KR970030791A - 반도체 소자의 저항 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 저항 제조방법 Download PDF

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김광수
김보우
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양승택
한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 저항 제조방법에 관한 것으로서, 저항체가 되는 다결정 실리콘층에 양의 온도계수를 갖는 공정과 음의 온도계수를 갖는 공정을 함께 진행한 후, 패턴닝하여 저항체를 형성하고, 콘택 및 저항을 형성하여 저항체를 구성하였으므로, 특정 저항값에서 온도 변화에 따른 저항값 변화가 방지되고, 저항체내의 불순물 농도가 일정하여 저항계수가 작아지므로 고온과 저온 모두에서 동작되는 반도체 소자의 동작 신뢰성이 향상된다.

Description

반도체 소자의 저항 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(a)도 내지 제2(d)도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 저항 제조 공정도.

Claims (6)

  1. 저항 제조방법은 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상에 다결정 실리콘층 형성하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층에 양의 온도 계수와 음의 온도 계수를 갖게 하는 불순물을 함께 순차적으로 도핑하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층을 패턴닝하여 소정 저항 값을 갖는 저항체를 형성하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층에서 콘택으로 예정되어 있는 부분을 노출시키는 콘택 홀을 포함하는 충간절연막을 상기 구조의 전표면에 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통해 다결정 실리콘층 패턴과 접촉되는 전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 소자의 저항 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막을 산화막, 질화막, BPSG막 및 TEOS막으로 구성되는 군에서 임의로 선택되는 하나의 막으로 형성하는 반도체 소자의 저항 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 양의 온도 계수를 갖도록 반도체 기판을 전기로에 탑재하고 POCl3가스 분위기에서 열처리하여 P를 확산시키는 반도체 소자의 저항 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 음의 확산계수를 갖도록 반도체 기판에 As불순물 이온을 이온 주입한 후 활성화시키는 반도체 소자의 저항 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 층간절연막을 TEOS, BPSG 및 PSG로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 물질로 형성하는 반도체 소자의 저항 제조방법.
  6. 반도체 기판 상에 절연막을 형상하는 공정과, 상기 절연막 상에 다결정 실리콘층 패턴으로된 저항체를 형성하는 공정과, 상기 저항체에 양의 온도 계수와 음의 온도 계수를 갖게 하는 불순물을 함께 순차적으로 도핑하는 공정을 하거나 혹은 공정순서를 달리함으로서도 본 공정의 온도에 따른 저항변화가 거의 없는 특성을 얻을 수 있는 공정과, 상기 저항체에서 콘택으로 예정되어 있는 부분을 노출시키는 콘택홀을 구비하는 층간절연막을 상기 구조의 전표면에 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 저항체와 접촉되는 전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 소자의 저항 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR20030047604A (ko) * 2001-12-11 2003-06-18 한국전기연구원 반도체 집적회로의 저 온도저항계수 저항체 제조방법
KR20160061973A (ko) * 2013-09-27 2016-06-01 인텔 코포레이션 내장형 저항기들에 대해 조정가능한 온도 계수를 형성하는 방법들

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