JP2779996B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2779996B2 JP2779996B2 JP5059324A JP5932493A JP2779996B2 JP 2779996 B2 JP2779996 B2 JP 2779996B2 JP 5059324 A JP5059324 A JP 5059324A JP 5932493 A JP5932493 A JP 5932493A JP 2779996 B2 JP2779996 B2 JP 2779996B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- plasma
- semiconductor device
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係わり、特に半導体素子上に多層配線を形成する際に
適用される層間膜の形成方法に関するものである。
に係わり、特に半導体素子上に多層配線を形成する際に
適用される層間膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の製造において、
高集積化に伴い、多層配線技術は必須のこととなってい
る。多層配線技術の中でも層間膜の平坦化技術におい
て、多くの絶縁膜形成法が開発されている。主に使用さ
れている形成法は、平坦性が容易に得られるゾルを塗布
する方法である。また、最近では、ＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）を原料とする化学反応を用いたＴＥＯＳ
−ＣＶＤ法を用いるようになってきた。
高集積化に伴い、多層配線技術は必須のこととなってい
る。多層配線技術の中でも層間膜の平坦化技術におい
て、多くの絶縁膜形成法が開発されている。主に使用さ
れている形成法は、平坦性が容易に得られるゾルを塗布
する方法である。また、最近では、ＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）を原料とする化学反応を用いたＴＥＯＳ
−ＣＶＤ法を用いるようになってきた。
【０００３】しかしながら、前述した形成方法は、膜質
がポーラスであり、膜中に反応生成物として多量の水分
を含んでいることが知られている。一方、ＭＯＳＦＥＴ
の微細化によりドレイン電界が増加し、ホットキャリア
問題が素子信頼性上重要な課題となってきている。この
問題は、高電界中で高エネルギー状態（ホット）になっ
たキャリアがゲート酸化膜中に注入され、酸化膜内に捕
獲されたり、ゲート酸化膜と基板との間に界面準位を発
生させ、素子特性を劣化させる。この際、ゲート酸化膜
中にＯＨ基が多量に存在すると、ホットキャリア注入に
よる素子劣化が大きくなることが知られている。
がポーラスであり、膜中に反応生成物として多量の水分
を含んでいることが知られている。一方、ＭＯＳＦＥＴ
の微細化によりドレイン電界が増加し、ホットキャリア
問題が素子信頼性上重要な課題となってきている。この
問題は、高電界中で高エネルギー状態（ホット）になっ
たキャリアがゲート酸化膜中に注入され、酸化膜内に捕
獲されたり、ゲート酸化膜と基板との間に界面準位を発
生させ、素子特性を劣化させる。この際、ゲート酸化膜
中にＯＨ基が多量に存在すると、ホットキャリア注入に
よる素子劣化が大きくなることが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】塗布方法およびＴＥＯ
Ｓ−ＣＶＤ法により形成される絶縁膜は、膜中に多量の
水分を含んでおり、この水分がゲート酸化膜中にまで拡
散すると、ゲート酸化膜中にＯＨ基を形成するため、ホ
ットキャリアによる素子劣化を加速する可能性がある。
Ｓ−ＣＶＤ法により形成される絶縁膜は、膜中に多量の
水分を含んでおり、この水分がゲート酸化膜中にまで拡
散すると、ゲート酸化膜中にＯＨ基を形成するため、ホ
ットキャリアによる素子劣化を加速する可能性がある。
【０００５】このような従来法で形成したときの素子の
ホットキャリア耐性寿命を図６に示す。図６は、素子の
信頼性寿命の単位チャネル幅当たりの基板電流依存性を
示すものである。基板電流は、発生したホットキャリア
の数に比例し、素子に加わる電源電圧が大きいほど、大
きな基板電流が流れる。図６に示すようにホットキャリ
アによる信頼性寿命と基板電流との間にはｌｏｇ−ｌｏ
ｇプロット上で線形関係があるため、信頼性寿命の予測
には、基板電流を用いるのが通常である。図６から、電
源電圧３．３Ｖのときの寿命は、半年と予測される。実
用的には、寿命を１０年とする必要があり、このような
層間膜の構成による素子では、信頼性を保証できないこ
とが判る。
ホットキャリア耐性寿命を図６に示す。図６は、素子の
信頼性寿命の単位チャネル幅当たりの基板電流依存性を
示すものである。基板電流は、発生したホットキャリア
の数に比例し、素子に加わる電源電圧が大きいほど、大
きな基板電流が流れる。図６に示すようにホットキャリ
アによる信頼性寿命と基板電流との間にはｌｏｇ−ｌｏ
ｇプロット上で線形関係があるため、信頼性寿命の予測
には、基板電流を用いるのが通常である。図６から、電
源電圧３．３Ｖのときの寿命は、半年と予測される。実
用的には、寿命を１０年とする必要があり、このような
層間膜の構成による素子では、信頼性を保証できないこ
とが判る。
【０００６】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、電
子サイクロトロン共鳴法を用いたＥＣＲプラズマＣＶＤ
堆積法による絶縁膜を、塗布方法またはＴＥＯＳ−ＣＶ
Ｄ法により形成される絶縁膜の少なくとも下層に形成
し、絶縁膜からの水分をブロッキングし、素子のホット
キャリア劣化を与えることのない半導体装置の製造方法
を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、電
子サイクロトロン共鳴法を用いたＥＣＲプラズマＣＶＤ
堆積法による絶縁膜を、塗布方法またはＴＥＯＳ−ＣＶ
Ｄ法により形成される絶縁膜の少なくとも下層に形成
し、絶縁膜からの水分をブロッキングし、素子のホット
キャリア劣化を与えることのない半導体装置の製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明による半導体装置の製造方法は、半導体
装置の層間膜を形成する工程において、電子サイクロト
ロン共鳴法（ＥＣＲ）によるプラズマを用いた第１の絶
縁膜を堆積し、この第１の絶縁膜上に塗布法または化学
気相成長法により第２の絶縁膜を堆積した後、この第２
の絶縁膜に電子サイクロトロン共鳴法による酸素ガスの
プラズマの照射と窒素ガスのプラズマの照射とを連続し
て行うようにしたものである。
るために本発明による半導体装置の製造方法は、半導体
装置の層間膜を形成する工程において、電子サイクロト
ロン共鳴法（ＥＣＲ）によるプラズマを用いた第１の絶
縁膜を堆積し、この第１の絶縁膜上に塗布法または化学
気相成長法により第２の絶縁膜を堆積した後、この第２
の絶縁膜に電子サイクロトロン共鳴法による酸素ガスの
プラズマの照射と窒素ガスのプラズマの照射とを連続し
て行うようにしたものである。
【０００８】
【作用】本発明においては、第２の絶縁膜に電子サイク
ロトロン共鳴法によるプラズマを照射することにより、
第２の絶縁膜中の水分が脱離し、水分による素子のホッ
トキャリアの劣化が回避される。
ロトロン共鳴法によるプラズマを照射することにより、
第２の絶縁膜中の水分が脱離し、水分による素子のホッ
トキャリアの劣化が回避される。
【０００９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は、本発明による半導体装置の製造方法
をＭＯＳＦＥＴの製造方法に適用した一実施例を説明す
るためのＭＯＳＦＥＴの要部拡大断面図である。同図に
おいて、１は素子分離領域、２はゲート電極、３はゲー
ト酸化膜、４はシリコン基板、５は絶縁膜、６は配線金
属、７は第１の絶縁膜としての第１の層間膜、８は第２
の絶縁膜としての第２の層間膜、９は第３の絶縁膜とし
ての第３の層間膜である。
説明する。図１は、本発明による半導体装置の製造方法
をＭＯＳＦＥＴの製造方法に適用した一実施例を説明す
るためのＭＯＳＦＥＴの要部拡大断面図である。同図に
おいて、１は素子分離領域、２はゲート電極、３はゲー
ト酸化膜、４はシリコン基板、５は絶縁膜、６は配線金
属、７は第１の絶縁膜としての第１の層間膜、８は第２
の絶縁膜としての第２の層間膜、９は第３の絶縁膜とし
ての第３の層間膜である。
【００１０】なお、本実施例では、ゲート電極２として
ポリシリコンを約３０００Å、ゲート酸化膜３としてド
ライ酸化法により１００〜２００Å、配線金属６として
ＡｌＳｉＣｕを約５０００Åの厚さにそれぞれ形成し
た。また、第１の層間膜７および第３の層間膜９として
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ2 を用い、それぞ
れ約３０００Åおよび約２０００Åの厚さに形成し、ま
た、第２の層間膜８としてオゾンＴＥＯＳの分解反応を
利用する常圧ＣＶＤ法により約１０００Åの厚さに形成
されるオゾンＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜を用いた。
ポリシリコンを約３０００Å、ゲート酸化膜３としてド
ライ酸化法により１００〜２００Å、配線金属６として
ＡｌＳｉＣｕを約５０００Åの厚さにそれぞれ形成し
た。また、第１の層間膜７および第３の層間膜９として
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ2 を用い、それぞ
れ約３０００Åおよび約２０００Åの厚さに形成し、ま
た、第２の層間膜８としてオゾンＴＥＯＳの分解反応を
利用する常圧ＣＶＤ法により約１０００Åの厚さに形成
されるオゾンＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜を用いた。
【００１１】ここで、第１の層間膜７としてＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法による絶縁膜を用いた理由は、本方法によ
る絶縁膜は水分阻止に優れるためであり、可能な限り素
子への水分の拡散を抑えるためである。また、第２の層
間膜８を形成した後、ＥＣＲ法により酸素プラズマを第
２の層間膜８に照射し、水分を脱離した後、さらに同じ
く窒素プラズマにより表面を窒化し、水分の吸湿を抑え
た後に同一真空内で連続してＥＣＲプラズマＣＶＤ法に
より第３の層間膜９を形成した。ここで、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法とは、約２００℃以下の低温で高品質の絶縁
膜を形成する方法である。
ズマＣＶＤ法による絶縁膜を用いた理由は、本方法によ
る絶縁膜は水分阻止に優れるためであり、可能な限り素
子への水分の拡散を抑えるためである。また、第２の層
間膜８を形成した後、ＥＣＲ法により酸素プラズマを第
２の層間膜８に照射し、水分を脱離した後、さらに同じ
く窒素プラズマにより表面を窒化し、水分の吸湿を抑え
た後に同一真空内で連続してＥＣＲプラズマＣＶＤ法に
より第３の層間膜９を形成した。ここで、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法とは、約２００℃以下の低温で高品質の絶縁
膜を形成する方法である。
【００１２】本実施例での形成条件では、ＳｉＨ4 とＯ
2 との混合ガスを用い、ガス圧１．０ｍＴｏｒｒ、マイ
クロ波パワー６００Ｗである。また、本実施例では、Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置において、ＲＦパワーを印加し
ていないが、ＲＦパワーを印加し、膜質の改善をさらに
行った条件を用いても良いことは言うまでもない。特に
段差側壁の改善のためには不可欠である。また、膜形成
用のＳｉＨ4 を導入せずに活性ガスを用いて試料表面の
温度は約２００℃以下に保たれることは言うまでもな
い。
2 との混合ガスを用い、ガス圧１．０ｍＴｏｒｒ、マイ
クロ波パワー６００Ｗである。また、本実施例では、Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置において、ＲＦパワーを印加し
ていないが、ＲＦパワーを印加し、膜質の改善をさらに
行った条件を用いても良いことは言うまでもない。特に
段差側壁の改善のためには不可欠である。また、膜形成
用のＳｉＨ4 を導入せずに活性ガスを用いて試料表面の
温度は約２００℃以下に保たれることは言うまでもな
い。
【００１３】また、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜の形成条件
は、約６５℃に保ったＴＥＯＳ中を通過させる窒素ガス
の流量を３リットル／ｍｉｎ，オゾン流量を約３８ミリ
リッットル／ｍｉｎ，基板温度４００℃とした。さらに
本実施例の酸素プラズマ照射条件は、マイクロ波パワー
約９００Ｗ，Ｏ2 ガス１．０ｍＴｏｒｒ，照射時間５分
とし、引き続き行う窒素プラズマ照射条件は、マイクロ
波パワー約８００Ｗ，Ｎ2 ガス１．０ｍＴｏｒｒとし
た。
は、約６５℃に保ったＴＥＯＳ中を通過させる窒素ガス
の流量を３リットル／ｍｉｎ，オゾン流量を約３８ミリ
リッットル／ｍｉｎ，基板温度４００℃とした。さらに
本実施例の酸素プラズマ照射条件は、マイクロ波パワー
約９００Ｗ，Ｏ2 ガス１．０ｍＴｏｒｒ，照射時間５分
とし、引き続き行う窒素プラズマ照射条件は、マイクロ
波パワー約８００Ｗ，Ｎ2 ガス１．０ｍＴｏｒｒとし
た。
【００１４】図２は、プラズマ照射したときのＳＯＧ膜
の膜収縮率を示したものである。図２において、横軸は
照射時間、縦軸は収縮率である。図２に示すようにプラ
ズマ照射時間が約５分で１０％程度膜が収縮し、水分が
脱離し、膜質が改善されている。
の膜収縮率を示したものである。図２において、横軸は
照射時間、縦軸は収縮率である。図２に示すようにプラ
ズマ照射時間が約５分で１０％程度膜が収縮し、水分が
脱離し、膜質が改善されている。
【００１５】図３は、ＳＯＧ膜をプラズマ処理したとき
の水分の脱離状態を赤外吸収特性により説明する。図３
において、横軸は波数、縦軸は透過率である。図３に示
すように３６００ｃｍ-1付近はＳｉＯＨであり、３４０
０ｃｍ-1は水であり、３３００ｃｍ-1付近は吸着した水
である。図３から明かなように時間とともに３０００ｃ
ｍ-1から３７００ｃｍ-1のピークの面積が減少している
ことおよび３４００ｃｍ-1の水が減少している。
の水分の脱離状態を赤外吸収特性により説明する。図３
において、横軸は波数、縦軸は透過率である。図３に示
すように３６００ｃｍ-1付近はＳｉＯＨであり、３４０
０ｃｍ-1は水であり、３３００ｃｍ-1付近は吸着した水
である。図３から明かなように時間とともに３０００ｃ
ｍ-1から３７００ｃｍ-1のピークの面積が減少している
ことおよび３４００ｃｍ-1の水が減少している。
【００１６】図４は、ＳＯＧ膜のＴＤＳ法（Thermal De
sorption Spectroscopy ）による水分量の分析結果を示
したものである。この試料は、プラズマ処理後、ＳＯＧ
膜の表面を大気に晒さないようにプラズマ処理した後に
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を形成してあ
る。図４に示すようにプラズマ処理なしでは、水が約３
８０℃から脱離し、プラズマ処理をしたものは約４１０
℃から脱離している。また、ピークの強度もプラズマ処
理してある方が小さい。したがって図４から明かなよう
にプラズマ処理による効果であることが判る。
sorption Spectroscopy ）による水分量の分析結果を示
したものである。この試料は、プラズマ処理後、ＳＯＧ
膜の表面を大気に晒さないようにプラズマ処理した後に
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を形成してあ
る。図４に示すようにプラズマ処理なしでは、水が約３
８０℃から脱離し、プラズマ処理をしたものは約４１０
℃から脱離している。また、ピークの強度もプラズマ処
理してある方が小さい。したがって図４から明かなよう
にプラズマ処理による効果であることが判る。
【００１７】図５は、本発明を適用したときの素子の信
頼性寿命特性を示したものであり、プラズマ処理とアニ
ールとの有無について示す。図５から明かなようにアニ
ールなしの場合、素子の寿命が半年と短いことが判る。
また、４００℃の窒素アニールを行っても寿命は１０年
程度であるのに対し、プラズマ処理の方が寿命が３０年
と飛躍的に改善されていることが判る。
頼性寿命特性を示したものであり、プラズマ処理とアニ
ールとの有無について示す。図５から明かなようにアニ
ールなしの場合、素子の寿命が半年と短いことが判る。
また、４００℃の窒素アニールを行っても寿命は１０年
程度であるのに対し、プラズマ処理の方が寿命が３０年
と飛躍的に改善されていることが判る。
【００１８】このように素子の寿命が大幅に改善される
理由は、ＥＣＲプラズマ処理によってＳＯＧ膜からの水
を脱離させたためである。したがってこのような方法に
よれば、ＥＣＲプラズマ処理によってＳＯＧ膜からの水
分を離脱させることができるので、水分で生じる信頼性
の劣化を回避し、素子の寿命が大幅に改善され、多層配
線に必要な層間膜構造が得られるとともに素子の信頼性
を保証することができる。
理由は、ＥＣＲプラズマ処理によってＳＯＧ膜からの水
を脱離させたためである。したがってこのような方法に
よれば、ＥＣＲプラズマ処理によってＳＯＧ膜からの水
分を離脱させることができるので、水分で生じる信頼性
の劣化を回避し、素子の寿命が大幅に改善され、多層配
線に必要な層間膜構造が得られるとともに素子の信頼性
を保証することができる。
【００１９】なお、前述した実施例においては、プラズ
マ処理をアニール工程としてスルーホール開口後や金属
配線の加工後に用いても、前述と同様な効果が得られる
ことは言うまでもない。
マ処理をアニール工程としてスルーホール開口後や金属
配線の加工後に用いても、前述と同様な効果が得られる
ことは言うまでもない。
【００２０】また、前述した実施例においては、ＳＯＧ
膜に対してプラズマ処理を行った場合について説明した
が、他の水分を含むオゾンＴＥＯＳ膜などにおいても同
様のプラズマ処理を行っても、前述と同様な効果が得ら
れることは言うまでもない。
膜に対してプラズマ処理を行った場合について説明した
が、他の水分を含むオゾンＴＥＯＳ膜などにおいても同
様のプラズマ処理を行っても、前述と同様な効果が得ら
れることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
水分阻止能の高いＥＣＲプラズマＣＶＤ堆積法による第
１の絶縁膜を形成した後、この第１の絶縁膜上に塗布方
法または化学気相成長法により第２の絶縁膜を形成し、
この第２の絶縁膜に酸素ガスのＥＣＲプラズマと窒素ガ
スのＥＣＲプラズマを連続して照射して水分を脱離さ
せ、絶縁膜からの水分による素子のホットキャリアの劣
化を回避して層間膜を形成できるので、水分で生じる信
頼性の劣化が回避でき、信頼性を保証した半導体装置が
得られるという極めて優れた効果が有する。
水分阻止能の高いＥＣＲプラズマＣＶＤ堆積法による第
１の絶縁膜を形成した後、この第１の絶縁膜上に塗布方
法または化学気相成長法により第２の絶縁膜を形成し、
この第２の絶縁膜に酸素ガスのＥＣＲプラズマと窒素ガ
スのＥＣＲプラズマを連続して照射して水分を脱離さ
せ、絶縁膜からの水分による素子のホットキャリアの劣
化を回避して層間膜を形成できるので、水分で生じる信
頼性の劣化が回避でき、信頼性を保証した半導体装置が
得られるという極めて優れた効果が有する。
【図１】本発明による半導体装置の製造方法の一実施例
を説明するためのＭＯＳＦＥＴの要部拡大断面図であ
る。
を説明するためのＭＯＳＦＥＴの要部拡大断面図であ
る。
【図２】プラズマ照射したときのＳＯＧ膜の膜収縮率を
示す図である。
示す図である。
【図３】ＳＯＧ膜をプラズマ処理したときの水分の脱離
状態を赤外吸収特性により説明する図である。
状態を赤外吸収特性により説明する図である。
【図４】ＳＯＧ膜のＴＤＳ法による水分量の分析結果を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明を適用したときの素子の信頼性寿命特性
を示す図である。
を示す図である。
【図６】従来の製造方法を適用したときの素子の信頼性
寿命特性を示す図である。
寿命特性を示す図である。
１ 素子分離領域 ２ ゲート電極 ３ ゲート酸化膜 ４ シリコン基板 ５ 絶縁膜 ６ 配線金属 ７ 第１の層間膜 ８ 第２の層間膜 ９ 第３の層間膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−154536（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−277750（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/768 H01L 21/316
Claims (2)
- 【請求項１】 電子サイクロトロン共鳴法によるプラズ
マにより第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、前記第
１の絶縁膜上に塗布法または化学気相成長法により第２
の絶縁膜を形成する第２の工程と、前記第２の絶縁膜に
電子サイクロトロン共鳴法による酸素ガスのプラズマを
照射し、連続して窒素ガスのプラズマを照射する第３の
工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記第３の工程の
後、連続して電子サイクロトロン共鳴法によるプラズマ
を用いて第３の絶縁膜を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059324A JP2779996B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059324A JP2779996B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252275A JPH06252275A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2779996B2 true JP2779996B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=13110068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5059324A Expired - Fee Related JP2779996B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2779996B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5963336A (en) | 1995-10-10 | 1999-10-05 | American Air Liquide Inc. | Chamber effluent monitoring system and semiconductor processing system comprising absorption spectroscopy measurement system, and methods of use |
| EP0820095A3 (en) * | 1996-07-19 | 1999-01-27 | Sony Corporation | Method of forming an interlayer film |
| KR101897214B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2018-10-23 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0691160B2 (ja) * | 1986-05-27 | 1994-11-14 | 日本電気株式会社 | 多層配線の形成方法 |
| JPH01154536A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP5059324A patent/JP2779996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06252275A (ja) | 1994-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5811872A (en) | Semiconductor device and method of farbricating the same | |
| US6281138B1 (en) | System and method for forming a uniform thin gate oxide layer | |
| JP5068402B2 (ja) | 誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法 | |
| US6033998A (en) | Method of forming variable thickness gate dielectrics | |
| JP3015717B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| US20010006843A1 (en) | Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices | |
| GB2313232A (en) | A non volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same | |
| JP3297291B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN115784774B (zh) | 一种改善SiC Mos界面特性的方法 | |
| JP3698885B2 (ja) | 強誘電体膜を用いた装置の製造方法 | |
| US7867918B1 (en) | Semiconductor topography including a thin oxide-nitride stack and method for making the same | |
| JP3399413B2 (ja) | 酸窒化膜およびその形成方法 | |
| JP2779996B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10209147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6472751B1 (en) | H2 diffusion barrier formation by nitrogen incorporation in oxide layer | |
| JP2003158138A (ja) | 薄膜トランジスタ用の多層を形成する方法およびこれによって形成されたデバイス | |
| JPH06163521A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3250996B2 (ja) | 表面に絶縁膜を有するシリコン基板およびその製造方法および装置 | |
| JPH08335576A (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| US6949804B2 (en) | Semiconductor device with gate dielectric film having an oxide film and an oxynitride film | |
| JP2000357690A (ja) | 絶縁膜、その形成方法およびその絶縁膜を用いた半導体装置 | |
| JPH10242277A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| KR100379533B1 (ko) | 반도체소자의 게이트절연막 제조방법 | |
| JPH06163522A (ja) | 半導体装置の層間絶縁膜 | |
| JPH05343534A (ja) | 半導体装置および半導体装置の層間膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090515 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090515 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100515 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |