KR960026955A - 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판에서 MOSFET으로 예정되어있는 부분을 예정된 깊이 만큼 제거하여 단차를 형성하고, 상기 고주의 점표면에 게이트산화막을 형성한 후, 상기단차의 측벽에 다결정실리콘 패턴으로된 스페이서 형상의 게이트전극을 형성하며, 상기 단차 양측의 반도체기판에 소오스/드레인전극을 형성하며, 상기 단차 양측의 반도체기판에 소오드/드레인전극을 형성하여 MOSFET를 완성하였으므로, 상기 단차의 깊이가 MOSFET의 채널길이가 되므로 채널길이의 조절이 용이하고, MOSFET의 채널이 반도체기판의 면적을 차지하지 않으므로 소자의 고집적화에 유리하며, 전면 이방식각 및 불순물 이온주입이 한차례만 실시되므로 기판의 손상이 감소되고 공정이 간단하여 공정수율 및 소자동작의 신뢰성이 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명에 따른 모스 전계효과 트랜지스터의 제조공정도.
Claims (7)
- 반도체기판에서 MOSFET의 채널로 예정된 부분의 일측이 예정된 깊이로 제거되어 형성된 단차와, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 게이트산화막과, 상기 단차의 측벽에 형성되어 있는 스페이서 형상의 게이트전극과, 상기 단차의 양측 반도체기판에 형성되어 있는 소오스/드레인전극을 구비하는 모스 전계효과 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 단차의 깊이가 0.15~5㎛인 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극이 다결정실리콘, 폴리사이드, 실리사이드 및 금속으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터.
- 제1도전형의 반도체기판에서 MOSFET의 채널로 예정되어 있는 부분을 예정된 깊이로 제거하여 단차가 지도록 하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 게이트산화막을 형성하는 공정과, 상기 단차의 측벽에 스페이서 형상의 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 단차 양측의 반도체기판에 제2도전형의 불순물로 소오스/드레인전극을 형성하는 공정을 구비하는 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전형이 각각 반대도전형으로서 N 또는 P형인 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극 형성 공정을 게이트산화막상에 도포된 도전층을 전면 이방성식각하여 스페이서 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
- 제1도전형의 반도체기판에서 MOSFET의 채널로 예정되어 있는 부분을 예정된 깊이로 제거하여 단차가 지도록 하는 공정과, 상기 단차진 반도체기판의 표면에 소오스/드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 게이트산화막을 형성하는 공정과, 상기 단차의 측벽에 스페이서 형상의 게이트전극을 형성하는 공정을 구비하는 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039011A KR960026955A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019940039011A KR960026955A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026955A true KR960026955A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019940039011A KR960026955A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026955A (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039011A patent/KR960026955A/ko not_active Application Discontinuation
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