KR910019127A - 반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 - Google Patents

반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 Download PDF

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KR910019127A
KR910019127A KR1019900005006A KR900005006A KR910019127A KR 910019127 A KR910019127 A KR 910019127A KR 1019900005006 A KR1019900005006 A KR 1019900005006A KR 900005006 A KR900005006 A KR 900005006A KR 910019127 A KR910019127 A KR 910019127A
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KR1019900005006A
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김창수
구본열
채희선
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체장치의 웰영역형성방법을 설명하기 위한 도면, 제3도는 본 발명에 따른 방법과 종래 방법에 따른 웰영역형서의 주요 차이점을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (1)

  1. 실리콘기판(1)위의 실리콘산화막을 S. BOE로 전면 식각하는 전면 산화막 식각공정과; 상기 전면 산화막 식가공정후 각각 황산과 HF로 실리콘기관(1)을 세정하는 세정공정; 상기 세정공정 다음 실리콘기관(1) 상에 실리콘산화막(2′)을 형성하는 산화막형성공정; 상기 실리콘산화막(2′)위에 질화막(4)을 침적형성하여 상기 세정공정시와 마찬가지로 세정하고, 부분적으로 질화막(4)을 에칭하여 웰영역을 정의하는 공정; 상기 웰영역을 정의하는 공정에 이어 이온을 주입하고, 다시 질화막(4)의 에칭부위에 질화막(4)을 침적형성하여 주입된 이온을 소정의 깊이로 확산시키는 확산공정 및 질화막(4)위에 자라는 산화막을 S. BOE로 식각하여 제거하는 공정을 차례로 실시하는 반도체장치의 웰영역형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900005006A 1990-04-11 1990-04-11 반도체장치의 웰(Well) 영역형성방법 KR910019127A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100622806B1 (ko) * 2004-12-29 2006-09-18 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조 방법

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