KR970063783A - 반도체 장치 형성방법 - Google Patents

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Abstract

각각 전하 전달 제어 TFT를 가진 픽셀 어레이를 가진 능동 매트릭스 액정 디스플레이(LCD) 패널내의 주변 구동회로로서 사용하기 위한 박막 트랜지스터(TFT)를 가진 고집적 회로의 제조 방법이 공개되었다.본 발명은 양극 산화막이 알루미늄과같은 양극화가능 금속으로 제조된 TFT의 게이트 전극과 리드 와이어 상에 형성되는 경우에 어려울 수 있는 접촉 구멍의 형성을 가능하게 한다.이 방법은 알루미늄으로 제조된 리드 와이어와 전극의 부분상에 레지스트 마스크가 중착되게 하면서 양극산화의 수행을 포함하며, 따라서 리드 와이어 및 전극상의 양극 산화막의 형성을 부분적으로 제거한다. 제조의 나중의 단계에서, 각각의 접점은 양극 산화막을 갖지 않은 부분을 사용하여 형성한다. 이것은 접점의 제조를 쉽게 하면서 알루미늄이 리드 와이어로서 사용되도록 허용한다.

Description

반도체 장치 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1j도는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 장치의 주요 제조 단계를 도시하는 단면도.

Claims (11)

  1. 반도체 장치 형성 방법에 있어서, 양극 산화가능 재료로 제조된 리드 와이어 및 전극중의 적어도 하나의 부분상에 마스크가 배치된 상태에서 양극산화를 수행하는 단계와, 상기 마스크 아래에 있는 부분을 사용하여, 상기 리드 와이어와 전극중의 적어도 하나의 분리를 허용하면서 상기 리드 와이어와 전극중의 적어도 하나위에 접촉 구멍을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 양극화가능 재료는 알루미늄을 포함하거나 알루미늄을 주성분으로서 사용하는 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 양극 산화는 조밀한 막 품질을 가진 양극 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
  4. 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 양극화가능 재료의 막을 형성하는 단계와, 상기 막상에 양극 산화막을 형성하는 단계와, 상기 양극 산화막상에 제1마스크를 배치하는 단계와, 상기 마스크를 사용하여 예정된 리드 와이어 또는 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1마스크를 제거하는 단계와,상기 리드 와이어 또는 전극의 부분상에 제2마스크를 배치하여 양극 산화를 수행하는 단계와, 상기 리드 와이어와 전극의 분리를 동시에 허용하면서 상기 마스크 아래에 놓인 부분을 사용하여 상기 리드 와이어와 전극중의 적어도 하나와의 상호 접속을 위한 접촉 구멍을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 양극화 가능 재료는 알루미늄을 포함하거나 알루미늄을 주 성분으로 사용하는 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 양극 산화는 조밀한 막 품질을 가진 양극 산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  7. 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 표면상에 형성되는 부분적으로 얇은 양극 산화막을 가진 양극 산화가능재료의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 양극 산화막의 얇은 부분의 사용에 의하여, 접점의 형성과 상기 패턴의 분리를 동시에 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 양극화가능 재료는 알루미늄으로 포함하거나 알루미늄을 주성분으로 사용하는 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  9. 반도체 장치 형성 방법에 있어서, 알루미늄으로 제조되거나 알루미늄을 주성분으로 포함하는 제1리드 또는 전극의 표면상에 복수의 마스크를 배치하는 단계와, 상기 제1리드 또는 전극을 양극으로하여 양극산화를 수행하는 단계와, 상기 마스크를 제거하는 단계와, 상기 제1전극 또는 전극 위에 놓인 층간 유전체 막을 형성하는 단계와, 상기 마스크의 위치에 상기 층간 유전체막에 구멍을 형성하여 상기 제1리드 또는 전극을 부분적으로 노출시키는 단계와, 상기 충간 유전체 막상에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속 막을 패터닝하여, 그것의 부분을 상기 구멍이 형성될 적어도 한 부분에 잔류되게 하여 상기 제1리드 또는 전극과 접촉된 제2리드 또는 전극을 형성하는 단계와, 상기 금속 막을 패터닝하는 앞의 단계 동안에 상기 구멍이 형성되는 적어도 하나의 나머지 부분에서 상기 금속막의 제거와 상기 리드 또는 전극의 제거를 동시에 수행하여 상기 제1리드 또는 전극의 분리를 달성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 마스크는 후의 단계에서 형성될 양극 산화막보다 두께가 작은 양극 산화막 위에 놓인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 양극 산화는 조밀한 막 품질을 갖는 양극 산화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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