KR970052621A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)의 제조방법에 관한 것이다. 반도체 기판상의 절연막에 콘택홀을 형성한 후, 그 반도체 기판을 최종 세정단계로서 NH4OH용액에 디핑시켜서 콘택홀 내부의 실리케이트 또는 중합체성 잔류물을 완벽하게 제거한다. NH4OH용액은 21℃~26℃의 온도를 지니며, 1:15이상의 비율의 NH4OH:H2O2+H2O로 이루어진다. 또한, 디핑시간은 5분 내지 20분이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(가)내지 (라)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 반도체 소자의 제조방법을 공정순서적으로 설명하기 위한 반도체 소자의 요부 단면도.
Claims (5)
- 하부전극이 형성된 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 상기의 절연막상에 감광막을 도포하여 소정의 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴의 형태로 식각을 실시하여 절연막에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 결과되는 반도체 기판을 H2SO4세정액에 디핑시킨 후, BOE 또는 HF세정액에 디핑시키는 단계; 상기 결과되는 반도체 기판을 NH4OH용액에 디핑시키는 단계; 및 상기 반도체 기판상에 형성된 상기 콘택홀의 내부 및 주변부 전면에 전극 형성용 물질을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 NH4OH용액에 디핑시키는 단계에서 NH4OH용액은 NH4OH:H2O2+H2O로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 NH4OH용액에 디핑시키는 단계는 21℃~26℃의 온도에서 5분 내지 20분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 소오스/드레인 또는 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전극 형성용 물질은 폴리실리콘 또는 금속인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046260A KR970052621A (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046260A KR970052621A (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052621A true KR970052621A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66593563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950046260A KR970052621A (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052621A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866128B1 (ko) * | 2002-12-21 | 2008-10-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스토리지노드 콘택 내의 슬러리 및 포토레지스트 제거 방법 |
-
1995
- 1995-12-02 KR KR1019950046260A patent/KR970052621A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866128B1 (ko) * | 2002-12-21 | 2008-10-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스토리지노드 콘택 내의 슬러리 및 포토레지스트 제거 방법 |
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