KR940003078A - 고전압용 반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents
고전압용 반도체소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940003078A KR940003078A KR1019920011776A KR920011776A KR940003078A KR 940003078 A KR940003078 A KR 940003078A KR 1019920011776 A KR1019920011776 A KR 1019920011776A KR 920011776 A KR920011776 A KR 920011776A KR 940003078 A KR940003078 A KR 940003078A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- doped
- epitaxial layer
- impurity
- semiconductor device
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 륵히 제1도전형의 불순물이 도우프되어 있는 드레인영역, 상기 드레인영역 상에 형성되고 제1도전형의 불순물이 도우프되어 있는 에피텍셜층, 에피텍셜층파는 게이트 산화막에 의해 분리되고 상기 에피텍셜층을 파고드는 형태로 형성되며 서로 분리된 두개의 게이트전극들, 상기 게이트전극들 사이에 형성되고 다이오드의 한쪽 전극에 의해 서로 분리되며 제1도전형의 불순물이 도우프되어 있는 두개의 소오스영역들, 상기 소오스영역들 사이에 형성되고 있는 두개의 소오스영역들, 상기 소오스영역들 사이에 형성되고 제2도전형의 불순물이 도우프되어 있는 다이오드의 한쪽 전극, 및 상기 두개의 소오스영역 및 다이오드의 한쪽 전극을 감싸는 형태로 형성되고 제2도전형의 불순물이 도오프되어 있는 웰을 포함하는 고전압용 반도체소자 및 그 제조방법을 제공한다. 따라서, 제조공정의 단순화, 고집적화 및 빠른 스위칭동작이 가능한 고전압용 반도체소자를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 방법에 의해 제조된 고전압용 반도체소자를 도시한 단면도.
제3도 내지 제7도는 본 발명에 의한 고전압용 반도체소자의 제조방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들.
Claims (6)
- 제1도전형의 불순물이 도우프되어 있는 드레인영역. 상기 드레인영역 상에 형성되고 제1도전형의 불순물이 도우프되어 있는 에피텍셜층, 에피텍셜층과는 게이트산화막에 의해 분리되고 상기 에피텍셜층을 파고드는 형태로 형성되며 서로 분리된 두개의 게이트전극들, 상기 게이트전극들 사이에 형성되고 다이오드의 한쪽 전극에 의해 서로 분리되며 제1도전형의 불순물이 도우프되어 있는 두개의 소오스영역들, 상기 소오스영역들 사이에 형성되고 제2도전형의 불순물이 도우프되어 있는 다이오드의 한쪽 전극, 및 상기 두개의 소오스영역 및 다이오드의 한쪽 전극을 감싸는 형태로 형성되고 제2도전형의 불순물이 도우프되어 있는 웰을 포함하는 고전압용 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 5가 이온에 의해 형성되고 상기 제2도전형은 3가 이온에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 다이오드의 한쪽 전극은 상기 소오스영역 보다 상대적으로 더 깊게 형성되어 있고, 상기 웰은 상기 다이오드의 한쪽 전극 보다 상대적으로 더 깊게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체소자.
- 반도체기판 전면에 제1도전형의 불순물을 도우프하여 드레인영역을 형성하는 공정, 드레인영역 전면에 제1도전형의 불순물이 도우프된 에피텍셜층을 형성하는 공정, 상기 에피텍셜층의 표면에 소자분미락들을 형성하는 공정, 결과물 전면에 제2도전형의 불순물을 도우프하여 웰을 형성하는 공정, 상기 소자분리막들을 제거하는 공정, 결과물 전면에 도전물질을 증착하는 공정, 게이트산화막의 표면이 드러날 때 까지 상기 도전물질을 에치백하는 공정, 결과물 전면에 제1도전형의 불순물을 도우프하여 소오스영역을 형성하는 공정, 및 상기 소오스영역의 중앙부에 제2도전형의 불순물을 도우프하는 공정을 포함하는 고전압용 반도체소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 소자분리막들은 소정깊이 만큼 에피텍셜층을 파고드는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체소자의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 도전물질은 상기 소정깊이 이상의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011776A KR0183669B1 (ko) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 고전압용 반도체소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011776A KR0183669B1 (ko) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 고전압용 반도체소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940003078A true KR940003078A (ko) | 1994-02-19 |
| KR0183669B1 KR0183669B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=19335763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920011776A KR0183669B1 (ko) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 고전압용 반도체소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0183669B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020021586A (ko) * | 2000-09-30 | 2002-03-21 | 윤관호 | 다이얼펄스를 이용한 유무선 종합경보장치 |
| KR100418517B1 (ko) * | 1996-12-13 | 2004-05-17 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력용 모스트랜지스터 |
-
1992
- 1992-07-02 KR KR1019920011776A patent/KR0183669B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418517B1 (ko) * | 1996-12-13 | 2004-05-17 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력용 모스트랜지스터 |
| KR20020021586A (ko) * | 2000-09-30 | 2002-03-21 | 윤관호 | 다이얼펄스를 이용한 유무선 종합경보장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0183669B1 (ko) | 1999-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4980306A (en) | Method of making a CMOS device with trench isolation device | |
| US4072975A (en) | Insulated gate field effect transistor | |
| US4593459A (en) | Monolithic integrated circuit structure and method of fabrication | |
| KR940010367A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| GB2056167A (en) | Ion implantation to form mos devices | |
| JPH02166762A (ja) | コンパクトｃｍｏｓデバイス及びその製造方法 | |
| US4035829A (en) | Semiconductor device and method of electrically isolating circuit components thereon | |
| JPH0444328A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US4633290A (en) | Monolithic CMOS integrated circuit structure with isolation grooves | |
| KR940003078A (ko) | 고전압용 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| KR970018525A (ko) | 트렌치 DMOS의 반도체장치 및 그의 제조방법(a trench DMOS semiconductor device and a method of fabricating the same) | |
| KR950034667A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| EP0268472B1 (en) | Step-cut insulated gate static induction transistors and method of manufacturing the same | |
| US5281832A (en) | Bidirectional two-terminal thyristor | |
| EP0194199A2 (en) | Double gate static induction thyristor and method for manufacturing the same | |
| KR970004079A (ko) | 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| JPS6394667A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH02133929A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100424185B1 (ko) | 트랜지스터 형성 방법 | |
| JPS5986268A (ja) | 変調ド−ピング層を動作層とするシヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタ− | |
| KR950009922A (ko) | 반도체소자의 콘택구조 및 그 제조방법 | |
| US5177029A (en) | Method for manufacturing static induction type semiconductor device enhancement mode power | |
| KR100303356B1 (ko) | 더블 게이트 구조를 갖는 에스오아이 소자 및 그 제조방법 | |
| JP2765142B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100268918B1 (ko) | 반도체소자및그의제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111125 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Expiration of term |