KR20020079929A - 트렌치 충전 방법 - Google Patents

트렌치 충전 방법

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KR20020079929A
KR20020079929A KR1020027011463A KR20027011463A KR20020079929A KR 20020079929 A KR20020079929 A KR 20020079929A KR 1020027011463 A KR1020027011463 A KR 1020027011463A KR 20027011463 A KR20027011463 A KR 20027011463A KR 20020079929 A KR20020079929 A KR 20020079929A
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트리콘 호울딩즈 리미티드
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Abstract

본 발명은 트렌치 또는 구멍에 유전체 물질을 침착하고 압력적용 동안이나 이후에 침착된 물질을 어닐링 하는 단계를 포함하는 기판에 있는 트렌치나 구멍을 충전하는 방법에 관계한다. 이 공정은 단계적이며 어닐링 단계는 기판을 H2플라즈마에 노출하는 단계를 포함하거나 어닐링 후 노출단계가 수행된다.

Description

트렌치 충전 방법{A METHOD OF FILLING TRENCHES}
얕은 트렌치 분리 특징부 구축과 반도체 디바이스 예비-금속 유전체 형성과 같은 공정에서 적은 갭에 치밀한 필름을 달성할 필요가 있다. 그러나 이러한 갭 내에 필름이 침착될 때 침착된 필름으로부터 물을 제거할 필요가 빈번히 있고 필름이 서브 마이크론 폭의 리세스에 있는 경우에 기공이 형성되고 재료가 종종 바람직하지 않게 저밀도를 가진다. 따라서 충전이 완전할 경우에도 재료의 밀도가 낮을 수 있고, 이것은 에칭에 대단히 민감함을 의미한다. 얕은 트렌치 분리 특징부의 경우에 재료는 습식 에칭에 내성이 있어야 하고 US-A-5447884의 도4 및 도5에 도시된 대로 산화물 및 질화물 필드 층의 습식 제거 후에 충전된 트렌치가 유지되어야 하므로 특히 문제가 된다.
본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 기판에서 트렌치 및 기타 구멍 충전 방법에 관계한다.
도1은 고압 어닐링 결과를 보여준다.
도2-16는 실험1-15의 결과를 보여준다.
본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 기판에서 트렌치 또는 기타 구멍 충전 방법에 관계하며, 트렌치 또는 기타 구멍에 유전체 물질을 침착하고, 침착된 물질에 압력을 적용하고, 압력적용 동안이나 이후에 침착된 물질을 어닐링 하는 단계를 포함한다.
트렌치 또는 기타 구멍이 완전히 충전되거나 트렌치 또는 기타 구멍이 초기에 부분적으로 충전되고 침착된 물질이 압력이나 압력 및 어닐링 처리를 받을 수 있다. 이후 트렌치 또는 기타 구멍이 추가 침착단계에 의해서 완전히 충전되고 이후 압력이나 압력 및 어닐링이 행해질 수 있다.
어닐링 단계는 기판을 H2플라즈마에 노출하는 단계를 포함하거나 어닐링 후 노출단계가 행해진다.
적용된 압력은 공정 수행에 충분해야 한다. 100 및 700바아에서 실험이 수행되었다. 압력은 유효 기간 동안 적용되어야 한다. 실험은 60-300초 동안 수행된다.
압력적용 동안이나 이후에 기판이 가열될 수 있다. 이 경우에 기팜은 150-550℃로 가열된다. 선호되는 기판 온도는 475-525℃이다.
본 발명은 압력이 어닐링 공정에 미치는 효과를 보여주는 도1과 SEM과 관련하여 기술되는데, 분리된 O-H가 고압의 적용에 의해 물의 제거가 열적으로 유도된다. 실험 3,4,7-11 및 13은 비교 실시예이다.
각 실험에서 액체 실란올이 축합반응에 의해 침착되고 이후 어닐링 공정을 사용하여 경화되어 산화물 필름을 형성하는 본 출원인의 Flowfill®공정을 사용하여 필름이 침착된다. 이러한 침착공정의 예가 US-A-5874367에 발표된다. PlanarTM은 Flowfill®공정을 수행하는 설비에 관계하며 이 장치 역시 상기 미국특허에 발표된다. US-A-5527561은 기술된 장치가 훨씬 더 높은 압력을 적용할 수 있으며 더욱 간단한 장치가 적합할 수 있지만 고압 공정 수행에 적합한 압력 적용 장치를 발표한다.
이러한 배경지식을 기초로 작은 갭에 침착된 유전체 필름의 밀도를 증가시키는 방법이 발표된다. 이러한 갭은 100nm(1000Å)미만의 폭과 3이상의 가로세로비(폭에 대한 깊이)를 갖는다. 특히 갭은 50nm미만의 폭과 5이상의 가로세로비(폭에 대한 깊이)를 갖는다. 유전체는 Flowfill®공정을 사용하여 웨이퍼 상에 침착되고 얕은 트렌치 분리(STI)공정이나 예비-금속 유전체(PMD) 형성에 사용될 수 있다. 실험은 40nm(400Å)폭과 360nm(3600Å)깊이의 SiN 트렌치로 구성된 테스트 특징부를 포함한 웨이퍼에서 수행된다.
Flowfill®공정은 축합반응에 의해 갭을 실란올로 충전하고 이후 경화되어 산화물 필름을 형성한다. 이러한 경화는 저-압(대기압 이하 압력) 열 또는 플라즈마 어닐링 동안에 일어난다. 이 공정은 벌크에서 보다 좁은 트렌치에서 밀도가 낮은 산화물 필름을 가져온다. 저밀도 유전체의 신속한 에칭의 결과 쪼개진 샘플의 윤곽 에칭은 갭 내에서 공극을 보인다. 수소 플라즈마 처리에 앞서서 다단계 고압 및 고온 어닐링을 수행하여 작은 갭에서 필름의 밀도가 향상될 수 있는 방법이 발표된다.
본 발명은 실란올이나 실란올 유사 층으로부터 물을 기계적으로 제거하는 것을 보조하기 위해서 열과 함께 고압을 사용한다. 고급 유전체(10:1완충HF 에칭으로윤곽이 형성될 때 공극을 보이지 않는)로 작은 갭(100nm 미만)을 충전할 수 있는 단일 층 형성법이 이전에 존재하지 않았다. 압력의 적용은 결과를 개선시킨다. 성공적인 결과를 위해서 2이상의 층이 공극에 침착될 필요가 있으며 제2층이 침착되기 이전에 제1층에 고압 어닐링이 수행된다. 고려중인 갭은 공지기술에서 보다 매우 적고 IBM 기술잡지 nr.11 Vol.27, 1985,4월호)에 발표된 대로 다층 박층에서 수행될 때조차도 일반적으로 사용하는 플라즈마 처리, 수소 플라즈마 처리 및 순수한 열적 어닐링은 유전체 층을 충분히 치밀화 시키지 못한다. 가장 진보된 반도체 웨이퍼에서 현재 사용하는 갭은 0.35-0.13마이크론(350-130nm)이다. 전통적인 플라즈마 처리 및 열적 처리는 단일 층 필름에서 0.35마이크론 갭에 잘 적용되지 못한다. 이에 반하여 고압 공정은 더 큰 갭 폭에서 단일 층 필름을 충분히 치밀화 시킬 수 있다. STI/PMD 갭 깊이는 폭이 감소해도 크게 변하지 않는다. 폭이 감소하면 가로세로비는 증가하고 노출된 표면적에 대한 부피의 비율이 증가한다.
공정단계
쪼개진 웨이퍼 편에서 모든 실험이 수행된다. 다음은 가능한 공정단계를 요약한다:
공정단계 및 서열 시스템
1.N2O 플라즈마 처리(항상)PlanarTM
2.2000ÅFlowfill®침착(항상PlanarTM
3.저압 소프트 어닐링(보충)PlanarTM
4.고압 처리(보충적)Flowfill®
5.저압 어닐링(보충적)Flowfill®
6.수소 플라즈마(보충적)PlanarTM
7.4000Å 캡 침착(항상)PlanarTM
기존의 PlanarTM및 Flowfill®을 사용하여 실험이 수행된다. 이들은 싱글 웨이퍼 클러스터 시스템이고 PlanarTM는 플라즈마 예비 처리, CVD 침착과 진공 하에서 웨이퍼 전달하면서 열적 및 플라즈마 후-처리를 포함한 CVD 시스템이다. Flowfill®은 웨이퍼 리세스를 충전하기 위해서 금속 변형과 조합된 고압 싱글 웨이퍼 클러스터 시스템이다. PlanarTM시스템에 챔버가 장착되지 않으므로 공정 동안에 웨이퍼는 시스템 사이에서 주변 대기에 노출된다. 이것은 실험에 의미가 없다.
공정 기술
1.N2O 플라즈마 처리:
플래튼 온도450℃
공정 시간20초
압력1400m Torr
N2O3500sccm
N21500sccm
샤워 헤드에 전력500W,375Hz
플라즈마 공정은 노출 실리콘을 플라즈마 처리하여 베이스 이산화실리콘 층을 형성하고 접착력을 향상시킨다.
2.Flowfill®침착
플래튼 온도0℃
공정 시간필요에 따라
압력800m Torr
SiH4120sccm
N2300sccm
H2O20.65g/분
샤워 헤드에 전력500W,375Hz
이 공정은 물 함유 폴리머나 실란올을 침착 한다. 스핀-온 물 함유 폴리머가 치환될 수 있다.
3.소프트 어닐링:
플래튼 온도450℃
공정 시간90초
압력20m Torr
소프트 열적 어닐링은 PlanarTM시스템(침착 챔버로부터 진공 웨이퍼 전달)에서 순수한 질소 환경 하에서 저압에서 수행된다. 저압으로 인하여 웨이퍼 온도는 플래튼 온도에 도달하지 않는다. 웨이퍼는 190℃에서 챔버로부터 빠져 나간다. 이 단계는 Flowfill에서 수포를 방지하며 캡 층은 대기압에서 450℃ 질소 하에서 예컨대 30분간 어닐링 된다. STI/PMD 적용(웨이퍼에 금속 상호 연결부가 존재하기 이전에)의 경우 어닐링 온도는 450℃이상일 수 있다.
4.고압 처리
이 단계는 침착과 상이한 시스템에서 수행된다.
5.어닐링
공정 온도450℃
공정 시간180초
압력1Torr
Forcefill 시스템에서 열적 어닐링이 수행된다. 이것은 플래튼으로부터 웨이퍼에 열전달을 시키기에 충분한 대기압 이하의 압력에서 순수한 질소 어닐링이다.
6.수소 플라즈마
플래튼 온도400℃
공정 시간600초
H21000sccm
샤워헤드에 전력1000W,13.56MHz
7.캡 침착
플래튼 온도450℃
두께4000Å
압력750m Torr
SiH4100sccm
N21000sccm
N2O2000sccm
샤워헤드에 전력1000W,375kHz
아래 표에 실험이 기술되며 침착된 필름 처리를 위한 공정 단계 매트릭스가 있다.
공정단계 3. 4.고압처리 5. 6.
실험번호 Planar어닐링 온도(℃) 압력(bar) 시간(초) 어닐링 H2플라즈마
1 예 180 700 60 예 아니오
2 예 180 100 60 예 아니오
3 예 475 700 60 아니오 아니오
4 예 475 100 60 아니오 아니오
5 아니오 180 700 60 예 아니오
6 아니오 180 100 60 예 아니오
7 아니오 N/A N/A 0 예 아니오
8 아니오 475 700 60 아니오 아니오
9 아니오 475 100 60 아니오 아니오
10 아니오 475 700 300 아니오 아니오
11 아니오 525 700 300 아니오 아니오
12 아니오 525 700 300 아니오 예
13 아니오 N/A N/A 0 아니오 예
Flowfill 후 압력처리가 이어지는 다단계 침착이 유리한가를 판정하는 것에추가적으로 다음 2가지 실험이 실시된다. 사용된 고압 처리는 실험12의 경우와 동일하다.
실험14
단계 공정 시스템
1N2O플라즈마 처리Planar
2800ÅFlowfill 침착Planar
3고압 처리Forcefill
4N2O플라즈마 처리Planar
5800ÅFlowfill 침착Planar
6고압 처리Forcefill
7수소 플라즈마Planar
84000ÅCap 침착Planar
실험15
단계 공정 시스템
1N2O플라즈마 처리Planar
2300ÅFlowfill 침착Planar
3고압 처리Forcefill
4N2O플라즈마 처리Planar
5300ÅFlowfill 침착Planar
6고압 처리Forcefill
7N2O플라즈마 처리Planar
8300ÅFlowfill 침착Planar
9고압 처리Forcefill
10수소 플라즈마Planar
114000ÅCap 침착Planar
위 경우에서 Flowfill 두께 측정은 실제로 트렌치에서가 아니라 기판 필드에 침착된 깊이이다. 사실상 필드에 침착된 일부 물질은 트렌치로 흐르므로 필드에 침착된 총 두께는 트렌치의 총 깊이 미만일 수 있다.
20℃에서 2초간 10:1 BHF에서 윤곽이 잡힌 패턴화된 웨이퍼의 쪼개진 모서리에 대해 SEM이 작동된다. 시각적 검사는 다음 결과를 가져온다:
-고압 어닐링이나 수소 플라즈마를 포함하는 모든 공정이 단일 저압 열적 어닐링 보다 양호하다. 저압(표준) 열적 어닐링(450℃)은 갭에서 최악의 품질을 보인다.
-실험12(고압 어닐링 및 수소 플라즈마 처리)은 단일 필름 침착에서 최상의 결과를 제공한다. 이것은 2번째 최상의 결과를 주는 기록 공정 실험13에 비해서 개선된 것이다.
-고압 어닐링 이전 소프트 베이킹이나 고압 어닐링 이후 저압 어닐링은 고압 어닐링 결과에 큰 영향을 주지 않는다.
-475℃의 고압 어닐링은 180℃의 경우보다 개선된 결과를 주나 525℃는 475℃의 경우와 큰 차이가 없다.
-고압(700바아)은 고압 처리(어닐링)의 경우보다 선호된다.
-고압 처리단계의 증가된 시간은 테스트 범위(60-300초)에서 큰 효과를 미치지 않는데, 이것은 온도 및 압력이 시간보다 중요함을 보여준다.
-그러므로 일부 웨이퍼 특징부의 경우 적어도 일부 필름에서 물을 제거하는데 60초 이상의 공정시간 단축이 가능하며 경제적인 효과를 준다.
-부분적으로 리세스를 충전하도록 층이 침착되고 이후 처리된다면 단일 필름 침착이 개선될 수 있다. 실험14에서 두 단계로 Flowfill이 침착되며(각각 800Å)각 단계 이후 고압 어닐링 및 수소 플라즈마 처리가 된다. 제1 Flowfill 단계가 충분히 갭을 완전 충전하고(액체인 Flowfill층은 공칭 두께보다 깊이 리세스를 충전한다) 이후 웨이퍼의 필드에 제2 침착이 이루어지므로 단일 필름 침착에 비해서 큰 개선은 없다. 실험15에서 하나 이상의 얇은 층이 침착 및 처리되어 갭을 충전한다. 이것은 최상의 결과를 제공한다. 그러므로 갭을 완전 충전하기 이전에 필름을 치밀화 하는 것이 좋다.

Claims (12)

  1. 트렌치 또는 구멍에 유전체 물질을 침착하고 압력적용 동안이나 이후에 침착된 물질을 어닐링 하는 단계를 포함하는 기판에 있는 트렌치나 구멍을 충전하는 방법
  2. 제 1항에 있어서, 트렌치 또는 기타 구멍이 초기에 부분적으로 충전되고 침착된 물질이 압력이나 압력 및 어닐링 처리를 받으며 이후 트렌치 또는 기타 구멍이 추가 침착단계에 의해서 완전히 충전됨을 특징으로 하는 방법
  3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 제 1항 또는 2항에 있어서, 제1 또는 후속 단계에서 침착된 물질이 압력이나 어닐링 처리를 받음을 특징으로 하는 방법
  4. 앞선 청구항 중 한 항에 있어서, 어닐링 단계가 기판을 H2플라즈마에 노출하는 단계를 포함하거나 어닐링 후 노출단계가 수행됨을 특징으로 하는 방법
  5. 앞선 청구항 중 한 항에 있어서, 적용된 압력이 100바아 이상임을 특징으로 하는 방법
  6. 제 6항에 있어서, 적용된 압력이 700바아임을 특징으로 하는 방법
  7. 앞선 청구항 중 한 항에 있어서, 압력이 1-300초간 적용됨을 특징으로 하는 방법
  8. 제 7항에 있어서, 압력이 60초간 적용됨을 특징으로 하는 방법
  9. 앞선 청구항 중 한 항에 있어서, 압력적용 동안이나 이후에 기판이 가열됨을 특징으로 하는 방법
  10. 제9항에 있어서, 기판이 150-550℃로 가열됨을 특징으로 하는 방법
  11. 제10항에 있어서, 기판 온도가 475-525℃임을 특징으로 하는 방법
  12. 앞선 청구항 중 한 항에 있어서, 유전체 층이 실란올 또는 실란올 유사 층임을 특징으로 하는 방법
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070014801A1 (en) * 2001-01-24 2007-01-18 Gish Kurt C Methods of diagnosis of prostate cancer, compositions and methods of screening for modulators of prostate cancer
DE10249649A1 (de) * 2002-10-24 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer flachen Grabenisolation
DE10350689B4 (de) * 2003-10-30 2007-06-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung von Isolatorstrukturen in einem Halbleitersubstrat
DE102004020328A1 (de) * 2004-04-26 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abscheidung einer mit Kohlenstoff dotierten siliziumhaltigen dielektrischen Schicht
US7129189B1 (en) 2004-06-22 2006-10-31 Novellus Systems, Inc. Aluminum phosphate incorporation in silica thin films produced by rapid surface catalyzed vapor deposition (RVD)
US7297608B1 (en) 2004-06-22 2007-11-20 Novellus Systems, Inc. Method for controlling properties of conformal silica nanolaminates formed by rapid vapor deposition
US7202185B1 (en) 2004-06-22 2007-04-10 Novellus Systems, Inc. Silica thin films produced by rapid surface catalyzed vapor deposition (RVD) using a nucleation layer
US7097878B1 (en) 2004-06-22 2006-08-29 Novellus Systems, Inc. Mixed alkoxy precursors and methods of their use for rapid vapor deposition of SiO2 films
US7790633B1 (en) 2004-10-26 2010-09-07 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US7148155B1 (en) 2004-10-26 2006-12-12 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US7294583B1 (en) 2004-12-23 2007-11-13 Novellus Systems, Inc. Methods for the use of alkoxysilanol precursors for vapor deposition of SiO2 films
US7271112B1 (en) 2004-12-30 2007-09-18 Novellus Systems, Inc. Methods for forming high density, conformal, silica nanolaminate films via pulsed deposition layer in structures of confined geometry
US7482247B1 (en) 2004-12-30 2009-01-27 Novellus Systems, Inc. Conformal nanolaminate dielectric deposition and etch bag gap fill process
US7223707B1 (en) 2004-12-30 2007-05-29 Novellus Systems, Inc. Dynamic rapid vapor deposition process for conformal silica laminates
US7109129B1 (en) 2005-03-09 2006-09-19 Novellus Systems, Inc. Optimal operation of conformal silica deposition reactors
US7135418B1 (en) 2005-03-09 2006-11-14 Novellus Systems, Inc. Optimal operation of conformal silica deposition reactors
US7589028B1 (en) 2005-11-15 2009-09-15 Novellus Systems, Inc. Hydroxyl bond removal and film densification method for oxide films using microwave post treatment
US7491653B1 (en) 2005-12-23 2009-02-17 Novellus Systems, Inc. Metal-free catalysts for pulsed deposition layer process for conformal silica laminates
US7288463B1 (en) 2006-04-28 2007-10-30 Novellus Systems, Inc. Pulsed deposition layer gap fill with expansion material
US7625820B1 (en) 2006-06-21 2009-12-01 Novellus Systems, Inc. Method of selective coverage of high aspect ratio structures with a conformal film
EP2044609B1 (en) * 2006-07-20 2011-01-12 SPP Process Technology Systems UK Limited Ion deposition apparatus
WO2008009898A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Aviza Technology Limited Ion sources
US8400063B2 (en) * 2006-07-20 2013-03-19 Aviza Technology Limited Plasma sources
JP6397307B2 (ja) * 2014-10-29 2018-09-26 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5103276A (en) * 1988-06-01 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated High performance composed pillar dram cell
WO1992012535A1 (en) * 1991-01-08 1992-07-23 Fujitsu Limited Process for forming silicon oxide film
FR2734402B1 (fr) * 1995-05-15 1997-07-18 Brouquet Pierre Procede pour l'isolement electrique en micro-electronique, applicable aux cavites etroites, par depot d'oxyde a l'etat visqueux et dispositif correspondant
US6351039B1 (en) * 1997-05-28 2002-02-26 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit dielectric and method
JPH113936A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH11330080A (ja) * 1998-05-13 1999-11-30 James W Mitchell 水素処理方法
US6265282B1 (en) * 1998-08-17 2001-07-24 Micron Technology, Inc. Process for making an isolation structure
US6323101B1 (en) * 1998-09-03 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods, methods of forming silicon dioxide methods of forming trench isolation regions, and methods of forming interlevel dielectric layers

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