KR960002520A - 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 관한 것으로, 소자간 절연 및 표면 평탄화를 목적으로 LPCVD TEOS막과 BPSG막의 적층구조를 갖는 층간 절연막 형성시, TEOS막 증착후에, H2, N2개스 분위기로 열철(anneal) 공정을 실시하고, 이후 BPSG막을 증착 및 플로우(flow)하므로써 TEOS막 자체에 함유된 수분 또는 대기중의 수분침투를 방지할 수 있는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- TEOS막이 포함된 적층구조의 층간 절연막을 형성하는 방법에 있어서, TEOS막(2) 형성후 H2와 N2개스 분위기로 열처리 공정을 실시하고, 이후 소정의 절연막을 적층하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리공정은 300~400℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013890A KR960002520A (ko) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013890A KR960002520A (ko) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002520A true KR960002520A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013890A KR960002520A (ko) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002520A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100394504B1 (ko) * | 1999-09-01 | 2003-08-14 | 가부시끼가이샤 한도따이 프로세스 켄큐쇼 | 절연막의 막질 개선방법 및 반도체 장치 |
| KR100462368B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2005-04-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의제조방법 |
-
1994
- 1994-06-20 KR KR1019940013890A patent/KR960002520A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462368B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2005-04-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의제조방법 |
| KR100394504B1 (ko) * | 1999-09-01 | 2003-08-14 | 가부시끼가이샤 한도따이 프로세스 켄큐쇼 | 절연막의 막질 개선방법 및 반도체 장치 |
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