KR920020744A - 반도체 장치의 금속전극 형성방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치의 금속전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 수순도.

Claims (4)

  1. 반도체 장치의 금속전극 형성방법에 있어서, 기판상에 양극산화를 위한 제1의 금속층을 두께 d1를 갖고 형성하는 단계와, 양극산화에 무관한 제2의 금속층을 상기 제1금속층에 대한 마스크로서 작용되도록 두께 d2를 갖고 패턴 형성하는 단계와, 제1금속층이 동일 또는 이에 동등한 재질의 양극산화 가능한 제3의 금속층을 두께 d3로 증착하는 단계와, 기판 전면에 걸쳐 양극산화를 실시하여 평탄면을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속전극 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 양극산화에 의한 두께 변화율이 A인 제1금속층의 두께 d1의 (A-1)배로 하여 상기 제2의 금속층이 적층됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속전극 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 제1금속층은 Ta 또는 Al등의 양극산화에 가능한 재료이며, 제2금속층은 Cu 또는 Cr등의 양극산화에 무관한 재료중 어느 하나로서 제1금속층에 대한 마스크로 작용될 수 있는 재료인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속전극 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기의 공정은 역 스태거드형 TFT 또는 스태거드형 TFT에 적용되거나, 또는 단자 형성된 금속패턴의 평탄화를 갖는 반도체 장치 제조공정에 포함됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속전극 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910007010A 1991-04-30 1991-04-30 반도체 장치의 금속전극 형성방법 KR940005446B1 (ko)

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