KR910001935A - 셀프얼라인을 이용한 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

셀프얼라인을 이용한 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도의 (가) 내지 (마)는 본 발명 셀프얼라인을 이용한 바이폴라 트랜지스터의 제조 공정도.

Claims (1)

1. 산화분리막(11)을 실시한 상태에서 Si₃N₄로된 질화막(12)을 증착한 후 에칭하여 베이스, 콜렉터 영역을 확보하고, 필드산화막(13)을 형성한 후 마스크를 통해 상기 질화막(12)을 에칭하여 P이온주입으로 콜렉터 영역(14)을 형성하고 마스크를 통해 상기 질화막(12)을 에칭하여 B이온 주입으로 액티브 영역(15)을 형성하고, P⁺포울리 실리콘(17)을 증착한 후 B이온을 주입하고, 열공정을 통해 상기 B이온을 확산하여 P⁺확산층(18)을 형성한 후 산화막(22)을 성장하고, 상기 질화막(12)을 제거한 후 B⁺이온 주입을 실시하여 베이스영역(20)을 형성하고, n⁺포울리 실리콘(23)을 증착한 후 As⁺이온 주입을 실시하여 에미터영역(21)을 형성하는 것을 특징으로 하는 셀프얼라인을 이용한 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.