KR930024189A - 박막트랜지스터의 제조방법

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본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 종래 박막트랜지스터의 게이트 절연막 제조시 게이트전극의 기판에 대한 부착력 및 전류밀집 등으로 인한 게이트전극의 단선으로 인해 게이트전극의 선폭 및 두께형성에 제한을 받는 문제점이 있었다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 박막트랜지스터 제조시 제2게이트전극의 선폭을 제1게이트전극보다 넓게 하여 단선을 방지함으로써 수율을 증가시킬 수 있고, 또한 제1게이트전극의 선폭이 감소되므로 인해 개구율이 증가되는 트랜지스터를 제조할 수 있는 것이다.

박막트랜지스터의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도의 (가) 내지 (사)는 본 발명 박막트랜지스터의 제조공정도, 제5도의 (가) 내지 (다)는 제4도에 따른 화소 구조도.

유기기판(1) 위에 금속을 증착하여 제1게이트전극(2)의 패턴을 형성한 후 그 위에 금속을 증착하여 에칭한 후 제2게이트전극(7)을 형성한 다음, 그 제2게이트전극(7)을 양극산화 절연막(6)으로 형성하고, 그 양극산화 절연막(6) 위에 순차적으로 게이트 절연막(3)과 비정질 실리콘층(4)을 형성하여 패턴을 형성한 후 화소전극(8)을 형성한 다음 소스-드래인전극(5)을 증착한 후 패턴을 형성하여 제조됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
제1항에 있어서, 양극산화 절연막(6)은 상기 제2게이트전극(7)을 양극산화하여 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 제2게이트전극(7)은 Al, Ta, Ti, Si, V, Nb, Hf, Zr 금속이 사용됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
제1항에 있어서, 제2게이트전극(7)은 상기 제1게이트전극(2)의 선폭보다 넓게 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.