実 施 例１
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
である。ｌｏｔは半導体基板、１０２は抵抗素子と前記
半導体基板１０１とを分離する第１絶縁膜、１０３は抵
抗素子の低抵抗領域（配線）、１０４は抵抗素子の抵抗
体である高抵抗領域、１０５は導体層１０６と抵抗素子
とを分離する第２絶縁膜、１０７は第３絶縁膜、１０８
は上の素子で本実施例では配線である。なお前記導体層
１０６はどこかで接地されているものとする。
である。ｌｏｔは半導体基板、１０２は抵抗素子と前記
半導体基板１０１とを分離する第１絶縁膜、１０３は抵
抗素子の低抵抗領域（配線）、１０４は抵抗素子の抵抗
体である高抵抗領域、１０５は導体層１０６と抵抗素子
とを分離する第２絶縁膜、１０７は第３絶縁膜、１０８
は上の素子で本実施例では配線である。なお前記導体層
１０６はどこかで接地されているものとする。
以下、詳細は工程をおいながら説明していく（第３図）
。
。
まず第３図（ａ）の如く、半導体基板３０１と抵抗素子
とを分離するために、第１絶縁膜を形成する。モノシラ
ンガス及び酸素ガスを４００（’Ｃ）はどで熱反応させ
る言わゆる化学気相成長法によりシリコン酸化膜を３０
００ （人）形成するのが一般的な手法である。
とを分離するために、第１絶縁膜を形成する。モノシラ
ンガス及び酸素ガスを４００（’Ｃ）はどで熱反応させ
る言わゆる化学気相成長法によりシリコン酸化膜を３０
００ （人）形成するのが一般的な手法である。
次に第３図（ｂ）の如く、抵抗素子を形成するために第
１多結晶シリコン膜を形成する０通常モノシランガスを
６２０（’Ｃ）で熱分解させ、前記第１絶縁１１ｉ ３
０２上に前記第１多結晶シリコン膜を堆積する。なにも
不純物を注入していないもしくは微量の不純物（リンや
ボロンなと）を注入した第１多結晶シリコン膜を、抵抗
素子の抵抗体（高抵抗領域３０４）として用いる。その
抵抗値は、前記第１多結晶シリコン膜の膜厚で調節する
。その他の部分は不純物イオン打ち込みを行ないシート
抵抗値を下げて、抵抗素子の配線（低抵抗領域３０３）
として用いる。前記高抵抗領域３０４にしたい部分にレ
ジストを形成し、それをマスクとして第１不純物（リン
やボロン）イオン打ち込みをする。十分シート抵抗値を
下げるためにドーズ量は５ Ｘ Ｉ Ｏ１層ｃｍ−”以
上が良いであろう。そして、前記高抵抗領域３０４及び
前記低抵抗領域３０３以外の不要な部分を、フォト・エ
ツチングの方法により除去する。
１多結晶シリコン膜を形成する０通常モノシランガスを
６２０（’Ｃ）で熱分解させ、前記第１絶縁１１ｉ ３
０２上に前記第１多結晶シリコン膜を堆積する。なにも
不純物を注入していないもしくは微量の不純物（リンや
ボロンなと）を注入した第１多結晶シリコン膜を、抵抗
素子の抵抗体（高抵抗領域３０４）として用いる。その
抵抗値は、前記第１多結晶シリコン膜の膜厚で調節する
。その他の部分は不純物イオン打ち込みを行ないシート
抵抗値を下げて、抵抗素子の配線（低抵抗領域３０３）
として用いる。前記高抵抗領域３０４にしたい部分にレ
ジストを形成し、それをマスクとして第１不純物（リン
やボロン）イオン打ち込みをする。十分シート抵抗値を
下げるためにドーズ量は５ Ｘ Ｉ Ｏ１層ｃｍ−”以
上が良いであろう。そして、前記高抵抗領域３０４及び
前記低抵抗領域３０３以外の不要な部分を、フォト・エ
ツチングの方法により除去する。
次に第３図（ｃ）の如く、第２絶縁膜３０５を、前記第
１絶縁Ｉｌｌ ３０２と同様の方法で１０００（入）形
成する。そして次に導体層３０６を形成するために、第
２多結晶シリコン膜を前記第１多結晶シリコン膜と同様
の方法で１ｏｏｏ （人）前記第２絶縁膜３０５上に形
成する。導体化するために第２不純物イオン打ち込みを
する。この不純物注入も、十分前記第２多結晶シリコン
膜のシート抵抗値が下がる様に、５ Ｘ １０ ”ｃｍ
−”以上のドーズ量で打ち込むのが望ましい、そして前
記導体層３０６の、前記高抵抗領域３０４上の第２絶縁
ＩＩ！３０７上の部分及び、接地するのに必要な配線部
分以外を、フォト・エツチングの方法により除去する。
１絶縁Ｉｌｌ ３０２と同様の方法で１０００（入）形
成する。そして次に導体層３０６を形成するために、第
２多結晶シリコン膜を前記第１多結晶シリコン膜と同様
の方法で１ｏｏｏ （人）前記第２絶縁膜３０５上に形
成する。導体化するために第２不純物イオン打ち込みを
する。この不純物注入も、十分前記第２多結晶シリコン
膜のシート抵抗値が下がる様に、５ Ｘ １０ ”ｃｍ
−”以上のドーズ量で打ち込むのが望ましい、そして前
記導体層３０６の、前記高抵抗領域３０４上の第２絶縁
ＩＩ！３０７上の部分及び、接地するのに必要な配線部
分以外を、フォト・エツチングの方法により除去する。
この前記導体層３０６を、接地されている他の素子、も
しくは外部の接地端子と接続し、接地する。
しくは外部の接地端子と接続し、接地する。
次に第３図（ｄ）の如く、他の素子と前記導体層３０７
とを分離するために、第３絶縁膜３０７を、前記第１絶
縁膜３０２と同様な方法で２０００（人）形成し、本発
明の抵抗素子が完成する。
とを分離するために、第３絶縁膜３０７を、前記第１絶
縁膜３０２と同様な方法で２０００（人）形成し、本発
明の抵抗素子が完成する。
なお本実施例第３図（ｄ）では、前記第３絶縁膜３０７
上に、上の素子として、アルミニウム、もしくは高濃度
に不純物を注入した多結晶シリコンを材料とした配線が
形成されている場合をしめじた。
上に、上の素子として、アルミニウム、もしくは高濃度
に不純物を注入した多結晶シリコンを材料とした配線が
形成されている場合をしめじた。
なお、本実施例では、前記導体層３０６を形成するため
に、不純物を注入した多結晶シリコン膜を使用したが、
モリブデンやチタンなどの高融点金属を使用しても良い
。
に、不純物を注入した多結晶シリコン膜を使用したが、
モリブデンやチタンなどの高融点金属を使用しても良い
。
なお、本実施例では、多結晶シリコン抵抗素子の場合に
ついて述べたが、多結晶シリコンをレーザーアニールし
て単結晶化した単結晶シリコン抵抗素子でも良い。
ついて述べたが、多結晶シリコンをレーザーアニールし
て単結晶化した単結晶シリコン抵抗素子でも良い。
なお、本発明は上述の実施例に限定されず、その骨子を
脱しない範囲で種々変更が可能であることはいうまでも
ない。
脱しない範囲で種々変更が可能であることはいうまでも
ない。
〔発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、シリコン抵抗素子の
高抵抗領域上に、絶縁膜を介して接地された導体層を形
成することにより下記に列挙する効果が得られる。
高抵抗領域上に、絶縁膜を介して接地された導体層を形
成することにより下記に列挙する効果が得られる。
（１）上の素子の電界の影響を受けにくい安定した抵抗
値を有する抵抗素子を作ることが可能である。
値を有する抵抗素子を作ることが可能である。
（２）シリコン抵抗素子の膜厚を変えても、上の素子の
電界の影響を受けにくいので、種々の抵抗値を有する抵
抗素子を作ることが可能であり、微細化が可能である。
電界の影響を受けにくいので、種々の抵抗値を有する抵
抗素子を作ることが可能であり、微細化が可能である。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例を示す主要断面
図。 第２図は従来の半導体装置を示す主要断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体装置の製造工程
毎の主要断面図。 １０１・・・半導体基板 １０２・・・第１絶縁膜 １０３・・・低抵抗領域 １０４・・・高抵抗領域（抵抗体） １０５・・・第２絶縁膜 １０６・・・導体層 １０７・・・第３絶縁膜 １０８・・・配線 ２０１・・・半導体基板 ２０２・・・第１絶縁膜 ２０３・・・低抵抗領域 ２０４・・・高抵抗領域（抵抗体） ２０５・・・第２絶縁膜 ２０６・・・上の素子（配線） ３０１・・・半導体基板 ３０２・・・第１絶縁膜 ３０３・・・低抵抗領域 ３０４・・・高抵抗領域（抵抗体） ３０５・・・第２絶縁膜 ３０６・・・導体層 ３０７・・・第３絶縁膜 ３０８・・・上の素子（配線） 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）−’ｑｎｇ
−
図。 第２図は従来の半導体装置を示す主要断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体装置の製造工程
毎の主要断面図。 １０１・・・半導体基板 １０２・・・第１絶縁膜 １０３・・・低抵抗領域 １０４・・・高抵抗領域（抵抗体） １０５・・・第２絶縁膜 １０６・・・導体層 １０７・・・第３絶縁膜 １０８・・・配線 ２０１・・・半導体基板 ２０２・・・第１絶縁膜 ２０３・・・低抵抗領域 ２０４・・・高抵抗領域（抵抗体） ２０５・・・第２絶縁膜 ２０６・・・上の素子（配線） ３０１・・・半導体基板 ３０２・・・第１絶縁膜 ３０３・・・低抵抗領域 ３０４・・・高抵抗領域（抵抗体） ３０５・・・第２絶縁膜 ３０６・・・導体層 ３０７・・・第３絶縁膜 ３０８・・・上の素子（配線） 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）−’ｑｎｇ
−
Claims (1)
- （１）半導体基板上に第１絶縁膜を介して形成されてい
る、配線となる低抵抗領域と、抵抗体となる高抵抗領域
とからなる、多結晶もしくは単結晶シリコン抵抗素子に
おいて、前記高抵抗領域上には第２絶縁膜が形成されて
おり、かつ前記高抵抗領域上の前記第２絶縁膜上には、
すくなくとも１層の接地された導体層を有することを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115231A JPH01283953A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 半導体装置 |
| EP89905206A EP0365690B1 (en) | 1988-05-07 | 1989-04-25 | Semiconductor device and semiconductor memory device |
| PCT/JP1989/000433 WO1989011162A1 (en) | 1988-05-07 | 1989-04-25 | Semiconductor device and semiconductor memory device |
| DE68929121T DE68929121T2 (de) | 1988-05-07 | 1989-04-25 | Halbleiteranordnung und halbleiter-speicheranordnung |
| KR1019900700018A KR940001252B1 (ko) | 1988-05-07 | 1989-04-25 | 반도체 기억장치 |
| US07/821,250 US5254870A (en) | 1988-05-07 | 1992-01-10 | Static random access memory having memory cells with electric field shielding for cell load resistances |
| US08/523,370 US5523968A (en) | 1988-05-07 | 1995-08-31 | IC semiconductor memory devices with maintained stable operation and lower operating current characteristics |
| HK98115932A HK1014613A1 (en) | 1988-05-07 | 1998-12-28 | Semiconductor device and semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115231A JPH01283953A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283953A true JPH01283953A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14657595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63115231A Pending JPH01283953A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283953A (ja) |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63115231A patent/JPH01283953A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5393690A (en) | Method of making semiconductor having improved interlevel conductor insulation | |
| JP2825074B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4356040A (en) | Semiconductor device having improved interlevel conductor insulation | |
| GB2120849A (en) | Semiconductor integrated circuit capacitor | |
| EP0187475B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor devices having an oxygen-containing polycristalline silicon layer | |
| JPH01143252A (ja) | 半導体装置 | |
| GB2162999A (en) | Manufacturing insulated gate field effect transistors | |
| JPH01283953A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5842227A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5739059A (en) | Method of forming a semiconductor device having high and low resistance polysilicon | |
| JPS60193333A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5682060A (en) | Process for manufacturing integrated circuit capacitors and resistors and the capacitors and resistors | |
| JPH01281761A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2874885B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| EP0078221A2 (en) | Polycrystalline silicon diode with metal silicide contact | |
| JPH03211734A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03166728A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04162660A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05110103A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60115265A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0680797B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61111573A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6255312B2 (ja) | ||
| JPH10177956A (ja) | 半導体の製造方法及び半導体装置 | |
| JPH0271515A (ja) | 導電配線の形成方法 |