KR920020753A - 모스 소자의 구조 및 제조방법 - Google Patents

모스 소자의 구조 및 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920020753A
KR920020753A KR1019910005912A KR910005912A KR920020753A KR 920020753 A KR920020753 A KR 920020753A KR 1019910005912 A KR1019910005912 A KR 1019910005912A KR 910005912 A KR910005912 A KR 910005912A KR 920020753 A KR920020753 A KR 920020753A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
sidewall
forming
gate
nitride
Prior art date
Application number
KR1019910005912A
Other languages
English (en)
Inventor
장성진
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019910005912A priority Critical patent/KR920020753A/ko
Publication of KR920020753A publication Critical patent/KR920020753A/ko

Links

Landscapes

  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

모스 소자의 구조 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조 공정 단면도.

Claims (4)

  1. LDD형 모스 소자의 구조에 있어서, 저농도 소오스/드레인 영역을 게이트의 양 테두리로부터 다단의 계단형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 모스 소자의 구조.
  2. 기판위에 게이트 산화막과 얇은 폴리실리콘막과 도전체막 및 게이트 폴리실리콘막을 차례로 증착한 후 게이트 마스크를 이용하여 상기 도전체막까지 불필요한 부분을 에치하여 제거하는 단계, 전체적으로 질화막을 증착하고 상기 얇은 폴리실리콘막까지 에치하여 질화막 측벽을 형성하는 단계, 상기 질화막 측벽을 제거하고 저농도이온을 주입하여 저농도 소오스/드레인 영역을 계단형상으로 형성하는 단계, 유전체막을 전체적으로 형성하고 이를 에치하여 상기 질화막 측벽 하측의 얇은 폴리실리콘막 보다 더 두껍게 유전체막 측벽을 형성하는 단계, 고농도 이온을 주입하여 고농도 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 모스 소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도전체막은 내열성 금속막으로 형성함을 특징으로 하는 모스 소자의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 내열성 금속으로서 TIN막을 사용하는 것을 특징으로 하는 모스소자의 제조방법.
    * 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910005912A 1991-04-12 1991-04-12 모스 소자의 구조 및 제조방법 KR920020753A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910005912A KR920020753A (ko) 1991-04-12 1991-04-12 모스 소자의 구조 및 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910005912A KR920020753A (ko) 1991-04-12 1991-04-12 모스 소자의 구조 및 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920020753A true KR920020753A (ko) 1992-11-21

Family

ID=67400459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910005912A KR920020753A (ko) 1991-04-12 1991-04-12 모스 소자의 구조 및 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR920020753A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930006972A (ko) 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR920020753A (ko) 모스 소자의 구조 및 제조방법
KR950009978A (ko) 모스트랜지스터의 제조방법
KR930003293A (ko) 모스 트랜지스터 제조방법
KR940001460A (ko) 반도체 소자의 ldd 제조방법
KR970054387A (ko) 모스트랜지스터 제조 방법
KR930003434A (ko) Ldd 구조의 모스 트랜지스터 제조방법
KR950012645A (ko) 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법
KR950015658A (ko) 반도체소자 제조방법
KR920016611A (ko) 금속실리사이드 보호층 제조방법
KR920011562A (ko) Ldd구조의 트랜지스터 제조방법
KR920013765A (ko) Mosfet 제조방법
KR940016835A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR970054497A (ko) 박막 트랜지스터 제조방법
KR950024332A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR940016902A (ko) 모스(mos) 트랜지스터 제조방법
KR930015081A (ko) 얕은 접합 모스패트 제조방법
KR910003786A (ko) 게이트전극 형성방법
KR960026973A (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR920020747A (ko) Ldd구조의 트랜지스터 제조 형성방법
KR920013768A (ko) 박막형 이중 게이트 구조의 트랜지스터 제조방법
KR970077357A (ko) 모스(mos) 트랜지스터의 제조방법
KR930001457A (ko) 모스 트랜지스터 및 그 제조방법
KR950015825A (ko) 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법
KR980005881A (ko) 반도체 소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application