KR910007105A - 폴리 실리콘을 이용한 소자분리 산화막 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

폴리 실리콘을 이용한 소자분리 산화막 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 3A 도 내지 제 3F 도는 본 발명의 LOCOS방법에 의해 소자분리 산화막을 형성하는 공정단계를 나타낸 단면도,

제 4 도는 본 발명의 LOCOS방법에 의해 형성된 소자분리 산화막 사이에 게이트 전극이 형성되되 소자분리 산화막 하부에만 P+영역이 형성된 상태의 단면도.

Claims (3)

1. 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 산화막층(2), 질화막층(3) 및 폴리 실리콘층(17)을 순차적으로 형성한 후 상기 폴리 실리콘층(7) 상부에 포토레지스트(4)를 도포하는 단계와, 상기 포토레지스트(4)의 일정부분을 광인쇄공정으로 제거한 다음 노출된 폴리 실리콘층(7)을 건식식각으로 식각하고 잔여의 포토레지스트를 제거하는 단계와, 상기 공정후에 남아있는 폴리 실리콘층(7) 습식 또는 건식 산화공정으로 완전히 산화시키는 동시에 상부 및 측면에 산화막층(8)을 성장시키는 단계와, 상기 공정후에 분순물을 이온주입시켜 상기 산화막층(8)이 없는 부분의 실리콘 기판(1)에 불순물 주입영역(5)을 형성하는 단계와, 상기 산화막층(8)을 습식식각에 의해 완전히 식각하고 다시 포토레지스트(4')를 도포한 후 소정부분을 제거하는 단계와, 상기 공정으로 노출된 질화막층(3)을 건식식각으로 시각한 후 남아있는 포토레지스트(4')를 완전히 제거하는 단계와, 상기 공정으로 노출된 산화막층(2)을 습식 산화공정으로 실리콘 기판(1) 및 산화막층(2) 상에 소자분리 산화막(6)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로하는 폴리 실리콘을 이용한 소자분리 산화막 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 폴리 실리콘층(7) 상부에 포토레지스트(4)를 도포하는 단계전에, 상기 폴리 실리콘층(7)에 불순물을 주입한 후 그 상부에 상기 포토레지스트 (4)를 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리 실리콘을 이용한 소자분리 산화막 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 공정 후 남아있는 폴리 실리콘층(7)을 습식 또는 건식 산화공정으로 완전히 산화시키는 동시에 상부 및 측면에 산화막층(8)을 성장시키는 단계에서, 상기 폴리 실리콘층(7)을 습식 또는 건식 산화공정으로 일부만 산화시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리 실리콘을 이용한 소자분리 산화막 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임