KR910019127A - 반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 - Google Patents
반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체장치의 웰영역형성방법을 설명하기 위한 도면, 제3도는 본 발명에 따른 방법과 종래 방법에 따른 웰영역형서의 주요 차이점을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (1)
- 실리콘기판(1)위의 실리콘산화막을 S. BOE로 전면 식각하는 전면 산화막 식각공정과; 상기 전면 산화막 식가공정후 각각 황산과 HF로 실리콘기관(1)을 세정하는 세정공정; 상기 세정공정 다음 실리콘기관(1) 상에 실리콘산화막(2′)을 형성하는 산화막형성공정; 상기 실리콘산화막(2′)위에 질화막(4)을 침적형성하여 상기 세정공정시와 마찬가지로 세정하고, 부분적으로 질화막(4)을 에칭하여 웰영역을 정의하는 공정; 상기 웰영역을 정의하는 공정에 이어 이온을 주입하고, 다시 질화막(4)의 에칭부위에 질화막(4)을 침적형성하여 주입된 이온을 소정의 깊이로 확산시키는 확산공정 및 질화막(4)위에 자라는 산화막을 S. BOE로 식각하여 제거하는 공정을 차례로 실시하는 반도체장치의 웰영역형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900005006A KR910019127A (ko) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900005006A KR910019127A (ko) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910019127A true KR910019127A (ko) | 1991-11-30 |
Family
ID=67470014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900005006A KR910019127A (ko) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR910019127A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100622806B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-09-18 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
-
1990
- 1990-04-11 KR KR1019900005006A patent/KR910019127A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100622806B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-09-18 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
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