KR970077088A - 오버레이 버니어키 형성방법 - Google Patents

오버레이 버니어키 형성방법 Download PDF

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KR970077088A
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KR1019960017613A
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Inventor
박유식
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 오버레이 버니어 형성방법을 제공하는 것으로, 각각의 층에 대하여 여유마진이 작은 부분만 따로 따로 버니어키를 형성하므로써 스크라이브 라인 영역내의 공간을 확보할 수 있고, 여유마진이 작은 부분만 오버레이 관리를 하게 되므로 오배열을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

오버레이 버니어키 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조공정중 버니어키를 형성하는 방법을 도시한 평면도.

Claims (1)

  1. 실리콘기판의 액티브영역상에 콘택홀 및 폴리실리콘층을 순차적으로 형성할 때 스크라이브 라인 영역에 오버레이 버니어키를 형성하는 방법에 있어서, 실리콘기판상에 액티브영역을 형성할 때 스크라이브 라인 영역상에 제1버니어키를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판의 상기 액티브영역상에 콘택홀을 형성할 때 상기 스크라이브 라인 영역상에 상기 콘택홀이 필드산하막에 대하여 여유마진이 작은 축 방향으로 제2버니어키를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판의 상기 콘택홀이 덮히도록 폴리실리콘층을 형성할 때 상기 스크라이브 라인 영역상에 형성된 상기 제1 및 제2버니어키 내에 제3버니어키를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오버레이 버니어키 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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