KR890003042A - 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조공정 - Google Patents

전계 효과 트랜지스터 및 그 제조공정 Download PDF

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KR890003042A
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effect transistor
insulating layer
gate electrode
layer
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KR1019880008141A
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챨스 알렌 필립
헨리 부로우즈 제르미
헨리 후렌드 리챠드
Original Assignee
케이스 워윅 덴바이
더 브리티쉬 페트로륨 캄파니 피.엘.씨.
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Abstract

내용없음

Description

전계 효과 트랜지스터 및 그 제조공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 전형적인 FET의 채널 영역의 횡단면도. 제 2 도는 +5V의 소스/드레인 전압(VDS)에 대한 소스/드레인 전류(IDS)대 게이트 전압(VGS)을 도시하는 도면. 제 3 도는 일정한 VGS에 대한 IDS대 VDS를 도시하는 도면

Claims (12)

  1. 전기전 전류의 통과를 허용하도록 최소한 두개의 단자를 갖춘 반도전층으로부터 절연층에 의해 분리되어 기판상에 증착된 게이트 전극을 포함하는 전계 효과 트랜지스터(FET)에 있어서, 반도전층이 폴리(아세틸렌), 폴리(티에닐렌비닐렌), 폴로(푸라닐렌 비니렌) 및 내용 유도물로부터 선택된 고히어런트 도전 유기 중 합체인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극이 스틸, 구리, 금, 플라티늄, 알루미늄, 인듐-틴 산화물이나 또는 무겁게 도우프된 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 절연층이 실리콘 이산화물이나 실리콘 질화물로 이루어지거나 또는 양호한 절연 특성을 가진 중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 절연층이 5000Å까지의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 두개의 단자가 소스 및 드레인 접점인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 석영, 유리 또는 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 상기 절연층에 인접한 표면성에 무겁게 도우프된 실리콘으로 이루어지되, 상기 도우프된 표면은 게이트 전극으로서 작용하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  8. 제 1 항에 있어서, 반도전층을 형성하는 도전 중합체가 도펀트로 도우프되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 도전 중합체가 4000Å까지의 두께를 가진 필름으로 사용되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  10. 제 5 항에 있어서, 소스 - 드레인 접점의 컨덕턴트가 양 게이트 전압이나 또는 음 게이트 전압중 어느 한 전압의 인가에 의해 증진되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터.
  11. 제 1 항에서 청구된 바와같은 전계 효과 트랜지스터를 제조하기 위한 공정에 있어서, 상기 공정이 기판층, 게이트 전극, 소스 및 드레인 접점이 형성되는 절연층과 마지막으로 반도전층으로서 작용하는 도전 중합체층의 순서대로 증착시키는 단계로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조공정.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 기판이 절연층에 인접한 표면상에 무겁게 도우프되어, 게이트 전극으로서 작용하는 실리콘인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019880008141A 1987-07-07 1988-06-30 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조공정 KR890003042A (ko)

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GB8715959 1987-07-07
GB878715959A GB8715959D0 (en) 1987-07-07 1987-07-07 Field effect transistors

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GB8715959D0 (en) 1987-08-12
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