KR980005352A - 플래쉬 메모리 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플로팅 게이트, 컨트롤 게이트 및 선택 게이트가 차례로 적층된 구조를 갖는 플래쉬 메모리 제조 공정에 있어서, 반도체 기판의 소정부위를 선택식각하여 트렌치 구조로 형성하고, 상기트렌츠내에 플로팅 게이트 및 컨트롤 게이트를 형성하며, 그 상부에 선택 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조 방법에 관한 것으로, 플래쉬 메모리 소자의 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트의 스택형이 아닌 트렌치 구조로 형성함으로써 게이트부와 주변 회로부와의 단차를 최소화하여 브리지(Bridge)형성을 방지함으로써 소자의 특성을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2g도는 본 발명의 일실시예에 따른 트렌치 게이트구조를 갖는 플래쉬 메모리 소자 제조 공정 단면도이다.
Claims (1)
- 플로팅 게이트, 컨트롤 게이트 및 선택 게이트가 차례로 적층된 구조를 갖는 프래쉬 메모리 제조방법에 있어서, 반도체 기판의 소정부위를 선택식각하여 트렌트 구조로 형성하고, 상기 트렌치내에 플로팅 게이트 및 컨트롤 게이트를 형성하며, 그 상부에 선택 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026495A KR980005352A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 플래쉬 메모리 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960026495A KR980005352A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 플래쉬 메모리 소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005352A true KR980005352A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960026495A KR980005352A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 플래쉬 메모리 소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005352A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100621563B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026495A patent/KR980005352A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100621563B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
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