JP2501153B2 - 液晶用薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
液晶用薄膜トランジスタの製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネルに係
り、特に液晶用薄膜トランジスタのゲート電極形成方法
に関する。
り、特に液晶用薄膜トランジスタのゲート電極形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】画像情報時代に情報伝達の人間対機械の
インタフェースの最大担当者であるディスプレイのパー
ソナル化、スペースの節約化の要求に応じて今までのバ
ルキー（ｂｕｌｋｙ）のＣＲＴの代わりに各種平面ディ
スプレイが開発され普及しつつある。
インタフェースの最大担当者であるディスプレイのパー
ソナル化、スペースの節約化の要求に応じて今までのバ
ルキー（ｂｕｌｋｙ）のＣＲＴの代わりに各種平面ディ
スプレイが開発され普及しつつある。
【０００３】その中でも液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）技
術の進展は著しく、すでにカラー画質においてはＣＲＴ
に匹敵するか、それ以上の実現に至ることになった。特
に、液晶技術と半導体技術を融合したアクティブマトリ
ックス型ＬＣＤはＣＲＴと競合してＣＲＴを超えるディ
スプレイとして認識され、これに対する盛んな研究がな
されつつある。アクティブマトリックス駆動方式は、マ
トリックス状に配列された各画素に非線形特性を備えた
アクティブ素子を付加することにより液晶の電気光学効
果にメモリ機能を備えたものである。アクティブ素子と
しては通常薄膜トランジスタが用いられる。このアクテ
ィブ素子はマトリックスの画素選択用アドレス配線と共
に数万から数百万個が大集積のガラス基板上に集積化さ
れ表面マトリックス回路を構成する。
術の進展は著しく、すでにカラー画質においてはＣＲＴ
に匹敵するか、それ以上の実現に至ることになった。特
に、液晶技術と半導体技術を融合したアクティブマトリ
ックス型ＬＣＤはＣＲＴと競合してＣＲＴを超えるディ
スプレイとして認識され、これに対する盛んな研究がな
されつつある。アクティブマトリックス駆動方式は、マ
トリックス状に配列された各画素に非線形特性を備えた
アクティブ素子を付加することにより液晶の電気光学効
果にメモリ機能を備えたものである。アクティブ素子と
しては通常薄膜トランジスタが用いられる。このアクテ
ィブ素子はマトリックスの画素選択用アドレス配線と共
に数万から数百万個が大集積のガラス基板上に集積化さ
れ表面マトリックス回路を構成する。
【０００４】日本特開平２−８５８２６号公報に記載さ
れた従来の液晶表示パネルの薄膜トランジスタが図１に
示されている。図１において、薄膜トランジスタはガラ
ス基板１上にＡｌ等の金属よりなったゲート電極２がパ
ターン化されており、アルミニウム酸化膜３がゲート電
極２及び基板１を覆っている。アルミニウム酸化膜３上
には窒化膜又は酸化膜のような絶縁膜４が覆われてお
り、ゲート電極２の上部に存する絶縁膜４上にアモルフ
ァスシリコン層５がパターン化されており、アモルファ
スシリコン層５の左及び右側上部にはオーム接触のため
のｎ+ドープされたアモルファスシリコン層６ａ，６ｂ
がそれぞれ形成されており、ゲート電極２から右側に離
れた絶縁膜４上には画素電極として提供される透明電極
層７が形成されている。ｎ+ドープされたアモルファス
シリコン層６ａを覆う第１金属電極層８ａはデータ線と
して提供され、ｎ+ドープされたアモルファスシリコン
層６ｂからは透明電極層７の一部まで覆っている第２金
属層８ｂは薄膜トランジスタと透明電極層７を接続して
いる。すなわち、第１及び第２金属層８ａ，８ｂは薄膜
トランジスタのソース及びドレイン電極として提供され
る。
れた従来の液晶表示パネルの薄膜トランジスタが図１に
示されている。図１において、薄膜トランジスタはガラ
ス基板１上にＡｌ等の金属よりなったゲート電極２がパ
ターン化されており、アルミニウム酸化膜３がゲート電
極２及び基板１を覆っている。アルミニウム酸化膜３上
には窒化膜又は酸化膜のような絶縁膜４が覆われてお
り、ゲート電極２の上部に存する絶縁膜４上にアモルフ
ァスシリコン層５がパターン化されており、アモルファ
スシリコン層５の左及び右側上部にはオーム接触のため
のｎ+ドープされたアモルファスシリコン層６ａ，６ｂ
がそれぞれ形成されており、ゲート電極２から右側に離
れた絶縁膜４上には画素電極として提供される透明電極
層７が形成されている。ｎ+ドープされたアモルファス
シリコン層６ａを覆う第１金属電極層８ａはデータ線と
して提供され、ｎ+ドープされたアモルファスシリコン
層６ｂからは透明電極層７の一部まで覆っている第２金
属層８ｂは薄膜トランジスタと透明電極層７を接続して
いる。すなわち、第１及び第２金属層８ａ，８ｂは薄膜
トランジスタのソース及びドレイン電極として提供され
る。
【０００５】前述した従来の液晶用薄膜トランジスタは
ガラス基板１上にＡｌ又はＡｌ合金を蒸着し、蒸着され
たＡｌ金属層を写真蝕刻工程によりパタニングすること
によりゲート電極２を形成する。その後、再び２番目の
Ａｌ金属層を全表面に蒸着しこの蒸着されたＡｌ金属層
を通常の陽極酸化方法により酸化させることにより無孔
性のアルミニウム酸化膜３を形成する。このように陽極
酸化させて得たアルミニウム酸化膜３は、後続熱工程時
アルミニウム金属層であるゲート電極２の表面で塚(hil
lock)が生ずることを防止し、ガラス基板１から上方向
にガラス基板に含まれた不純物が拡散されることを防止
でき、かつ後続工程によりガラス基板１が損傷されるこ
とを保護できる利点がある。
ガラス基板１上にＡｌ又はＡｌ合金を蒸着し、蒸着され
たＡｌ金属層を写真蝕刻工程によりパタニングすること
によりゲート電極２を形成する。その後、再び２番目の
Ａｌ金属層を全表面に蒸着しこの蒸着されたＡｌ金属層
を通常の陽極酸化方法により酸化させることにより無孔
性のアルミニウム酸化膜３を形成する。このように陽極
酸化させて得たアルミニウム酸化膜３は、後続熱工程時
アルミニウム金属層であるゲート電極２の表面で塚(hil
lock)が生ずることを防止し、ガラス基板１から上方向
にガラス基板に含まれた不純物が拡散されることを防止
でき、かつ後続工程によりガラス基板１が損傷されるこ
とを保護できる利点がある。
【０００６】しかし、前述した従来の技術はまず、ゲー
ト電極２のパターンを形成するために写真蝕刻工程が必
要なので、写真蝕刻工程によりガラス基板が損傷された
り汚染される問題点が生じた。従って、写真蝕刻工程に
よるガラス基板の汚染を除去するためには細かい洗浄工
程が要求される。
ト電極２のパターンを形成するために写真蝕刻工程が必
要なので、写真蝕刻工程によりガラス基板が損傷された
り汚染される問題点が生じた。従って、写真蝕刻工程に
よるガラス基板の汚染を除去するためには細かい洗浄工
程が要求される。
【０００７】また、ゲート電極２をアルミニウム酸化膜
で被覆することによりゲート電極２の段差をある程度減
少させうるが、段差問題が完全に解決できずにゲート電
極の段差によるゲート電極と上部電極層との短絡問題が
依然残されている。
で被覆することによりゲート電極２の段差をある程度減
少させうるが、段差問題が完全に解決できずにゲート電
極の段差によるゲート電極と上部電極層との短絡問題が
依然残されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、工程
の簡単化が図れる液晶用薄膜トランジスタの製造方法を
提供することである。
の簡単化が図れる液晶用薄膜トランジスタの製造方法を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の製造方法は、陽極酸化絶縁膜からなる
ゲート絶縁膜を含む液晶用薄膜トランジスタの製造方法
において、透明基板の全表面上に所定厚さの金属層を形
成する工程と、前記金属層を表面から所定深さまで一部
陽極酸化する工程と、前記一部陽極酸化された金属層上
に陽極酸化阻止膜を塗布し、この陽極酸化阻止膜をパタ
ニングする工程と、前記パタニングされた陽極酸化阻止
膜を陽極酸化マスクとして用いて陽極酸化されない金属
層を選択的に陽極酸化する工程と、前記選択的な陽極酸
化後、前記陽極酸化阻止膜を除去し通常の知られた方法
で後続工程を行って前記液晶用薄膜トランジスタを成形
する工程を備えることを特徴とする。
ために、本発明の製造方法は、陽極酸化絶縁膜からなる
ゲート絶縁膜を含む液晶用薄膜トランジスタの製造方法
において、透明基板の全表面上に所定厚さの金属層を形
成する工程と、前記金属層を表面から所定深さまで一部
陽極酸化する工程と、前記一部陽極酸化された金属層上
に陽極酸化阻止膜を塗布し、この陽極酸化阻止膜をパタ
ニングする工程と、前記パタニングされた陽極酸化阻止
膜を陽極酸化マスクとして用いて陽極酸化されない金属
層を選択的に陽極酸化する工程と、前記選択的な陽極酸
化後、前記陽極酸化阻止膜を除去し通常の知られた方法
で後続工程を行って前記液晶用薄膜トランジスタを成形
する工程を備えることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明は、アルミニウム合金層を所定深さまで
一部陽極酸化し、次いで陽極酸化マスクを用いて選択的
に底まで陽極酸化することにより、アルミニウム合金よ
りなったゲート電極とアルミニウム酸化膜よりなった平
坦なゲート電極絶縁膜とを同時に形成できる。
一部陽極酸化し、次いで陽極酸化マスクを用いて選択的
に底まで陽極酸化することにより、アルミニウム合金よ
りなったゲート電極とアルミニウム酸化膜よりなった平
坦なゲート電極絶縁膜とを同時に形成できる。
【００１１】
【実施例】以下、添付した図面に基づいて本発明をより
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】図２を参照すれば、本発明の液晶用薄膜ト
ランジスタはガラス基板１上の所定領域に画素選択用ア
ドレス信号が加えられるアルミニウム又はアルミニウム
合金よりなったゲート電極２と、このゲート電極２と同
一なアルミニウム金属を陽極酸化させて形成され、前記
ゲート電極２を覆うアルミニウム酸化膜３ａ，３ｂを備
える。アルミニウム酸化膜３ａ，３ｂは、透明基板１の
全表面上に覆われたアルミニウム金属層を表面から所定
深さまで陽極酸化させ、前記ゲート電極２として提供さ
れる領域のアルミニウム金属層のみ除いた残りのアルミ
ニウム金属層を底まで陽極酸化させて形成する。従っ
て、陽極酸化して得たアルミニウム酸化膜３ａ，３ｂは
表面がほとんど平坦に形成される。また、液晶用薄膜ト
ランジスタはアルミニウム酸化膜３ａ，３ｂ上にたとえ
ば、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜よりなった絶縁
膜４と、ゲート電極２上部にある絶縁膜４上に所定領域
に形成されたアモルファスシリコン層５と、前記アモル
ファスシリコン層５上の左右に互いに一定間隔を置いて
形成されたドープされたアモルファスシリコン層６ａ，
６ｂと、前記アモルファスシリコン層５から右側に一定
間隔離れた前記絶縁膜４上の所定領域に形成された透明
電極間７と、前記左側に形成されたドープされたアモル
ファスシリコン層６ａ及び絶縁膜４上に所定領域に形成
された第１金属電極層８ａと、前記右側に形成されたド
ープされたアモルファスシリコン層６ｂから前記透明電
極層７の左側一部領域上にかけて形成された第２金属層
８ｂを備える。
ランジスタはガラス基板１上の所定領域に画素選択用ア
ドレス信号が加えられるアルミニウム又はアルミニウム
合金よりなったゲート電極２と、このゲート電極２と同
一なアルミニウム金属を陽極酸化させて形成され、前記
ゲート電極２を覆うアルミニウム酸化膜３ａ，３ｂを備
える。アルミニウム酸化膜３ａ，３ｂは、透明基板１の
全表面上に覆われたアルミニウム金属層を表面から所定
深さまで陽極酸化させ、前記ゲート電極２として提供さ
れる領域のアルミニウム金属層のみ除いた残りのアルミ
ニウム金属層を底まで陽極酸化させて形成する。従っ
て、陽極酸化して得たアルミニウム酸化膜３ａ，３ｂは
表面がほとんど平坦に形成される。また、液晶用薄膜ト
ランジスタはアルミニウム酸化膜３ａ，３ｂ上にたとえ
ば、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜よりなった絶縁
膜４と、ゲート電極２上部にある絶縁膜４上に所定領域
に形成されたアモルファスシリコン層５と、前記アモル
ファスシリコン層５上の左右に互いに一定間隔を置いて
形成されたドープされたアモルファスシリコン層６ａ，
６ｂと、前記アモルファスシリコン層５から右側に一定
間隔離れた前記絶縁膜４上の所定領域に形成された透明
電極間７と、前記左側に形成されたドープされたアモル
ファスシリコン層６ａ及び絶縁膜４上に所定領域に形成
された第１金属電極層８ａと、前記右側に形成されたド
ープされたアモルファスシリコン層６ｂから前記透明電
極層７の左側一部領域上にかけて形成された第２金属層
８ｂを備える。
【００１３】第１金属電極層８ａは薄膜トランジスタの
ドレイン電極として画像データ信号が加えられ、第２金
属電極層８ｂは薄膜トランジスタのソース電極として透
明電極層７と連結されている。透明電極層７は画素電極
として提供される。ドープされたアモルファスシリコン
層６ａ，６ｂは、第１及び第２金属電極層８ａ，８ｂと
オーム接触を形成する。前記金属電極層８ａ，８ｂはＡ
ｌ，Ｃｒ又はＴｉと、もしくはこれらの積層膜で形成さ
れる。
ドレイン電極として画像データ信号が加えられ、第２金
属電極層８ｂは薄膜トランジスタのソース電極として透
明電極層７と連結されている。透明電極層７は画素電極
として提供される。ドープされたアモルファスシリコン
層６ａ，６ｂは、第１及び第２金属電極層８ａ，８ｂと
オーム接触を形成する。前記金属電極層８ａ，８ｂはＡ
ｌ，Ｃｒ又はＴｉと、もしくはこれらの積層膜で形成さ
れる。
【００１４】前述した通り、本発明の液晶用薄膜トラン
ジスタはアルミニウム酸化膜３ａ，３ｂによりゲート電
極２の段差を完全に平坦にカバーすることによりゲート
電極の段差問題を解決することができる。
ジスタはアルミニウム酸化膜３ａ，３ｂによりゲート電
極２の段差を完全に平坦にカバーすることによりゲート
電極の段差問題を解決することができる。
【００１５】かかる本発明の液晶用薄膜トランジスタの
好適な一実施例の製造方法を図３Ａ〜図３Ｄに基づいて
説明すると次の通りである。
好適な一実施例の製造方法を図３Ａ〜図３Ｄに基づいて
説明すると次の通りである。
【００１６】図３Ａを参照すれば、コーニング(Cornin
g)７０５９ガラス基板１上に、１５００〜６０００Å厚
さのアルミニウム合金層２ａを形成する。ここでアルミ
ニウム合金層２ａはアルミニウムを主成分とし、Ｓｉ，
Ｐｂ，Ｗ，Ｎｉ及びＧｅのうち何れか一つを少量含有す
る。
g)７０５９ガラス基板１上に、１５００〜６０００Å厚
さのアルミニウム合金層２ａを形成する。ここでアルミ
ニウム合金層２ａはアルミニウムを主成分とし、Ｓｉ，
Ｐｂ，Ｗ，Ｎｉ及びＧｅのうち何れか一つを少量含有す
る。
【００１７】図３Ｂを参照すれば、アルミニウム合金層
２ａを表面から所定深さまで陽極酸化させアルミニウム
酸化膜３ａを形成する。この陽極酸化工程はクエン酸(c
itric acid)，アンモニウム酒石酸塩(ammonium tartrat
e)及び酒石酸(tartaric acid)水溶液（０．０１〜５重
量％）のような非侵害性電解液中で０．３〜５ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流密度を維持しながら印加電圧を調節して５０
０〜２０００Å厚さで形成する。ここで陽極酸化された
アルミニウム酸化膜の生成厚さは１３〜１４Ａ／Ｖの電
圧依存性を有する。アルミニウム酸化膜３ａの厚さはお
よそ１０００Åであれば好適である。
２ａを表面から所定深さまで陽極酸化させアルミニウム
酸化膜３ａを形成する。この陽極酸化工程はクエン酸(c
itric acid)，アンモニウム酒石酸塩(ammonium tartrat
e)及び酒石酸(tartaric acid)水溶液（０．０１〜５重
量％）のような非侵害性電解液中で０．３〜５ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流密度を維持しながら印加電圧を調節して５０
０〜２０００Å厚さで形成する。ここで陽極酸化された
アルミニウム酸化膜の生成厚さは１３〜１４Ａ／Ｖの電
圧依存性を有する。アルミニウム酸化膜３ａの厚さはお
よそ１０００Åであれば好適である。
【００１８】図３Ｃを参照すれば、アルミニウム酸化膜
３ａ上にフォトレジストよりなった酸化阻止膜を塗布
し、フォトレジストをゲート電極マスクとして用いて露
光及び現像してゲート電極を形成しようとする領域のみ
フォトレジストパターン９を残す。
３ａ上にフォトレジストよりなった酸化阻止膜を塗布
し、フォトレジストをゲート電極マスクとして用いて露
光及び現像してゲート電極を形成しようとする領域のみ
フォトレジストパターン９を残す。
【００１９】図３Ｄを参照すれば、残されたフォトレジ
ストパターン９を酸化阻止マスクとして用いてアルミニ
ウム合金層２ａを底まで完全に陽極酸化させる。そうす
ると、フォトレジストパターン９が形成された領域下の
アルミニウム合金層２ａのみ残して残りの領域のアルミ
ニウム合金層はすべてがアルミニウム酸化膜３ｂにな
る。
ストパターン９を酸化阻止マスクとして用いてアルミニ
ウム合金層２ａを底まで完全に陽極酸化させる。そうす
ると、フォトレジストパターン９が形成された領域下の
アルミニウム合金層２ａのみ残して残りの領域のアルミ
ニウム合金層はすべてがアルミニウム酸化膜３ｂにな
る。
【００２０】従って、陽極酸化されずに残されたアルミ
ニウム合金層がゲート電極２に残されることになる。次
いで、陽極酸化マスクとして用いられたフォトレジスト
９を除いた後、通常のアモルファスシリコンを用いた液
晶用薄膜トランジスタの製造方法を使用して後続工程を
行うことにより図２に示した液晶用薄膜トランジスタの
形成を完了する。
ニウム合金層がゲート電極２に残されることになる。次
いで、陽極酸化マスクとして用いられたフォトレジスト
９を除いた後、通常のアモルファスシリコンを用いた液
晶用薄膜トランジスタの製造方法を使用して後続工程を
行うことにより図２に示した液晶用薄膜トランジスタの
形成を完了する。
【００２１】前述した製造工程においてはアルミニウム
合金層２ａを所定深さまで一部陽極酸化し、次いで陽極
酸化マスクを用いて選択的に底まで陽極酸化することに
よりアルミニウム合金よりなったゲート電極とアルミニ
ウム酸化膜よりなったゲート電極絶縁膜とを同時に形成
することができる。これにより、ゲート電極をパタニン
グする必要がなくて蝕刻工程が要らない。また、平坦な
ゲート絶縁膜が得られてゲート電極の段差による上下金
属層間の短絡問題を防止することができる。
合金層２ａを所定深さまで一部陽極酸化し、次いで陽極
酸化マスクを用いて選択的に底まで陽極酸化することに
よりアルミニウム合金よりなったゲート電極とアルミニ
ウム酸化膜よりなったゲート電極絶縁膜とを同時に形成
することができる。これにより、ゲート電極をパタニン
グする必要がなくて蝕刻工程が要らない。また、平坦な
ゲート絶縁膜が得られてゲート電極の段差による上下金
属層間の短絡問題を防止することができる。
【００２２】前述した製造工程において、陽極酸化マス
クとして使用されるフォトレジストの代わりにシリコン
窒化膜，シリコン酸化膜，ＰＳＧ膜又はＢＰＳＧ膜等の
誘電体膜を使用することもできる。勿論、誘電体膜のパ
ターンを形成するためには１回の写真蝕刻工程が追加さ
れる問題点がある。
クとして使用されるフォトレジストの代わりにシリコン
窒化膜，シリコン酸化膜，ＰＳＧ膜又はＢＰＳＧ膜等の
誘電体膜を使用することもできる。勿論、誘電体膜のパ
ターンを形成するためには１回の写真蝕刻工程が追加さ
れる問題点がある。
【００２３】しかし、フォトレジストは周囲環境の色々
の要因とアルミニウム合金層の表面性質に従って影響を
受けるので時間がたつにつれ性能変化を起こすので信頼
できなく、連続的に高い収率が期待できない。また、低
い陽極酸化電圧ではその性能が維持できるが、高い陽極
酸化電圧ではその信頼性が落ちる。従って、陽極酸化マ
スクとして誘電体膜を使用する場合は、高い陽極酸化電
圧が使用でき、陽極酸化中にフォトレジストが持つ問題
点が避けられ、信頼性及び再現性を期待することができ
る。
の要因とアルミニウム合金層の表面性質に従って影響を
受けるので時間がたつにつれ性能変化を起こすので信頼
できなく、連続的に高い収率が期待できない。また、低
い陽極酸化電圧ではその性能が維持できるが、高い陽極
酸化電圧ではその信頼性が落ちる。従って、陽極酸化マ
スクとして誘電体膜を使用する場合は、高い陽極酸化電
圧が使用でき、陽極酸化中にフォトレジストが持つ問題
点が避けられ、信頼性及び再現性を期待することができ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明においては液
晶用薄膜トランジスタのゲート電極をアルミニウム合金
層の一部陽極酸化及び選択的陽極酸化工程により形成す
ることにより、ゲート電極の段差問題とゲート絶縁膜の
平坦化とを同時に満たすことができるので工程の単純化
及び信頼性向上が図れる。
晶用薄膜トランジスタのゲート電極をアルミニウム合金
層の一部陽極酸化及び選択的陽極酸化工程により形成す
ることにより、ゲート電極の段差問題とゲート絶縁膜の
平坦化とを同時に満たすことができるので工程の単純化
及び信頼性向上が図れる。
【図１】 従来の液晶用薄膜トランジスタの構造を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図２】 本発明による液晶用薄膜トランジスタの構造
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【図３】 Ａ〜Ｄは本発明による液晶用薄膜トランジス
タの製造工程の一実施例を示した一部工程順序図であ
る。
タの製造工程の一実施例を示した一部工程順序図であ
る。
１ 透明基板、２ ゲート電極、２ａ アルミニウム合
金層、３ａ，３ｂ アルミニウム酸化膜、４ 絶縁膜、
５ アモルファスシリコン層、６ａ，６ｂ ドープされ
たアモルファスシリコン層、７ 透明電極層、８ａ，８
ｂ 金属電極層
金層、３ａ，３ｂ アルミニウム酸化膜、４ 絶縁膜、
５ アモルファスシリコン層、６ａ，６ｂ ドープされ
たアモルファスシリコン層、７ 透明電極層、８ａ，８
ｂ 金属電極層
Claims (7)
- 【請求項１】 陽極酸化絶縁膜からなるゲート絶縁膜を
含む液晶用薄膜トランジスタの製造方法において、 透明基板の全表面上に所定厚さの金属層を形成する工程
と、 前記金属層を表面から所定深さまで一部陽極酸化する工
程と、 前記一部陽極酸化された金属層上に陽極酸化阻止膜を塗
布し、この陽極酸化阻止膜をパタニングする工程と、 前記パタニングされた陽極酸化阻止膜を陽極酸化マスク
として用いて陽極酸化されない金属層を選択的に陽極酸
化する工程と、 前記選択的な陽極酸化後、前記陽極酸化阻止膜を除去し
通常の知られた方法で後続工程を行って前記液晶用薄膜
トランジスタを成形する工程を備えることを特徴とする
液晶用薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項２】 前記金属層はアルミニウムまたはアルミ
ニウム合金であることを特徴とする請求項１記載の液晶
用薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項３】 前記金属層の所定の厚さは１５００〜６
０００Åであることを特徴とする請求項２記載の液晶用
薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項４】 前記一部陽極酸化の所定深さは５００〜
２０００Åであることを特徴とする請求項３記載の液晶
用薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項５】 前記陽極酸化阻止膜はフォトレジスタで
あることを特徴とする請求項４記載の液晶用薄膜トラン
ジスタの製造方法。 - 【請求項６】 前記陽極酸化工程はクエン酸，アンモニ
ウム酒石酸塩及び酒石酸の重量比が０．０１〜５重量％
の水溶液中で０．３〜５ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度を維持
しながら印加電圧で陽極酸化物の生成厚さを調節するこ
とを特徴とする請求項５記載の液晶用薄膜トランジスタ
の製造方法。 - 【請求項７】 前記陽極酸化阻止膜はシリコン窒化膜、
シリコン酸化膜、ＰＳＧ膜及びＢＰＳＧ膜のうちいずれ
か一つであることを特徴とする請求項１記載の液晶用薄
膜トランジスタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1991-006838 | 1991-04-27 | ||
| KR1019910006838A KR960016487B1 (ko) | 1991-04-27 | 1991-04-27 | 액정용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329675A JPH04329675A (ja) | 1992-11-18 |
| JP2501153B2 true JP2501153B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=19313787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28476191A Expired - Lifetime JP2501153B2 (ja) | 1991-04-27 | 1991-10-30 | 液晶用薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501153B2 (ja) |
| KR (1) | KR960016487B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000003114A (ko) * | 1998-06-25 | 2000-01-15 | 김영환 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252937A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Citizen Watch Co Ltd | アクティブマトリックス素子の製造方法 |
| JP2618034B2 (ja) * | 1989-04-13 | 1997-06-11 | 松下電器産業株式会社 | マトリクス基板及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-27 KR KR1019910006838A patent/KR960016487B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-10-30 JP JP28476191A patent/JP2501153B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960016487B1 (ko) | 1996-12-12 |
| KR920020754A (ko) | 1992-11-21 |
| JPH04329675A (ja) | 1992-11-18 |
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