KR920020754A - 액정용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 액정용 박막트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도.
제3a도∼제30d도는 본 발명에 의한 액정용 박막트랜지스터의 제조공정의 일 실시예를 나타낸 일부 공정순서도.
Claims (12)
- 글래스기판; 상기 글래스기판상의 소정영역에 형성되고 화소 어드레스신호가 인가되는 게이트전극; 상기 게이트전극 및 글래스기판상에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상의 상기 게이트 전극 상부의 소정영역에 형성된 비정질실리콘층; 상기 비정질실리콘층상의 좌우측에 서로 일정간격을 두고 형성된 도우프된 비정질실리콘층들; 상기 좌측에 있는 도우프된 비정질실리콘층 및 상기 게이트 절연막의 소정 영역상에 걸쳐서 형성되고 화상데이타신호가 인가되는 제1금속전극; 상기 우측에 있는 도우프된 비정질실리콘층 및 상기 게이트 절연막상의 소정영역상에 걸쳐서 형성되고 상기 게이트절연막의 소정영역에 형성되어 화소전극으로 제공되는 투명전극층에 연결되는 제2금속전극을 구비한 액정용 박막트랜지스터에 있어서, 상기 게이트절연막은 상기 글래스기판의 전표면 및 게이트전극상에 형성되고 상기 게이트전극을 이루는 금속과 동일한 금속의 양극산화에 의해 얻어지고 그 표면이 거의 평탄한 양극산화절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정용 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 양극산화절연막은 무공성의 알루미늄 산화막인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트절연막은 상기 양극산화절연막상에 형성된 절연막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정용 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극은 알루미늄 및 알루미늄합금중 어느 하나로 된 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터.
- 제4항에 있어서, 상기 알루미늄합금은 알루미늄을 주성분으로 하고 Si, Pd, W, Ni 및 Ge 중 어느 하나를 소량으로 함유하는 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터.
- 게이트 절연막으로 양극산화 절연막을 포함하는 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 글래스기판의 전표면상에 소정두께의 금속층을 형성하는 공정; 상기 금속층을 표면으로부터 소정깊이까지 일부 양극산화하는 공정; 상기 일부양극산화된 금속층상에 양극산화저지막을 도포하고 이 양극산화저지막을 패터닝하는 공정; 상기 패터닝된 양극산화저지막을 양극 산화마스크로 사용하여 양극 산화되지 않은 금속층을 선택적으로 양극산화하는 공정; 및 상기 선택적인 양극산화 후, 상기 양극산화저지막을 제거하고, 통상의 알려진 방법으로 후속공정을 수행하여 상기 액정용 박막 트랜지스터를 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄 또는 알루미늄합금인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 금속층의 소정두께는 1500∼6000Å인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 일부 양극산화의 소정깊이는 500∼2000Å인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 양극산화저지막은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 양극산화공정은 구연산, 암모늄주석산염 및 주석산의 중량비가 0.01wt/%∼5wt/%인 수용액중에서 0.3/5mA/cm2의 전류 밀도를 유지하면서 인가전압으로 양극산화물의 생성 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 액정용 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 양극산화저지막은 실리콘질화막, 실리콘 산화막, PSG막 및 BPSG막중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정용 박막 트랜지스터의 제조방법.* 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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