KR920010825A - 반도체소자의 격리영역 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 격리영역 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본발명의 공정단면도, 제3도는 제2도(A)의 이온농도 윤곽도.
Claims (3)
- 실리콘기판 위에 웰 형성이후의 공정에 있어서, 실리콘기판 위에 베이스산화막을 형성하고 이 베이스산화막에 질소이온을 주입하는 단계, 상기 베이스산화막 위에 액티브영역 마스크용 질화막을 형성하고 포토/에치 공정을 거쳐 필드형성 영역의 질화막과 베이스 산화막을 제거하는 단계, N-필드 마스킹공정 및 N-필드 이온을 주입하는 단계, 필드영역내에 필드산화를 행하여 필드산화막을 형성하는 단계를 차례로 포함함을 특징으로하는 반도체 소자의 격리영역 형성방법.
- 제1항에 있어서, 베이스산화막에 주입된 질소이온을 베이스산화막을 표면으로부터 기판쪽으로 내려갈수록 감소되는 프로파일을 갖고 있음을 특징으로 하는 반도체소자의 격리영역 형성방법.
- 제1항에 있어서, 소자가 CMOS인 경우에는 N-필드 이온주입 공정후 P-필드 마스크공정과 P-필드이온 공정을 차례로 추가 실시함을 특징으로하는 반도체소자의 격리영역 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900018360A KR930010729B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900018360A KR930010729B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920010825A true KR920010825A (ko) | 1992-06-27 |
| KR930010729B1 KR930010729B1 (ko) | 1993-11-08 |
Family
ID=19305982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900018360A KR930010729B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930010729B1 (ko) |
-
1990
- 1990-11-13 KR KR1019900018360A patent/KR930010729B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930010729B1 (ko) | 1993-11-08 |
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