KR900001029A - 고전압용 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
고전압용 반도체 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 고전압용 반도체 소자 및 그 제조방법
Claims (3)
- 필드 플레이트와 필드 리미팅 링의 복합구조에서, 주접합부 상에 일정한 유리막으로 필드 플레이트를 형성시키고, 필드 리미팅 링영역은 반도체 확산 방식을 이용하여 반도체의 기판과 반대형 물질을 형성시켜 부상전극을 형성시키는 구조로 이루어진 고전압용 반도체 소자에 있어서, 상기 주접합부의 필드 플레이트영역 일부와 필드 리미팅 링영역 부분을 반도체 에칭기술을 이용하여 에칭홈을 형성시키고, 상기 필드 플레이트영역부분에 형성된 에칭홈은 내부와 외부에, 필드 리미팅 영역부분에 형성된 에칭홈은 내부에 절연막인 유리를 형성한 후, 상기 필드 플레이트상의 홈에는 주접합부와 같은 전극을 형성시키고 필드 리미팅 영역부분에 형성된 에칭홈상에는 부상전극이 형성되도록 구성한 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 에칭홈의 에칭 깊이는 주접합부의 P+확산영역과 동일한 깊이로 에칭되고, 각각 동일 크기인 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체 소자.
- N+기판상에 N-에피텍셜 성장층을 형성시켜, 주접합부의 필드 리미팅 링영역상에 P+확산처리하는 공정과, 상기 P+확산처리된 주접합부 및 필드 리미팅 링영역상에 절연체인 유리를 형성하는 공정과, 상기 형성된 유리층의 주접합부상 필드 플레이트 일부는 N-에피텍셜 성장층의 표면까지 에칭하여 제거시키고, 필드 리미팅 영역상의 일부는 유리 도핑층의 소정깊이만큼 에칭하여 홈을 구성시키는 공정으로 이루어진 고전압용 반도체 제조방법에 있어서, 상기 필드 플레이트영역의 일부를 에칭시키고, 필드 리미팅 링영역 부분을 P+확산영역의 깊이와 동일한 깊이로 에칭시켜 에칭홈을 형성시키는 공정과, 상기 필드 플레이트의 주접합부 위와 필드 리미팅 링영역에 형성된 에칭홈상에 절연막인 유리를 형성하는 공정과, 상기 도핑된 유리층상에 전극을 일정한 두께로 형성하는 공정과, 상기 에칭홈들간의 경계지점에 형성된 전극층을 소정 간격만큼 에칭하여 부상전극을 형성시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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- 1988-06-16 KR KR1019880007208A patent/KR910004317B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR910004317B1 (ko) | 1991-06-25 |
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