KR960019596A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960019596A KR960019596A KR1019940029347A KR19940029347A KR960019596A KR 960019596 A KR960019596 A KR 960019596A KR 1019940029347 A KR1019940029347 A KR 1019940029347A KR 19940029347 A KR19940029347 A KR 19940029347A KR 960019596 A KR960019596 A KR 960019596A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- anodized
- thin film
- film transistor
- metal
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로 액정표시장치의 박막트랜지스터의 게이트단차를 감소시키기 위한 것이다.
기판상에 양극산화가 되지 않는 금속을 증착하는 공정과, 상기 양극산화가 되지 않는 금속층을 소정패턴으로 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 공정, 기판 전면에 양극산화가 가능한 금속을 증착하는 공정, 상기 양극산화가 가능한 금속층을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 공정, 상기 양극산화막상에 절연층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 박막트랜지스터의 제조방법을 제공함으로써 게이트전극부위의 단차를 감소시켜 게이트전극과 그 상부에 형성되는 데이타라인과의 단락 및 단선이 방지하여 소자의 신뢰성 향상을 도모한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터 단면구조도.
Claims (3)
- 기판상에 양극산화가 되지 않는 금속을 증착하는 공정과, 상기 양극산화가 되지 않는 금속층을 소정패턴으로 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 공정, 기판 전면에 양극산화가 가능한 금속을 증착하는 공정, 상기 양극산화가 가능한 금속층을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 공정, 상기 양극산화막상에 절연층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 양극산화가 되지 않는 금속으로 Ti 또는 Cr을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 양극산화가 가능한 금속으로 Al 또는 Ta을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940029347A KR960019596A (ko) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940029347A KR960019596A (ko) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019596A true KR960019596A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66687858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940029347A KR960019596A (ko) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960019596A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100471769B1 (ko) * | 1996-07-19 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | 테이퍼식각방법및액정표시장치용표시판의제조방법 |
| KR100642968B1 (ko) * | 1997-06-11 | 2007-04-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치및그제조방법 |
-
1994
- 1994-11-09 KR KR1019940029347A patent/KR960019596A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100471769B1 (ko) * | 1996-07-19 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | 테이퍼식각방법및액정표시장치용표시판의제조방법 |
| KR100642968B1 (ko) * | 1997-06-11 | 2007-04-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치및그제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920022580A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR930015079A (ko) | 박막트랜지스터(tft)패널 제조방법 | |
| KR940015562A (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
| KR960019596A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960001841A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR970023624A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR930001497A (ko) | 액정용 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR940016905A (ko) | 박막트랜지스터 구조 및 제조방법 | |
| KR960026903A (ko) | 액정표시소자용 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960024600A (ko) | 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법 | |
| KR970054457A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR970011944A (ko) | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| KR960024610A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR940008124A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR930013809A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR970002409A (ko) | 박막 트랜지스터-액정표시장치 | |
| KR960006080A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960029861A (ko) | 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조 및 그 제조방법 | |
| KR950033616A (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
| KR910013488A (ko) | Difet에 의해 구동되는 박막 트랜지스터 | |
| KR950006516A (ko) | 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(lcd) 및 그 제조방법 | |
| KR930014893A (ko) | 2단 전류 전압 특성을 갖는 tft 절연막 제조방법 | |
| KR970030080A (ko) | 전계방출형 표시소자의 스페이서 구조 | |
| KR940012656A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR930018712A (ko) | 수직형 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |