KR970030921A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마스크 매수를 줄임으로써 제조 비용을 낮추고 수율을 높일 수 있는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 희토류 금속계 합금인 Al-Nd 합금막 또는 알루미늄-백금 합금으로 제1게이트 패드 금속층을 형성한다. 그리고 게이트 패드 금속층 위에 형성한 보호막 절연막, 그리고 양극 산화막을 게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 동시에 사진 식각함으로써 마스킹 공정 횟수를 줄인다. 또한 양극 산화 공정을 하지 않아 양극 산화에 따른 마스킹 공정 횟수를 줄인다.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 제3(a)도-제3(f)는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트 패드부의 제조 공정 순서를 나타낸 단면도이다.

Claims (14)

  1. 기판위에 도전막을 적층하고 제1마스크를 이용하여 사진 식각하여 제1게이트 패드 금속층 및 게이트 전극을 형성하는 제1단계, 상기 게이트 전극을 제2마스크를 이용하여 양극 산화하여 양극 산화막을 형성하는 제2단계, 절연막과 반도체막을 차례로 적층한 후 제3마스크를 이용하여 사진 식각하여 반도체막의 패턴을 형성하는 제3단계, 도전 물질을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 사진 식각하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4단계, 보호막을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 사진 식각하여 상기 드레인 전극 위에 컨택 구멍을 형성함과 동시에 상기 제1게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 제5단계, 투명 도전 물질을 적층한 후 제6마스크를 이용하여 식각하여 상기 제1게이트 패드 금속층과 접속되는 제2게이트 패드 금속층 및 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 제6단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에서, 상기 도전막은 알루미늄-희토류 금속계 합금 또는 알류미늄-백금 합금으로 사용하여 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  3. 제2항에서, 상기 도전막은 Al-Nd합금으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  4. 제1항에서, 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  5. 기판위에 도전막을 적층하고 제1마스크를 이용하여 사진 식각하여 제1게이트 패드 금속층 및 게이트 전극을 형성하는 제1단계, 절연막과 반도체막을 차례로 적층한 후 제2마스크를 이용하여 사진 식각하여 반도체막의 패턴을 형성하는 제2단계, 상기 제1게이트 패드 금속층 위에 형성되어 있는 절연막을 제3마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제1게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 3단계, 도전 물질을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제1게이트 패드 금속층 위에 제2게이트 패드 금속층과 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4단계, 보호막을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 드레인 전극 위에 컨택 구멍을 형성함과 동시에 상기 제2게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 제5단계, 투명 도전 물질을 적층한 후 제6마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제2게이트 패드 금속층과 접속되는 제3게이트 패드 금속층 및 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 제6단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도전막은 알루미늄-희토류 금소계 합금 또는 알루미늄-백금 합금으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에서, 상기 도전막은 Al-Nd 합금으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  8. 제5항에서, 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  9. 기판 위에 도전막을 적층하고 제1마스크를 이용하여 사진 식각하여 제1게이트 패드 금속층 및 게이트 형성하는 제1단계,절연막과 반도체막을 차례로 적층한 후 제2마스크를 이용여 마스크를 이용하여 사진 식각하여 반도체막의 패턴을 형성하는 제2단계, 도전 물질을 적층한 후 제3마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 사진 식각하여소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제3단계, 보호막을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 사진식각하여 상기 드레인 전극 위에 컨텍 구멍을 형성함과 동시에 상기 제 1게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 제4단계, 투명 도전 물질을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제 1게이트 패드 금속층과 접속하는 제2게이트 패드 금속층 및 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 제 5단계를 포함하는 액정 표기 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 도전막은 알루미늄-희토류 금소계 합금 또는 알루미늄-백금 합금으로 사용하여 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 도전막은 Al-Nd합금으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  13. 기판 위에 Al막과 Ta막을 차례로 적층하고 제1마스크를 이용하여 사진 식각하여 제1게이트 패드 금속층 및 상기 제1게이트 패드 금속층 위에 제2게이트 패드 금속층과, 하부 게이트 전극 및 상기 한부 게이트 전극층 위의 상부 게이트 전극층을 형성하는 제1단계, 상기 제2게이트 패드 금속층 및 상기 제2게이트 전극을 양극 산화하여 양극 산화막을 형성하는 제2단계, 절연막과 반도체막을 차례로 적층한 후 제2마스크를 이용하여 사진 식각하여 반도체막의 패턴을 형성하는 제3단계, 도전 물질을 적층한 후 제3마스크를 이용하여 사진 식각하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4단계, 보호막을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 상기 절연막 및 양극 산화막과 함께 사진 식각하여 상기 드레인 전극 위에 컨택 구멍을 형성함과 동시에 상기 제2게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 제5단계, 투명 도전 물질을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제2게이트 패드 금속층과 접속하는 제3게이트 패드 금속층 및 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 제6단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  14. 제13항에서, 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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