KR920013765A - Mosfet 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 본 발명에 따른 MOSFET구조 단면도, 제3도(A)~(G)는 본 발명에 따른 MOSFET 제조공정도
Claims (3)
- 아이소레이선후에 저온산화막을 형성하고 채널영역만 마스킹 작업으로 에치한후 채널이온을 주입하는 공정과, 게이트를 형성하고 소오스와 드레인에 이온주입후 금속을 증착한다음 로(Furnance)에서 반응시켜 실리사이드를 형성하는 공정과, 실리사이드를 게이트형성부위와 소오스/드레인 영역만남게 에치한후 유전체층과 콘택메탈을 형성하고 평탄화하는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 MOSEET제조방법.
- 제1항에 있어서, 채널이온은 펀치-스루 현상을 방지시키기 위해 소오스/드레인의 반대형 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 MOSEET 제조방법.
- 제1항에 있어서, 게이트는 채널이온 주입후 게이트산화막과 다결정 실리콘을 증착하고 게이트 마스크를 사용하여 다결정 실리콘과 산화막을 식각하여 형성한 것을 특징으로 하는 MOSFET제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020489A KR920013765A (ko) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | Mosfet 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020489A KR920013765A (ko) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | Mosfet 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013765A true KR920013765A (ko) | 1992-07-29 |
Family
ID=67537974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900020489A KR920013765A (ko) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | Mosfet 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920013765A (ko) |
-
1990
- 1990-12-13 KR KR1019900020489A patent/KR920013765A/ko not_active Application Discontinuation
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