KR960026176A - 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 게이트전극 형성방법에 관한 것으로, 인-시투 인(P) 도프 폴리실리콘을 사용한 게이트전극을 형성함에 있어, 인-시투 인(P) 도프 비정질실리콘 증착후 발생되는 압축응력 스트레스로 인한 게이트산화막의 피해를 최소화시키기 위하여 게이트산화막 상부에 언도프 폴리실리콘을 증착하고 인-시투로 고농도 도핑된 비정질 실리콘을 증착하므로써 비정질실리콘 증착후 발생되는 압축응력 스트레스로 인한 게이트산화막의 피해를 최소화시켜 소자의 신뢰성향상 및 수율향상을 이를 수 있도록 한 반도체 소자의 게이트전극 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 및 제1B도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트전극 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (7)
- 반도체 소자의 게이트전극 형성방법에 있어서, 필드산화막이 형성된 실리콘기판상에 게이트산화막을 형성하고 그 상부에 언도프 폴리실리콘을 증착한 다음 동일한 챔버내에서 인-시투로 고농도 도핑된 비정질실리콘을 증착시키는 단계와, 상기 단계로 부터 게이트전극을 마스크를 이용한 사진 및 식가공정을 실시하여 게이트전극을 패터닝시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 언도프 폴리실리콘은 100 내지 500Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트전극 형성방법.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 언도프 폴리실리콘 증착시 소오스가스는 Si2H6인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질실리콘 증착시 증착온도는 500 내지 550℃이며, 소오스가스로는 Si2H6와 4%의 N2가 희석된 PH3를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트전극 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 Si2H6가스에 대한 PH3가스의 흐름비는 1.2 내지 1.8인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질실리콘 증착단계로 부터 결정화를 위한 열처리공정을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트전극 형성방법.
- 제6항에 있어서, 상기 열처리공정은 800 내지 900℃온도 및 N2가스분위기 상태에서 20 내지 40분동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940036295A KR960026176A (ko) | 1994-12-23 | 1994-12-23 | 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940036295A KR960026176A (ko) | 1994-12-23 | 1994-12-23 | 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026176A true KR960026176A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940036295A KR960026176A (ko) | 1994-12-23 | 1994-12-23 | 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026176A (ko) |
-
1994
- 1994-12-23 KR KR1019940036295A patent/KR960026176A/ko not_active Application Discontinuation
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