KR970002409A - 박막 트랜지스터-액정표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 게이트 배선의 단차로 인하여 발생하는 게이트 배선 윗 부분의 단락이나 단선불량을 제거할 수 있는 박막 트랜지스터-액정표시장치에 관한 것으로서, 이와같은 본 발명의 박막 트랜지스터-액정표시장치는 기판위에 형성된 게이트 배선과, 게이트 배선 사이에 형성되어 게이트 배선과 거의 동일한 두께를 가지며, 투명하며, 게이트 배선을 다른 게이트 배선과 1차 절연하는 게이트 금속 산화물부재와, 게이트 금속 산화물부재 및 게이트 배선 상부에 형성된 게이트 절연층과,게이트 절연층의 상부에 형성된 반도체층과, 반도체층 상부의 소정 부위에 형성된 소오스 및 드레인 영역과, 소오스 및드레인 영역과 오믹접촉을 형성하기 위한 소오스, 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하고, 그 제조방법은 투광성 기판위에 금속막을 형성하는 공정과, 형성된 금속막 중 게이트 배선을 형성할 부분의 상부에만 포토 레지스터층을 형성하여, 포토 레지스터층이 부분적으로 피복된 금속막을 양극산화시키는 공정과, 금속산화막 및 게이트 금속 상부에 절연층을형성하는 공정과, 절연층 위에 반도체층, 소오스, 드레인 영역, 소오스, 드레인 전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조공정을 설명하는 공정흐름도.
Claims (5)
- 기판위에 형성된 게이트 배선과, 게이트 배선 사이에 형성되어 게이트 배선과 거의 동일한 두께를 가지며, 투명하며, 게이트 배선을 다른 게이트 배선과 1차 절연하는 게이트 금속 산화물부재와, 상기 게이트 금속 산화물부재 및게이트 배선 상부에 형성된 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층의 상부에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 상부의 소정 부위에 형성된 소오스 및 드레인 영역과, 상기 소오스 및 드레인 영역과 오믹 접촉을 형성하기 위한 소오스, 드레인 전극으로 구성한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-액정표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 산화물부재는 기판위에 형성된 금속막을 양극산화시킨 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-액정표시장치.
- 투광성 기판위에 금속막을 형성하는 공정과, 형성된 금속막 중 게이트 배선을 형성할 부분의 상부에만 포토 레지스터층을 형성하는 공정과, 포토 레지스터층이 부분적으로 피복된 금속막을 양극산화시키는 공정과, 금속산화막및 게이트 금속 상부에 절연층을 형성하는 공정과, 절연층 위에 소오스, 드레인 영역을 포함하는 반도체층을 형성하는 공정과, 반도체층의 소오스, 드레인 영역에 금속막을 형성하는 공정으로 이루어진 박막 트랜지스터-액정표시장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 양극산화공정에서 산화시킬 금속막은 (+)단자에 전기적으로 연결하고, (-)단자에는 백금 또는 스테인레스 스틸을 연결한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-액정표시장치의 제조방법.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 양극산화시킬 금속막은 산화된 상태에서 투명성의 재질을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-액정표시장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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