KR950021242A - 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박형 표시 장치(Flat Display Device)의 일종인 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display)를 구동시켜 주는 소자에 관한 것으로, 고온 공정을 이용한 LDD형 다결정 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 활성층을 일체형으로 형성하고, 그 상면을 산화시켜 새부리 모양의 끝을 가지는 게이트 절연층을 형성하여, 1회의 이온주입 공정으로 고농도의 소오스 및 드레인 영역과 저농도 영역을 동시에 형성함으로써, 복잡한 공정이 단순화하고, 활성층의 질을 향상시키며, 고농도의 소오스 및 드레인으로 부터 채널쪽으로 이온 농도를 서서히 감소시켜 Vgs-Ids 특성을 개선하고 있다.

Description

다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 수직 단면도,
제8도는 본 발명에 따른 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 공정단계별 수직 단면도로서, 활성층 위의 질화 실리콘 막을 제거한 수직 단면도.

Claims (3)

  1. 석영기판과 상기 석영 기판 상면에 형성되고, 그 양쪽 가장 자리에 이온이 고농도로 주입되어 소오스 및 드레인이 된 영역과, 상기 소오스 및 드레인에 인접하고 이온이 저농도로 주입된 두개의 저농도 이온주입 영역과, 상기 저농도 이온 주입 영역 사이에 이온이 주입안된 채널로 구성된 활성층과, 상기 활성층의 두개의 저농도 이온주입 영역과 채널 영역의 상면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상면에 형성된 게이트와, 상기 각 층간 및 각 소자간을 절연하도록 형성된 층간 절연막과, 상기 소오스와 상기 게이트와 상기 드레인과 외부와의 통전을 위해 상기 층간 절연막을 관통하여 형성된 전극을 구비하는 점에 특징이 있는 LDD형 다결정 박막트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 게이트 절연막은 그 양쪽 끝이 새부리 모양으로 뾰족하게 형성된 것을 특징으로 하는 LDD형 다결정 박막 트랜지스터.
  3. 석영 기판 상면에 산화막을 형성하고 다결정 실리콘막을 전면에 도포한 후 트랜지스터가 형성될 수 있도록 식각하여 활성층을 형성하는 성장단계와; 상기 성장단계에서 형성된 상기 활성층 상면에 질화 실리콘막을 도포하고 게이트를 형성할 수 있도록 선택 식각하는 질화 실리콘막 형성단계와, 상기 식각 단계에서 식각되어 노출된 상기 활성층의 소정의 부위를 열산화시켜 게이트 절연용 산화막을 형성하는 산화 단계와, 상기 산화 단계에서 형성된 질화 실리콘을 제거하고 기판 전체에 다결정 실리콘막을 형성한 다음 식각하여 게이트 형성하는 게이트 형성 단계와, 상기 게이트 형성 단계에서 형성된 활성층과 상기 제4단계에서 형성된 게이트층에 도펀트를 주입하여 게이트는 고농도로, 활성층은 고농도 영역과 저농도 영역을 동시에 형성하는 이온 주입 단계와, 상기 이온주입 단계에서 주입된 도펀트를 활성화시키기 위한 열공정 단계와, 상기 열공정 단계를 마친 트랜지스터에 층간 절연막용의 산화막을 형성하고, 전극 접촉용 창을 식각한 다음 금속을 증착하고 식각하여 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 구비하여 된 것을 특징으로 하는 LDD형 다결정 박막 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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