KR980005808A - 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법에 관한 것으로, BPSG(Boro-phospho-silicate-Glass)막이 대기중에 노출되는 경우 표면에 생성되는 결정 결함 (Crystal Derect)으로 인한 불량의 발생을 방지하기 위하여 BPSG막상에 점도가 낮으며 밀도가 높은 BPTEOS막을 형성한 후 플로우 공정을 실시하므로써 상기 막에 함유된 붕소(B) 및 인(P)의 외부 확산이 방지된다. 따라서 대기중의 노출로 인해 생성되는 결정 결함이 방지되어 후속 공정을 용이하게 실시할 수 있으며, 표면의 평탄도가 향상될 수 있는 반도체 소자의 층간절연막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 내지 제1c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (8)
- 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법에 있어서, 도전층 패턴이 형성된 후 표면의 단차가 심화된 실리콘 기판상에 BPSG막 및 BPTEOS막을 순차적으로 형성하고 표면을 평탄화시키기 위한 플로우 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 BPSG막은 4000 내지 5000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있엉서, 상기 BPSG막은 400 내지 500℃의 온도에서 상압화학기상증착 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 BPTEOS막은 70 내지 90Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 BPTEOS막은 350 내지 450℃의 온도에서 플라즈마 하학기상증착 방법으로 형성되는 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 BPTEOS막의 증착비는 10 내지 14Å/초인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 BPTEOS막은 TMP, TMB, N2O 및 SiH4가스에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플로우 공정은 800 내지 900℃의 온도에서 50 내지 70분동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022801A KR980005808A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022801A KR980005808A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005808A true KR980005808A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022801A KR980005808A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005808A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100590217B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2006-06-21 | 주식회사 모센 | 휴대폰용 키패드 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된키패드 |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022801A patent/KR980005808A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100590217B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2006-06-21 | 주식회사 모센 | 휴대폰용 키패드 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된키패드 |
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|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |