KR980005847A - 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법을 제공하는 것으로, BPTEOS막을 PECVD 방법으로 형성하고, 그 위에 언도프 TEOS막을 인시튜로 형성한 후 열처리 하므로써 스텝 커버리지가 향상될 뿐 아니라 수분흡수에 의한 결정결함을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 내지 1c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 절연막을 형성한 후 상기 절연막상에 패턴화된 금속층을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘판의 전체 상부면에 BPTEOS막을 증착한 후 상기 BPTEOS막상에 언도프 TEOS막을 인슈트로 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판에 열처리 공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 BPTEOS막은 PECVD 방식으로 붕소 대 인이 3.0 내지 4.0 대 4.0 내지 5.0wt%의 비율로 4,000 내지 6,000Å의 두께가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 언도프 TEOS막은 200내지 400Å의 두께가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 질소가스 분위기에서 800내지 900℃의 온도조건으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022831A KR980005847A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022831A KR980005847A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005847A true KR980005847A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022831A KR980005847A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005847A (ko) |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022831A patent/KR980005847A/ko not_active Application Discontinuation
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