KR940016748A - 박막 트랜지스터의 크로스-오버 제조방법 - Google Patents

Abstract

발명은 박막 트랜지스터의 크로스-오버 제조방법에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 게이트라인과 데이타라인이 교차되는 크로스-오버 부분에서 게이트라인 두께에 해당하는 단자가 데이타라인에 발생한다.

이에 따라 후공정중에 충격이나 화학액으로 인해 데이타라인이 단선되어 생산수율이 낮아져 대량생산이 불가능하게 되는 문제점이 있었다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 게이트전극위에 게이트전극의 두께만큼을 합한 게이트절연층을 증착한후 그 게이트전극만큼 게이트 절연층을 식각하여 게이트에 의한 단차를 제거함으로써 평탄화 크로스-오버 부분을 형성하게 된다.

따라서, 크로스-오버부분에서 게이트에 의한 단차를 제거하여 데이타라인의 박막 트랜지스터의 대량생산이 가능하게 되는 것이다.

Description

박막 트랜지스터의 크로스-오버 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 2 도는 제 1 도에 따른 박막 트랜지스터 어레이의 크로스-오버 단면 구조도, 제 3 도는 본 발명 박막 트랜지스터의 크로스-오버 단면 구조도, 제 4 도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 박막 트랜지스터의 크로스-오버 제조공정도.

Claims (4)

1. 유리기판(8)위에 게이트전극(1)을 형성하고, 상기 게이트전극(1) 위에 게이트전극 두께가 합해진 두께로 게이트절연층(3)을 증착한후 포토레지스트(9)를 사용하여 게이트전극 형상으로 셀프-얼라인한 다음 게이트전극(1)위의 게이트 절연층(3)을 식각하여 게이트절연층(3)을 평탄하게 하고, 상기 평탄하게된 게이트절연층(3)위에 데이타라인(2)을 증착하여 크로스-오버를 제조함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 크로스-오버 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 게이트절연층(3) 식각을 위한 포토레지스트(9)는 네가티브 포토레이지스트가 사용됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 크로스-오버 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 포토레지스트의 게이트전극형상은 게이트전극(1)에 의한 셀프-얼라인 방법으로 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 크로스-오버 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서, 게이트 절연층(3)의 식각은 건식식각이나 습식 식각방법이 사용됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 크로스-오버 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.