KR960032769A - 전자소자 및 그 제조방법 - Google Patents

전자소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

[목적]OFF 전류와 비용이 모두 낮은 전자소자 및 그 제조방법을 제공한다.
[구성]본 발명의 전자소자는 기판표면에 게이트전극이 형성되어 있고, 상기 기판 및 게이트전극을 피복하여 게이트 절연막이 형성된 전자수자에 있어서, 상기 게이트전극 바로 위에는 게이트전극보다도 폭이 좁은 반도체 능동층이 형성되어 있고, 상기 반도체 능동층상에는 옴접촉층을 거쳐 도전체층으로 이루어져 서로 이간된 소스 전극과 드레인전극이 형성되어 있고, 상기 반도체 능동층과 상기 소스전극 및 상기 드레인전극간에는 모두 상기 옴접촉층이 형성되어 있고, 상기 옴접촉층의 이간간격보다도 상기 소스전극과 상기 드레인전극의 이간간격의 쪽이 넓게 형성되어 있고, 또한 상기 기판은 상기 게이트 전극이 형성되어 있지 않은 상기 기판의 이면측에서부터 광이 조사되는 것을 특징으로 한다.

Description

전자소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 박막트랜지스터(TFT)의 단면구조를 나타낸 개략도.

Claims (6)

  1. 기판표면에 게이트전극이 형성되어 있으며, 상기 기판 및 게이트전극을 피복하여 게이트절연막이 형성되어 있는 전자소자에 있어서, 상기 게이트전극 바로 위에는 게이트전극보다 폭이 좁은 반도체 능동층이 형성되어 있고, 상기 반도체 능동층상에는 옴접촉층을 거쳐 도전체층으로 이루어지며 서로 이간된 소스전극과 드레인 전극이 형성되어 있고, 상기 반도체 능동층과 상기 소스전극 및 상기 드레인전극간에는 모두 상기 옴접촉층이 형성되어 있고, 상기 옴접촉층의 이간간격보다 상기 소스전극과 상기 드레인전극의 이간간격쪽이 넓게 형성되어 있고, 상기 기판은 상기 게이트전극이 형성되어 있지 않은 상기 기판의 이면측으로부터 광이 조사되는 것을 특징으로 하는 전자소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 능동층은 아몰퍼스실리콘인 것을 특징으로 하는 전자소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 옴접촉층은 상기 반도체 능동층에 불순물이 첨가된 것인 것을 특징으로 하는 전자소자.
  4. 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전체층은 Al, Ti, Mo 또는 Cu의 금속, 또는 상기 금속의 합금 또는 금속화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자소자.
  5. 기판표면에 게이트전극을 형성하며, 상기 기판 및 게이트전극을 피복하여 게리트절연막을 형성하는 전자소자의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극 바로 위에 게이트전극보다 폭이 좁은 반도체 능동층을 형성할 경우에는 상기 게이트절연막과 상기 반도체 능동층이 플라즈마 DVD법에 의하여 연속성막으로 형성되고, 상기 반도체 능동층이 상기 게이트전극보다도 좁아지도록 에칭가공되고, 상기 반도체 능동층상에 옴접촉층을 거쳐 도전체층으로 이루어지며 서로 이간된 소스전극과 드레인전극을 형성하고, 상기 반도체 능동층과 상기 소스전극 및 상기 드레인전극 사이에 모두 상기 옴접촉층을 형성할 경우에는 상기 옴접촉층 및 상기 소스전극과 상기 드레인 전극이 스피터법에 의하여 연속성막으로 형성되고, 상기 옴접촉층의 이간간격보다도 상기 소스전극과 상기 드레인전극의 이간간격의 쪽을 넓게 형성할 경우에는 도일 에칭액에 의하여 상기 소스전극과 상기 드레인 전극 및 상기 옴접촉층이 연속 제거되어 형성되고, 상기 게이트전극이 형성되어 있지 않은 상기 기판의 이면측에는 광이 상기 기판에 대하여 수직입사되도록 상기 광의 조사수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 에칭액의 에칭속도는 상기 옴접촉층보다도 상기 도전체층으로 이루어지는 상기 소스전극과 상기 드레인전극에 대한 쪽이 큰 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960002862A 1995-02-08 1996-02-07 전자소자 및 그 제조방법 KR0185815B1 (ko)

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