KR930001497A - 액정용 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 종래의 액정용 박막트랜지스터의 구조를 나타낸 구조도.
제1b도는 상기 제1a도의 게이트전극 부분을 확대도시한 단면도.
제2도는 본 발명에 의한 액정용 박막트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도.
제3a 내지 f도는 본 발명에 의한 액정용 박막트랜지스터의 제조공정의 일 실시예를 나타낸 공정순서도.
Claims (6)
- 게이트절연막으로 양극산화절연막을 포함하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 기판상에 소정두께의 금속층을 형성하고, 이 금속층을 패터닝하는 공정 ; 상기 패터닝된 금속층의 양 측면을 소정두께까지 일부 양극산화하는 공정 ; 상기 양 측면이 일부 양극산화된 금속층의 패턴의 상부를 소정두께 에칭하는 공정 ; 상기 에칭공정후 상기 금속층의 패턴의 상부를 양극산화하는 공정 ; 그리고, 상기 금속층의 패턴의 상부를 양극산화한 후, 통상의 알려진 방법으로 후속공정을 수행하여 상기 액정용 박막트랜지스터를 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 금속층의 소정두께는 4000Å 정도인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 패터닝된 금속층의 양측면을 일부 양극산화하는데의 소정두께는 500Å 정도인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 에칭공정의 소정두께는 500Å 정도인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 양 측면이 일부 양극산화된 금속층의 패턴의 상부를 소정두께 에칭하는 공정은 상기 금속층을 패터닝할때 사용된 마스크패턴을 스트립하는 현상액을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR930001497A true KR930001497A (ko) | 1993-01-16 |
| KR940002398B1 KR940002398B1 (ko) | 1994-03-24 |
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| KR (1) | KR940002398B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468687B1 (ko) * | 1997-09-08 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 층간절연막형성방법 |
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1991
- 1991-06-21 KR KR1019910010301A patent/KR940002398B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR100468687B1 (ko) * | 1997-09-08 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 층간절연막형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940002398B1 (ko) | 1994-03-24 |
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