KR970077321A - 반도체장치의 다층 절연막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

반도체장치의 다층 절연막 형성방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체기판 상에 실리콘질화막을 형성하는 단계와, 상기 실리콘질화막 상에 옥시나이트라이드막을 형성하는 단계와, 상기 옥시나이트라이드막상에 고유전막을 형성하는 단계와, 상기 고유전막이 안정된 조성비를 갖도록 상기 결과물을 산소가스 및 오존 분위기에서 열처리하는 단계와, 상기 열처리된 고유전막 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 안정된 조성비를 갖는 고유전막을 포함하는 다층 절연막을 형성할 수 있으므로 산화막 등가두께를 크게 감소시키면서 누설전류 특성을 개선시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 의한 다층 절연막을 트랜지스터의 게이트 절연막으로 사용할 경우 트랜지스터의 전기적 특성을 크게 향상시킬 수 있다.

Description

반도체장치의 다층 절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 본 발명에 따른 다층 절연막 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (8)

  1. 반도체기판 상에 실리콘질화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘질화막 상에 옥시나이트라이드막을 형성하는 단계; 상기 옥시나이트라이드막 상에 고유전막을 형성하는 단계; 상기 고유전막이 안정된 조성비를 갖도록 상기 결과물을 산소가스 및 오존 분위기에서 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 고유전막 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고유전막은 탄탈륨 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 탄탈륨 산화막은 430℃의 온도와 300mTorr의 압력 분위기에서 타이타늄 에톡사이드(Ta(OC2H5)5)를 주원료로 사용하는 CVD 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 실리콘질화막은 850℃의 온도와 암모니아 가스 분위기에서 1분동안 급속열처리(RTP)하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 옥시나이트라이드막은 800℃의 온도와 산소 가스 분위기에서 1분동안 급속열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 열처리는 300℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 산화막은 CVD 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층 절연막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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