KR960015953A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 알루미늄 신호선의 단선 및 단락을 방지할 수 있도록 한 것이다.
본 발명은 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계와, 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층상에 반도체활성층을 형성하는 단계, 상기 반도체활성층상에 n & 반도체층을 증착하는 단계, 백재널부위의 상기 n & 반도체층을 식각하는 단계, 기판상의 소정영역에 투명전도막을 형성하는 단계, 기판 전면에 알루미늄을 증착하는 단계, 소오스 및 드레인영역이외의 상기 알루미늄층 영역을 소정두께로 식각하는 단계, 및 상기 알루미늄층을 양극산화하는 단계를 포함하여 이루어지는 박막트랜지스터 제조방법을 제공함으로써 알루미늄으로 이루어진 신호선의 단락 및 단선을 방지하여 박막트랜지스터의 신뢰성을 향상시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 박막트랜지스터 단면구조도,
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (3)
- 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계와, 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층상에 반도체 활성층을 형성하는 단계, 상기 반도체활성층상에 n & 반도체층을 증착하는 단계, 백태널부위의 상기 n & 반도체층을 식각하는 단계, 기판상의 소정영역에 투명전도막을 형성하는 단계, 기판 전면에 알루미늄을 증착하는 단계, 소오스 및 드레인영역이외의 상기 알루미늄?? 영역을 소정두께로 식각하는 단계 및 상기 알루미뮴층을 양극산화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인영역이외의 상기 알루미늄층 전체두께의 1/2두께만큼 식각하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 알루미늄층의 양극산화시 알루미늄층의 두께차이로 인하여 식각된 부분의 알루미늄층은 환전히 산화알루미늄층으로 되고, 상기 소오스 및 드레인영역상의 알루미늄층은 일정두께만큼 양극산화되고 나머지 부분은 양극산화되지 않고 알루미늄으로 남아 소오스 및 드레인전극이 되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940026626A KR960015953A (ko) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940026626A KR960015953A (ko) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960015953A true KR960015953A (ko) | 1996-05-22 |
Family
ID=66767043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940026626A KR960015953A (ko) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960015953A (ko) |
-
1994
- 1994-10-18 KR KR1019940026626A patent/KR960015953A/ko not_active Application Discontinuation
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