KR930015056A - 리세스 게이트 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
리세스 게이트 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 방법에 의한 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 제조공정도.
제 2 도는 본 발명의 리세스 식각방법에 의한 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 게이트 형성공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 갈륨비소 기판(GaAs wafer)
1-a : n형 불순물 주입층(n-type ion implanted layer)
1-b : 고농도 n형 불순물 주입층(highly n-type doped layer)
2 : 유전막 3 : 감광막
4 : 갈륨비소 산화막 5 : 게이트 금속
6 : 오오믹 전극(ohmic contact)
Claims (3)
- 갈륨비소기판(1)의 채널층 및 소오스/드레인 영역에 n형 불순물을 이온주입하는 제 1 공정과, 상기 갈륨비소기판(1)에 유전막(2)을 피복하고 고온에서 활성화 시키는 제 2 공정과, 상기 유전막(2)상에 감광막(3)을 도포하고 게이트의 패턴을 정의한 후 상기 유전막(2)을 식각하는 제 3 공정과, 게이트의 패턴이 정의된 영역의 갈륨비소기판(1)에 리세스할 두께만큼 산하막(4)을 형성시키는 제 4 공정 및, 상기 산화막(4)을 제거한 후 게이트 금속(5)을 증착하고 오오믹 전극(6)을 형성하는 제 5 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리세스 게이트 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항의 제 4 공정에 있어서, 상기 산화막(4)은 플라즈마 산화방법 혹은 플라즈마 양극산화 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 리세스 게이트 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항의 제 5 공정에 있어서, 상기 산화막(4)은 습식식각 방법 혹은 건식식각 방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 리세스 게이트 갈륨비소 전계효과 트랜지스터인 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR940007667B1 (ko) | 1994-08-22 |
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